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웨이퍼의 열처리시 웨이퍼를 밑면에서 지지하는 웨이퍼 지지 핀에 있어서,상기 웨이퍼와 접촉하는 선단부가 편평하거나 라운드 처리되어 있고,상기 선단부의 직경이 0
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제1항에 있어서,상기 선단부 아래쪽은 그 직경이 점점 커지는 테이퍼진(tapered) 형상을 가지며, 상기 테이퍼진 부분의 길이가 2~17 mm인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀
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제1항에 있어서,상기 선단부 표면의 곡률반경이 0
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제1항, 제3항 또는 제4항에 있어서,적어도 상기 선단부가 석영 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀
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제1항, 제3항 또는 제4항에 있어서,적어도 상기 선단부가 단결정 또는 다결정 실리콘 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀
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제6항에 있어서,상기 단결정 또는 다결정 실리콘에는 N 또는 C가 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀
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제1항, 제3항 또는 제4항에 있어서,적어도 상기 선단부가 SiC 또는 Si3N4로 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀
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웨이퍼의 열처리시 웨이퍼를 밑면에서 지지하는 웨이퍼 지지 핀을 제조하는 방법에 있어서,(a) 상기 웨이퍼 지지 핀을 구성하는 재료를 가공하여, 일단부가 테이퍼진 봉 형상으로서 상기 테이퍼진 일단부의 선단부가 편평하거나 라운드진 형상이 되고 상기 선단부의 직경이 0
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제9항에 있어서,상기 웨이퍼 지지 핀을 구성하는 재료가 석영인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 웨이퍼 지지 핀을 구성하는 재료가 단결정 또는 다결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 웨이퍼 지지 핀을 구성하는 재료에 N 또는 C가 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀 제조 방법
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제9항에 있어서,적어도 상기 선단부를 SiC 또는 Si3N4로 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀 제조 방법
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