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태양광이 입사하는 기판;상기 태양광이 입사하는 면의 반대쪽으로 상기 기판 위에 위치하는 제1 전극;상기 태양광이 입사하는 면의 반대쪽으로 상기 제1 전극 위에 위치하는 제2 전극;상기 제1 전극 및 제2 전극의 사이에 위치하는 적어도 하나의 광전 변환부; 및상기 광전 변환부와 제2 전극의 사이에 위치하는 후면 반사층을 포함하며,상기 후면 반사층은 700㎚ 이상의 파장을 갖는 태양광 성분에 대하여 400 cm-1 이하의 광 흡수계수를 갖는 1층의 도핑된 미세 결정 실리콘 산화물(μc-SiOx:H)로 이루어진 제1 반사막을 포함하고,상기 제1 반사막은 상기 적어도 하나의 광전 변환부 중에서 상기 제2 전극과 가장 인접한 광전 변환부의 표면에 직접 접촉하며, 상기 제2 전극과 가장 인접한 광전 변환부의 상기 표면 전체를 덮는 실리콘 박막 태양전지
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제2항에서,상기 광전 변환부는 상기 제1 전극 위에 위치하는 제1 광전 변환부 및 상기 제1 광전 변환부 위에 위치하는 제2 광전 변환부를 포함하는 실리콘 박막 태양전지
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제3항에서,상기 제1 광전 변환부와 제2 광전 변환부 사이에 중간 반사층이 위치하는 실리콘 박막 태양전지
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제4항에서,상기 중간 반사층은 도핑된 미세 결정 실리콘 산화물(μc-SiOx:H) 또는 도핑된 산화아연으로 이루어지는 실리콘 박막 태양전지
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제2항에서,상기 광전 변환부는 상기 제1 전극 위에 위치하는 제1 광전 변환부와, 상기 제1 광전 변환부 위에 위치하는 제2 광전 변환부 및 상기 제2 광전 변환부 위에 위치하는 제3 광전 변환부를 포함하는 실리콘 박막 태양전지
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제6항에서,상기 제1 광전 변환부 내지 제3 광전 변환부의 사이에는 적어도 하나의 중간 반사층이 위치하는 실리콘 박막 태양전지
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제7항에서,상기 중간 반사층은 도핑된 미세 결정 실리콘 산화물(μc-SiOx:H) 또는 도핑된 산화아연으로 이루어지는 실리콘 박막 태양전지
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제2항에서,상기 후면 반사층은 700㎚ 이상의 파장을 갖는 태양광 성분에 대하여 400 cm-1 이상의 광 흡수계수를 갖는 물질로 이루어진 제2 반사막을 더 포함하는 실리콘 박막 태양전지
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제9항에서,상기 제2 반사막은 상기 제1 반사막에 비해 전기 전도도가 높은 실리콘 박막 태양전지
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제9항에서,상기 제2 반사막은 도핑된 산화아연으로 이루어지는 실리콘 박막 태양전지
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제9항에서,상기 제2 반사막은 상기 제1 반사막 위에 위치하는 실리콘 박막 태양전지
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제9항에서,상기 광전 변환부는 상기 제1 전극 위에 위치하는 제1 광전 변환부 및 상기 제1 광전 변환부 위에 위치하는 제2 광전 변환부를 포함하는 실리콘 박막 태양전지
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제13항에서,상기 제1 광전 변환부와 제2 광전 변환부 사이에 중간 반사층이 위치하는 실리콘 박막 태양전지
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제14항에서,상기 중간 반사층은 도핑된 미세 결정 실리콘 산화물(μc-SiOx:H) 도는 도핑된 산화아연으로 이루어지는 실리콘 박막 태양전지
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제9항에서,상기 광전 변환부는 상기 제1 전극 위에 위치하는 제1 광전 변환부와, 상기 제1 광전 변환부 위에 위치하는 제2 광전 변환부 및 상기 제2 광전 변환부 위에 위치하는 제3 광전 변환부를 포함하는 실리콘 박막 태양전지
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제16항에서,상기 제1 광전 변환부 내지 제3 광전 변환부의 사이에는 적어도 하나의 중간 반사층이 위치하는 실리콘 박막 태양전지
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제17항에서,상기 중간 반사층은 도핑된 미세 결정 실리콘 산화물(μc-SiOx:H) 또는 도핑된 산화아연으로 이루어지는 실리콘 박막 태양전지
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