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에지(edge)를 구비하지 않는 굴곡을 포함하는 제2 전극층;상기 제 2 전극층의 에지(edge)를 구비하지 않는 굴곡에 대응되도록 에지를 포함하는 버퍼층; 및상기 버퍼층 상에 제1 도전형의 반도체층, 활성층, 제2 도전형의 반도체층을 포함하는 발광구조물;을 포함하는 발광소자
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제1 항에 있어서,상기 버퍼층은상기 제2 전극층 상에 에지(edge)를 구비하지 않는 굴곡을 포함하는 제2 버퍼층; 및상기 제2 버퍼층 상에 에지(edge)를 구비하는 제1 버퍼층;을 포함하는 발광소자
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제3 항에 있어서,상기 제1 버퍼층과 상기 제2 버퍼층 중 적어도 하나는 전도성 물질로 형성되는 발광소자
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제4 항에 있어서,상기 제1 버퍼층은 전도성물질이며, 상기 제2 버퍼층은 비전도성물질인 경우,상기 제2 버퍼층을 관통하여 상기 제1 버퍼층과 상기 제2 전극층을 연결하는 컨택플러그를 포함하는 발광소자
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제5 항에 있어서,상기 발광구조물은 전류차단층을 포함하고,상기 컨택플러그는 상기 전류차단층과 공간적으로 상하간에 적어도 일부분 대응되는 발광소자
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제1 항에 있어서,상기 제2 전극층은,상기 에지(edge)를 구비하지 않는 굴곡을 포함하는 반사층;상기 반사층 상에 결합층; 및상기 결합층 상에 전도성 기판;을 포함하는 발광소자
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제3 항에 있어서,상기 제1 버퍼층의 굴절률이 상기 제2 버퍼층의 굴절률 이상인 발광소자
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제3 항에 있어서,상기 제1 버퍼층과 상기 제2 버퍼층 중 적어도 하나는 투명전도층인 발광소자
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제1 항에 있어서,상기 발광구조물과 상기 버퍼층 사이의 둘레 영역에 보호층을 더 포함하는 발광소자
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제1 도전형의 반도체층, 활성층, 제2 도전형의 반도체층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계;상기 발광구조물 상에 에지(edge)를 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 상에 제2 전극층을 형성하며, 상기 버퍼층의 에지에 대응되도록 에지(edge)를 구비하지 않는 굴곡을 상기 제 2 전극층에 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법
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제11 항에 있어서,상기 버퍼층을 형성하는 단계는,상기 발광구조물 상에 에지(edge)를 포함하는 제1 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 제1 버퍼층 상에 에지(edge)를 구비하지 않는 굴곡을 포함하는 제2 버퍼층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자 제조방법
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제12 항에 있어서,상기 제1 버퍼층을 형성하는 단계는,상기 발광구조물 상에 제1 버퍼물질을 형성하는 단계; 및상기 제1 버퍼물질의 표면을 선택적으로 식각하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법
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제12 항에 있어서,상기 제2 버퍼층을 형성하는 단계는,상기 제1 버퍼층 상에 증착으로 통해 상기 에지(edge)를 구비하지 않는 굴곡을 포함하는 제2 버퍼층을 형성하는 발광소자의 제조방법
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제12 항에 있어서,상기 제1 버퍼층과 상기 제2 버퍼층 중 적어도 하나는 전도성 물질로 형성되는 발광소자의 제조방법
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제12 항에 있어서,상기 제1 버퍼층은 전도성물질이며, 상기 제2 버퍼층은 비전도성물질인 경우,상기 제2 버퍼층을 형성하는 단계 후에,상기 제2 버퍼층을 관통하여 상기 제1 버퍼층과 상기 제2 전극층을 연결하는 컨택플러그를 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
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제11 항에 있어서,상기 제2 전극층을 형성하는 단계는,상기 버퍼층 상에 반사층을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
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에지(edge)를 구비하지 않는 굴곡을 포함하는 제2 전극층과, 상기 제2 전극층 상에 형성되며, 상기 제 2 전극층의 에지(edge)를 구비하지 않는 굴곡에 대응되도록 에지를 포함하는 버퍼층 및 상기 버퍼층 상에 발광구조물을 포함하는 발광소자; 및상기 발광소자가 배치되는 패키지 몸체;를 포함하는 발광소자 패키지
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제18 항에 있어서,상기 버퍼층은상기 제2 전극층 상에 에지(edge)를 구비하지 않는 굴곡을 포함하는 제2 버퍼층; 및상기 제2 버퍼층 상에 상기 에지를 포함하는 제1 버퍼층;을 포함하는 발광소자 패키지
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제19 항에 있어서,상기 제1 버퍼층과 상기 제2 버퍼층 중 적어도 하나는 전도성 물질로 형성되는 발광소자 패키지
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