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발광 다이오드 패키지

  • 기술번호 : KST2015060545
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요약 본 발명은 발광 다이오드 패키지의 반사면 구조에 관한 것이다.본 발명은 광을 방출하는 발광 다이오드 칩; 및 상기 발광 다이오드 칩의 바닥에 구비되고, 상기 발광 다이오드 칩으로부터 방출된 빛을 반사하는 반사면을 포함하여 이루어지고, 여기서, 상기 반사면은 상기 발광 다이오드로부터 기설정된 거리에서 형성되어 수평면과 28.5~31.5도의 각도를 갖는 제 1 반사면과, 상기 제 1 반사면에서 형성되어 수평면과 57~63도의 각도를 갖는 제 2 반사면을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.따라서, 발광 다이오드의 측면에서 방출된 빛이 2중 구조의 반사컵에 의하여 전면으로 반사되어 발광 다이오드의 광효율을 극대화할 수 있으며, 발광 다이오드 패키지의 반사면에 반사 유닛이 구비되어 초박형 백라이트 내의 발광 다이오드 패키지 내의 빛의 출사각을 조절할 수 있다.
Int. CL H01L 33/60 (2014.01)
CPC H01L 33/60(2013.01) H01L 33/60(2013.01)
출원번호/일자 1020100027687 (2010.03.29)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1134409-0000 (2012.04.02)
공개번호/일자 10-2011-0108480 (2011.10.06) 문서열기
공고번호/일자 (20120409) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.29)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김민상 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 장지원 대한민국 경기도 안양시 동안구
3 오남석 대한민국 경기도 안양시 동안구
4 강민수 대한민국 경기도 안양시 동안구
5 김태진 대한민국 경기도 안양시 동안구
6 윤여찬 대한민국 경기도 안양시 동안구
7 김두희 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0196619-74
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0208071-81
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0375463-28
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0694787-18
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0694788-53
6 등록결정서
Decision to grant
2012.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0158277-98
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광을 방출하는 발광 다이오드 칩; 및상기 발광 다이오드 칩의 바닥에 구비되고, 상기 발광 다이오드 칩으로부터 방출된 빛을 반사하는 반사면을 포함하여 이루어지고,여기서, 상기 반사면은 상기 발광 다이오드로부터 기설정된 거리에서 형성되어 수평면과 28
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 반사면의 수직 높이는 상기 발광 다이오드 칩의 높이의 0
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 1 반사면은 상기 발광 다이오드 칩으로부터 175 마이크로 미터의 거리에서 형성되고, 상기 거리는 5%의 공차를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 반사면은 수평 방향으로 175 마이크로 미터의 폭을 갖고, 상기 폭은 5%의 공차를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제 2 반사면의 외곽에 형성된 수평 반사면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
6 6
제 5 항에 있어서,상기 수평 반사면은 95~105 마이크로 미터의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
7 7
광을 방출하는 발광 다이오드 칩;상기 발광 다이오드 칩의 바닥에 구비되고, 상기 발광 다이오드 칩으로부터 방출된 빛을 반사하는 반사면;상기 반사면 상에 구비되고, 상기 발광 다이오드 칩으로부터 기설정된 거리에 구비된 반사 유닛; 및상기 반사 유닛으로부터 이격되며 상기 반사면으로부터 각도를 갖고 형성된 경사면을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
8 8
제 7 항에 있어서,상기 반사 유닛은 상기 발광 다이오드 칩을 둘러싼 경사면으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
9 9
제 8 항에 있어서,상기 반사 유닛은 28
10 10
제 7 항에 있어서,상기 반사 유닛은 상기 발광 다이오드 칩으로부터 47
11 11
제 7 항에 있어서,상기 반사 유닛은 175 마이크로 미터의 폭을 갖고, 상기 폭은 5%의 공차를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
12 12
제 7 항에 있어서,상기 반사 유닛의 높이는 상기 발광 다이오드 칩의 높이의 0
13 13
삭제
14 14
제 7 항에 있어서,상기 경사면은 상기 반사면과 57~63도의 각도를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
15 15
제 7 항에 있어서,상기 경사면의 외곽에 형성된 수평부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
16 16
제 15 항에 있어서,상기 수평부는 95~105 마이크로 미터의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.