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반극성면 기판을 준비하는 단계;상기 기판상에 제1 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 반도체층 상에 양자 우물 구조로 우물(well)과 장벽(barrier)이 서로 다른 물질로 형성되는 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층 상에 제2 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 질화물계 반도체 광전 소자 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 양자 우물 구조는,단일 양자 우물(Single Quantum Well) 구조와 다중 양자 우물(MQW) 구조 중 어느 하나인 질화물계 반도체 광전 소자 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 양자 우물 구조 내 장벽은,인듐(In)이 함유되지 않은 물질로 형성되는 질화물계 반도체 광전 소자 제조 방법
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 양자 우물 구조 내 장벽은,질화갈륨(GaN)으로 형성되는 질화물계 반도체 광전 소자 제조 방법
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 양자 우물 구조 내 장벽은,알루미늄질화갈륨(AlGaN)으로 형성되는 질화물계 반도체 광전 소자 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 양자 우물 구조 내 장벽은,30Å 내지 300Å 범위의 두께로 형성되는 질화물계 반도체 광전 소자 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 반극성면 기판은,(20-21)-면 질화갈륨(GaN) 기판인 질화물계 반도체 광전 소자 제조 방법
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반극성면 기판;상기 기판상에 형성되는 제1 반도체층;상기 제1 반도체층 상에 양자 우물 구조로 우물(well)과 장벽(barrier)이 서로 다른 물질로 형성되는 활성층; 및상기 활성층 상에 형성되는 제2 반도체층;을 포함하여 구성되는 질화물계 반도체 광전 소자 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 양자 우물 구조는,단일 양자 우물(SQW) 구조와 다중 양자 우물(MQW) 구조 중 어느 하나인 질화물계 반도체 광전 소자
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제9항에 있어서,상기 양자 우물 구조 내 장벽은,인듐(In)이 함유되지 않은 물질로 형성되는 질화물계 반도체 광전 소자
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제9항 또는 제10항에 있어서,상기 양자 우물 구조 내 장벽은,질화갈륨(GaN)으로 형성되는 질화물계 반도체 광전 소자
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제9항 또는 제10항에 있어서,상기 양자 우물 구조 내 장벽은,알루미늄질화갈륨(AlGaN)으로 형성되는 질화물계 반도체 광전 소자
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제8항에 있어서,상기 양자 우물 구조 내 장벽은,30Å 내지 300Å 범위의 두께로 형성되는 질화물계 반도체 광전 소자
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제8항에 있어서,상기 반극성면 기판은,(20-21)-면 질화갈륨(GaN) 기판인 질화물계 반도체 광전 소자
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