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임베디드 인쇄회로기판 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015060496
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판에 내장되는 소자와 PCB 회로를 연결함에 있어, 레이저 가공시 정밀한 사이즈 조절과 가공 위치의 조절을 위한 임베디드 인쇄회로기판 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 범프 사이에 비아가 형성된 비아 범프를 사용함으로써 레이저 가공시 정밀한 사이즈의 조절이 가능하게 하고 가공 위치의 정밀도를 향상시켜 공정의 편의성과 효율을 높일 수 있게 된다.
Int. CL H05K 3/30 (2006.01) H05K 1/18 (2006.01)
CPC H05K 1/185(2013.01)H05K 1/185(2013.01)H05K 1/185(2013.01)H05K 1/185(2013.01)H05K 1/185(2013.01)
출원번호/일자 1020100013463 (2010.02.12)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1088030-0000 (2011.11.23)
공개번호/일자 10-2011-0093421 (2011.08.18) 문서열기
공고번호/일자 (20111130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.12)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이민석 대한민국 경기도 안산시 단원구
2 최재봉 대한민국 서울특별시 도봉구
3 이기용 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 유재현 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0097277-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0225870-79
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0488518-11
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0488521-59
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0672141-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소자가 매립된 임베디드 인쇄회로기판에 있어서,상기 소자가 매립되고 그 위에 회로가 형성된 절연층;상기 소자와 상기 회로와의 연결을 위해 형성된 제1 비아(Via);상기 소자와 상기 회로 사이에 위치하며 상기 제1 비아의 형성 위치에 대응하여 제2 비아를 갖는 비아 펌프; 및상기 제1 비아 내에 전기적 연결을 위해 형성된 도금층을 포함하는 것을 특징으로 하는 임베디드 인쇄회로기판
2 2
청구항 1에 있어서,상기 비아 범프는,중앙에 홀이 형성된 도넛 형태의 원통형인 것을 특징으로 하는 임베디드 인쇄회로기판
3 3
청구항 1에 있어서,상기 비아 범프는,전체적으로 중앙에 홀이 형성된 도넛 형태의 원통형이되 다수의 조각으로 분할되어 이격된 형태인 것을 특징으로 하는 임베디드 인쇄회로기판
4 4
청구항 1에 있어서,상기 비아 범프는,상기 중앙에 형성된 비아의 폭이 30 내지 40μm인 것을 특징으로 하는 임베디드 인쇄회로기판
5 5
청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,상기 비아 범프는,상기 중앙에 형성된 홀과 외측 원과의 최단 거리가 40 내지 50μm인 것을 특징으로 하는 임베디드 인쇄회로기판
6 6
청구항 1에 있어서,상기 비아 범프는,구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 은(Ag) 또는 팔라듐(Pd) 중 적어도 어느 하나로 1층 이상의 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 임베디드 인쇄회로기판
7 7
소자가 매립된 임베디드 인쇄회로기판의 제조방법에 있어서,(a) 캐리어인 동박적층판상에 회로를 위한 Cu층과 금속층을 순차적으로 형성하는 단계;(b) 상기 금속층을 패터닝함으로써, 상기 소자와 상기 회로와의 연결을 위한 제1 비아의 형성 위치에 대응하여 제2 비아(Via)를 갖는 비아 범프를 형성하는 단계;(c) 상기 비아 범프상에 소자를 접착하기 위하여 접착층을 형성하는 단계;(d) 상기 접착층을 통해 소자를 실장하고 상기 소자를 매립하는 내층 회로를 적층하는 단계;(e) 상기 캐리어인 동박적층판을 제거하고 상기 Cu층을 패터닝하여 회로를 형성 하는 단계;(f) 상기 비아 범프를 이용하여 레이저 가공을 통해 상기 제1 비아를 형성하는 단계; 및(g) 상기 제1 비아를 도금하여 상기 소자와 회로를 전기적으로 연결시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 소자가 매립된 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 (b)단계는,중앙에 홀이 형성된 도넛 형태의 원통형인 비아 범프를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 소자가 매립된 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법
9 9
청구항 7에 있어서,상기 (b)단계는,전체적으로 중앙에 홀이 형성된 도넛 형태의 원통형이되 다수의 조각으로 분할되어 이격된 형태의 비아 범프를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 소자가 매립된 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법
10 10
청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,상기 (b)단계는,상기 비아 범프의 중앙에 형성된 홀의 지름이 30 내지 40μm 가 되도록 상기 비아 범프를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 소자가 매립된 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법
11 11
청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,상기 (b)단계는,상기 비아 범프의 중앙에 형성된 홀과 외측 원의 최단 거리가 40 내지 50μm 가 되도록 상기 비아 범프를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 소자가 매립된 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법
12 12
청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,상기 (b)단계는,구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 은(Ag) 또는 팔라듐(Pd) 중 적어도 어느 하나로 1층 이상의 비아 범프를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 소자가 매립된 임베디드 인쇄회로기판의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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