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기판;상기 기판 위에 형성되는 제 1 전극;상기 제 1 전극 위에 다수의 기능층이 적층되어 형성되는 반도체층;상기 반도체층 위에 형성되는 제 2 전극; 그리고,상기 반도체층의 기능층들 중에서, 서로 인접한 제 1, 제 2 기능층 사이의 영역들 중 적어도 어느 한 영역에 형성되고, 상기 제 1 기능층에서 제 2 기능층으로 향하는 두께 방향으로 격자 상수가 점차적으로 증가 또는 감소하는 중간층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 중간층의 격자 상수는 상기 제 1 기능층의 격자 상수에서 상기 제 2 기능층의 격자 상수로 점차적으로 증가 또는 감소하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 중간층은 상기 제 1, 제 2 기능층 중 어느 한 층에 포함된 원소를 포함하며, 상기 원소의 조성은 점차적으로 증가 또는 감소하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 중간층의 열팽창계수는 상기 제 1 기능층의 열팽창계수에서 상기 제 2 기능층의 열팽창계수로 점차적으로 증가 또는 감소하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체층은 질화갈륨 기판의 극성 (0001)면, 반극성면, 비극성 (1-100)면 중 어느 한 면 또는 그들 중 어느 한 면으로부터 0도 이상 5도 이하의 범위를 갖는 경사면으로부터 성장되는 층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체층의 기능층들은 제 1 콘택층, 제 1 클래드층, 제 1 광가이드층, 활성층, 제 2 광가이드층, 제 2 클래드층, 제 2 콘택층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제 6 항에 있어서, 상기 제 1 콘택층과 제 1 클래드층 사이, 상기 제 1 클래드층과 제 1 광가이드층 사이, 상기 제 1 광가이드층과 활성층 사이, 상기 활성층과 제 2 광가이드층 사이, 상기 제 2 광가이드층과 제 2 클래드층 사이, 상기 제 2 클래드층과 제 2 콘택층 사이의 영역들 중 적어도 어느 한 영역에 중간층이 형성되고, 상기 중간층은 서로 인접한 두 층의 격자 상수의 차이만큼 두께 방향으로 점차적으로 증가 또는 감소하는 격자 상수를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제 6 항에 있어서, 상기 제 1 콘택층과 제 1 클래드층 사이, 상기 제 1 클래드층과 제 1 광가이드층 사이, 상기 제 1 광가이드층과 활성층 사이, 상기 활성층과 제 2 광가이드층 사이, 상기 제 2 광가이드층과 제 2 클래드층 사이, 상기 제 2 클래드층과 제 2 콘택층 사이의 영역들 중 적어도 어느 한 영역에 중간층이 형성되고, 상기 중간층은 서로 인접한 두 층의 열팽창계수의 차이만큼 두께 방향으로 점차적으로 증가 또는 감소하는 열팽창계수를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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모재 기판을 준비하는 단계;상기 모재 기판 위에, 다수의 기능층들과, 격자 상수가 다른 두 기능층 사이에 두께 방향으로 격자 상수가 점차적으로 증가 또는 감소하는 중간층을 연속적으로 성장시켜 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층 위에 전극을 형성하는 단계; 그리고상기 모재 기판을 제거하고, 상기 전극이 형성된 반도체층을 소자 기판에 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 중간층 성장시, 상기 격자 상수가 다른 두 기능층의 성장 온도 차이만큼, 상기 성장 온도를 점차적으로 증가 또는 감소하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 중간층 성장시, 성장 속도는 0
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제 9 항에 있어서, 상기 중간층 성장시, 상기 격자 상수가 다른 두 기능층 중 어느 한 층에 포함된 원소의 조성을 점차적으로 증가 또는 감소하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 반도체층을 형성하는 단계는,상기 모재 기판 위에 제 1 콘택층을 성장시키고, 상기 제 1 콘택층 위에 상기 제 1 콘택층의 격자 상수로부터 점차적으로 격자 상수를 감소시켜 제 1 중간층을 연속적으로 성장시키는 단계;상기 제 1 중간층 위에 제 1 클래드층을 성장시키고, 상기 제 1 클래드층 위에 상기 제 1 클래드층의 격자 상수로부터 점차적으로 격자 상수를 증가시켜 제 2 중간층을 연속적으로 성장시키는 단계;상기 제 2 중간층 위에 제 1 광가이드층을 성장시키고, 상기 제 1 광가이드층 위에 상기 제 1 광가이드층보다 성장온도를 점차적으로 낮추면서 연속적으로 제 3 중간층을 성장시키는 단계;상기 제 3 중간층 위에 활성층을 성장시키고, 상기 활성층 위에 상기 활성층보다 성장온도를 점차적으로 높이면서 연속적으로 제 4 중간층을 성장시키는 단계;상기 제 4 중간층 위에 제 2 광가이드층을 성장시키고, 상기 제 2 광가이드층 위에 상기 제 2 광가이드층의 격자 상수로부터 점차적으로 격자 상수를 감소시켜 제 5 중간층을 연속적으로 성장시키는 단계;상기 제 5 중간층 위에 제 2 클래드층을 성장시키고, 상기 제 2 클래드층 위에 상기 제 2 클래드층의 격자 상수로부터 점차적으로 격자 상수를 증가시켜 제 6 중간층을 연속적으로 성장시키는 단계;상기 제 6 중간층 위에 제 2 콘택층을 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 제 2 광가이드층, 제 2 클래드층, 제 2 콘택층을 포함하는 제 2 반도체층의 성장온도는 상기 활성층의 성장온도보다 더 높고, 상기 1 콘택층, 제 1 클래드층, 제 1 광가이드층을 포함하는 제 1 반도체층의 성장온도보다 더 낮은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
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