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프로세스 챔버

  • 기술번호 : KST2015060033
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
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요약 실시예에 따른 프로세스 챔버는, 에피택셜 웨이퍼를 형성하기 위한 메인 챔버; 반응가스의 공급 또는 배출을 위하여 상기 메인 챔버의 일측면에 형성된 개구부; 및 상기 개구부를 통해 상기 메인 챔버 내부를 향해 일정 깊이로 삽입 또는 분리되는 서포트 챔버를 포함한다. 에피택셜 웨이퍼, 챔버
Int. CL H01L 21/02 (2006.01)
CPC H01L 21/6719(2013.01)
출원번호/일자 1020090129739 (2009.12.23)
출원인 주식회사 엘지실트론
등록번호/일자 10-1081692-0000 (2011.11.02)
공개번호/일자 10-2011-0072694 (2011.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20111109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.23)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김철수 대한민국 경상북도 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 대한민국 경상북도 구미시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0797116-82
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2011-5005193-13
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0252310-56
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0512406-15
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0512405-70
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0548520-46
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0821108-84
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.10.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0821109-29
9 등록결정서
Decision to Grant Registration
2011.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0627594-90
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2015-5070977-42
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.29 수리 (Accepted) 4-1-2015-5071326-18
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2017-5140469-15
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.02.21 수리 (Accepted) 4-1-2018-5031039-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
에피택셜 웨이퍼를 형성하기 위해 내부에 반응 가스가 유입되어 에피층이 형성되는 제1 영역 및 상기 제1 영역에서 연장되고 반응가스가 공급 또는 배출되는 제2 영역을 포함하는 메인 챔버; 상기 제2 영역의 내측에 일정 깊이로 삽입 또는 분리되는 서포트 챔버를 포함하는 프로세스 챔버
2 2
에피택셜 웨이퍼를 형성하기 위해 내부에 반응 가스가 유입되어 에피층이 형성되는 제1 영역 및 상기 제1 영역에서 연장되고 반응가스가 공급 또는 배출되는 제2 영역을 포함하는 메인 챔버; 상기 제2 영역의 일측면에 형성된 개구부 및; 상기 개구부의 내측에 일정 깊이로 삽입 또는 분리되는 서포트 챔버를 포함하는 프로세스 챔버
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 메인 챔버는 육면체로 형성되고, 상기 메인 챔버는 상하로 서로 마주하는 제1 측벽 및 제2 측벽과, 상기 제1 측벽 및 제2 측벽의 전후방에 각각 형성된 제3 측벽 및 제4 측벽을 포함하는 프로세스 챔버
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 영역에 해당하는 상기 메인 챔버는 제1 높이로 형성되고, 상기 제2 영역에 해당하는 상기 메인 챔버는 제1 높이보다 높은 제2 높이로 형성되고, 상기 서포트 챔버는 상기 제2 영역에서 교체되는 것을 포함하는 프로세스 챔버
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 영역 및 제2 영역이 연결되는 단차 부분에 스토퍼가 형성된 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버
6 6
삭제
7 7
제3항에 있어서, 상기 서포트 챔버는 상기 제2 영역의 제1, 제2, 제3 및 제4 측벽에 대응하는 제1, 제2, 제3 및 제4 보조측벽을 포함하는 프로세스 챔버
8 8
제3항에 있어서, 상기 서포트 챔버는 상기 제2 영역의 제1, 제3 및 제4 측벽에 대응하는 제1, 제3 및 제4 보조 측벽을 포함하는 프로세스 챔버
9 9
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 메인 챔버 및 서포트 챔버는 쿼츠(Quartz) 재질의 챔버인 것을 특징으로 하는 프로세스 챔버
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.