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n-형 질화물 반도체층을 포함하는 반도체 구조;상기 n-형 질화물 반도체층 상에 접촉하여 위치하고, Ti, Ta, Al, V, 및 Cr 중 적어도 어느 하나를 포함하는 오믹 금속층;상기 오믹 금속층 상에 위치하며, Sn 또는 In 중 적어도 하나를 포함하는 제1금속층; 및상기 제1금속층 상에 위치하고, Au를 포함하는 제2금속층을 포함하여 구성되고,상기 Sn 또는 In 중 적어도 하나를 포함하는 제1금속층은 상기 오믹 금속층과 제2금속층 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 제1금속층은 Sn 또는 In을 포함하는 다층막을 이루는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 오믹 금속층의 두께는 제1금속층보다 얇은 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 제1금속층은 반응억제물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자
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제 4항에 있어서, 상기 반응억제물질은 Al, Pt, Mo, Ti, 및 W 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자
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6
제 1항에 있어서, 상기 제1금속층의 두께는 5nm 이상인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자
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7
제 1항에 있어서, 상기 오믹 금속층은 상기 n-형 질화물 반도체층과 직접 접하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자
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8
삭제
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9
삭제
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10
청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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11
청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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12
제 1항에 있어서, 상기 제1금속층과 제2금속층 사이에는 확산방지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자
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13
제 12항에 있어서, 상기 확산방지층은 Ti, Pt, 및 Ni 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자
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14
n-형 질화물 반도체층을 포함하는 반도체 구조; 및상기 n-형 질화물 반도체층 상에 접촉하여 위치하고, Ti, Ta, Al, V, 및 Cr 중 적어도 어느 하나를 포함하는 오믹 금속층; 상기 오믹 금속층 상에 위치하며, Sn 또는 In 중 적어도 하나를 포함하는 제1금속층; 상기 제1금속층 상에 위치하고, Au를 포함하는 제2금속층; 및 상기 제1금속층과 제2금속층 사이에는 확산방지층을 포함하고, 상기 Sn 또는 In 중 적어도 하나를 포함하는 제1금속층은 상기 오믹 금속층과 확산방지층 사이에 위치하는 n-형 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
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