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질화물계 레이저 다이오드의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015060279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로 특히, 질화물계 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 비극성 기판의 제1면 상에 질화물계 반도체 구조를 형성하는 단계; 상기 반도체 구조 상의 개별 소자를 정의하는 위치에 트렌치를 형성하는 단계; 상기 반도체 구조 상에 리지 구조를 형성하는 단계; 상기 리지 구조 상에 제1전극을 형성하는 단계; 상기 기판의 제2면 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01S 3/0941 (2006.01) H01S 5/00 (2006.01)
CPC H01S 5/0206(2013.01) H01S 5/0206(2013.01) H01S 5/0206(2013.01)
출원번호/일자 1020100007789 (2010.01.28)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0088059 (2011.08.03) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.01.09)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최윤호 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 방해철 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0059475-61
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-1253226-88
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0023202-10
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.09.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0056350-85
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0233988-73
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0476662-35
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.05.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0476655-15
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0646797-24
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-1075985-51
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.11.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1075984-16
13 등록결정서
Decision to grant
2017.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0227733-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
m-면 GaN 기판인 비극성 기판의 제1면 상에 질화물계 반도체 구조를 형성하는 단계;상기 반도체 구조 상의 개별 소자를 정의하는 위치에 상기 질화물계 반도체의 c-축 방향으로 상기 반도체 구조의 상면으로부터 상기 기판의 내측까지 형성되는 트렌치를 형성하는 단계;상기 반도체 구조 상에 상기 질화물계 반도체의 c-축 방향으로 리지 구조를 형성하는 단계;상기 리지 구조 상에 제1전극을 형성하는 단계;상기 기판의 제2면 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 트렌치를 형성하는 단계는, 상기 리지 구조를 형성하는 단계 이전에 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 트렌치는 식각에 의하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1항에 있어서, 상기 트렌치의 깊이는 0
9 9
제 1항에 있어서, 상기 트렌치는 상기 리지 구조로부터 100 ㎛ 이내의 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
10 10
제 1항에 있어서, 상기 반도체 구조를 개별 소자로 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.