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상하 양면에 적층되는 금속층 사이에 폴리이미드 수지층이 적층되고, 폴리이미드 수지층의 한면 또는 양면에 열가소성 폴리이미드 수지층이 적층되며,상기 열가소성 폴리이미드 수지층의 유리전이온도가 270 내지 350℃이고, 선열팽창계수가 40 내지 70 ppm/K인 것을 특징으로 하는 양면 금속 적층판
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제1항에 있어서, 상기 열가소성 폴리이미드 수지층의 전구체가 되는 폴리아믹산의 디아민 성분으로서 2,2-비스(4-[4-아미노페녹시]-페닐)프로판을 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 금속 적층판
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제2항에 있어서, 상기 디아민 성분은 p-페닐렌 디아민, m-페닐렌 디아민, 4,4'-옥시디아닐린, 3,4'-옥시디아닐린, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노 비페닐, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 2,2-비스(4-[3-아미노페녹시]페닐)술폰, 4,4'-디아미노 벤즈아닐라이드, 및 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 금속 적층판
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제2항에 있어서, 상기 열가소성 폴리이미드 수지층의 전구체가 되는 폴리아믹산의 디안하이드라이드 성분으로서 피로멜리틱 디안하이드라이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 금속 적층판
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제5항에 있어서, 상기 디안하이드라이드 성분은 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실릭 디안하이드라이드, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실릭 디안하이드라이드, 4,4'-옥시디프탈릭 안하이드라이드, 4,4'-(4,4'-이소프로필리덴디페녹시)-비스-(프탈릭 안하이드라이드), 2,2'-비스-(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 디안하이드라이드, 에틸렌글리콜비스(안하이드로-트리멜리테이트), 3,4-3',4'-디페닐술폰 테트라카르복실릭 디안하이드라이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 양면 금속 적층판
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제1항에 있어서, 상기 금속층은 구리로 이루어진 것을 특징으로 하는 양면 금속 적층판
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(스텝 1) 상하 양면의 금속층 중 어느 하나의 금속층 위에 폴리이미드 수지층용 폴리아믹산 수지 용액을 도포하는 단계;(스텝 2) 폴리이미드 수지층용 폴리아믹산 수지 용액 도포면에 열가소성 폴리이미드 수지층용 폴리아믹산 수지 용액을 도포하는 단계;(스텝 3) 폴리아믹산 수지 용액을 건조 및 가열 경화시켜 폴리이미드 수지층 및 열가소성 폴리이미드 수지층을 형성하는 단계; 및(스텝 4) 열가소성 폴리이미드 수지층의 표면에 양면 금속층의 다른 하나의 금속층을 가열 압착하는 단계를 포함하는 양면 금속 적층판의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 폴리아믹산 수지 용액 가열 경화는 최고 온도 340 내지 370℃로 2 내지 60분간 진행하는 것을 특징으로 하는 양면 금속 적층판의 제조방법
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