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광을 방출하는 발광 다이오드 칩; 및상기 발광 다이오드 칩의 바닥에 구비되고, 상기 발광 다이오드 칩으로부터 방출된 빛을 반사하는 반사면을 포함하여 이루어지고,여기서, 상기 반사면은 상기 발광 다이오드로부터 기설정된 거리에서 형성되어 수평면과 28
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 반사면의 수직 높이는 상기 발광 다이오드 칩의 높이의 0
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 반사면은 상기 발광 다이오드 칩으로부터 175 마이크로 미터의 거리에서 형성되고, 상기 거리는 5%의 공차를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 반사면은 수평 방향으로 175 마이크로 미터의 폭을 갖고, 상기 폭은 5%의 공차를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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5
제 1 항에 있어서,상기 제 2 반사면의 외곽에 형성된 수평 반사면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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제 5 항에 있어서,상기 수평 반사면은 95~105 마이크로 미터의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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광을 방출하는 발광 다이오드 칩;상기 발광 다이오드 칩의 바닥에 구비되고, 상기 발광 다이오드 칩으로부터 방출된 빛을 반사하는 반사면;상기 반사면 상에 구비되고, 상기 발광 다이오드 칩으로부터 기설정된 거리에 구비된 반사 유닛; 및상기 반사 유닛으로부터 이격되며 상기 반사면으로부터 각도를 갖고 형성된 경사면을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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8
제 7 항에 있어서,상기 반사 유닛은 상기 발광 다이오드 칩을 둘러싼 경사면으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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제 8 항에 있어서,상기 반사 유닛은 28
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10
제 7 항에 있어서,상기 반사 유닛은 상기 발광 다이오드 칩으로부터 47
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11
제 7 항에 있어서,상기 반사 유닛은 175 마이크로 미터의 폭을 갖고, 상기 폭은 5%의 공차를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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제 7 항에 있어서,상기 반사 유닛의 높이는 상기 발광 다이오드 칩의 높이의 0
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13
삭제
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제 7 항에 있어서,상기 경사면은 상기 반사면과 57~63도의 각도를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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15
제 7 항에 있어서,상기 경사면의 외곽에 형성된 수평부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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제 15 항에 있어서,상기 수평부는 95~105 마이크로 미터의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
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