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신규한 화합물 유도체 및 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기전기소자

  • 기술번호 : KST2015060580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 신규한 화합물 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자를 제공한다. 본 발명에 따른 유기전자소자는 효율, 구동전압 및 수명 면에서 우수한 특성을 나타낸다.
Int. CL C09K 11/06 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/0068(2013.01) H01L 51/0068(2013.01) H01L 51/0068(2013.01) H01L 51/0068(2013.01) H01L 51/0068(2013.01) H01L 51/0068(2013.01) H01L 51/0068(2013.01)
출원번호/일자 1020100024364 (2010.03.18)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1401847-0000 (2014.05.23)
공개번호/일자 10-2011-0105228 (2011.09.26) 문서열기
공고번호/일자 (20140529) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.28)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배재순 대한민국 대전광역시 서구
2 김지은 대한민국 대전광역시 유성구
3 김정곤 대한민국 대전광역시 유성구
4 이대웅 대한민국 대전광역시 중구
5 장혜영 대한민국 대전광역시 서구
6 김성소 대한민국 경기도 파주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정순성 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층 (역삼동, 타워***빌딩)(새온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0173193-32
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0603767-59
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0317030-88
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0142009-95
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0363441-21
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0464277-20
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0578819-62
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0665987-32
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0665984-06
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0833224-13
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.12.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-1203423-25
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-1203422-80
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0073693-21
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0195641-49
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0195640-04
16 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0346472-74
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 화합물:[화학식 1]상기 화학식 1 에 있어서R2는 수소이고,R3 및 R4는 페닐기이고, R1은 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되며, [화학식 2][화학식 3]상기 화학식 2 및 화학식 3에 있어서,L1은 직접결합이거나; C6-C40의 아릴기 및 C5-C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C2-C40의 알케닐렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-C40의 알킬기, C2-C40의 알케닐기, C1-C40의 알콕시기, C3-C40의 시클로알킬기, C3-C40의 헤테로시클로알킬기, C6-C40의 아릴기 및 C5-C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6-C40의 아릴렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-C40의 알킬기, C2-C40의 알케닐기, C1-C40의 알콕시기, C3-C40의 시클로알킬기, C3-C40의 헤테로시클로알킬기, C6-C40의 아릴기 및 C5-C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5-C40의 헤테로아릴렌기; 및 C1-C40의 알킬기, C2-C40의 알케닐기, C1-C40의 알콕시기, C3-C40의 시클로알킬기, C3-C40의 헤테로시클로알킬기, C6-C40의 아릴기 및 C5-C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6-C40의 아릴아미노기로 이루어진 군에서 선택되고, R5 및 R6은 서로 같거나 상이하고, 수소; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-C40의 알킬기, C2-C40의 알케닐기, C1-C40의 알콕시기, C3-C40의 시클로알킬기, C3-C40의 헤테로시클로알킬기, C6-C40의 아릴기 및 C5-C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C1-C40의 알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-C40의 알킬기, C2-C40의 알케닐기, C1-C40의 알콕시기, C3-C40의 시클로알킬기, C3-C40의 헤테로시클로알킬기, C6-C40의 아릴기 및 C5-C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3-C40의 시클로알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-C40의 알킬기, C2-C40의 알케닐기, C1-C40의 알콕시기, C3-C40의 시클로알킬기, C3-C40의 헤테로시클로알킬기, C6-C40의 아릴기 및 C5-C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3-C40의 알케닐기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-C40의 알킬기, C2-C40의 알케닐기, C1-C40의 알콕시기, C3-C40의 시클로알킬기, C3-C40의 헤테로시클로알킬기, C6-C40의 아릴기 및 C5-C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3-C40의 알콕시기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-C40의 알킬기, C2-C40의 알케닐기, C1-C40의 알콕시기, C3-C40의 시클로알킬기, C3-C40의 헤테로시클로알킬기, C6-C40의 아릴기 및 C5-C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3-C40의 아미노기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-C40의 알킬기, C2-C40의 알케닐기, C1-C40의 알콕시기, C3-C40의 시클로알킬기, C3-C40의 헤테로시클로알킬기, C6-C40의 아릴기 및 C5-C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6-C40의 아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1-C40의 알킬기, C2-C40의 알케닐기, C1-C40의 알콕시기, C3-C40의 시클로알킬기, C3-C40의 헤테로시클로알킬기, C6-C40의 아릴기 및 C5-C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5-C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기와 지방족, 방향족, 헤테로지방족 또는 헤테로방향족의 축합고리를 형성하거나 스피로 결합을 이룰 수 있으며,상기 화학식 1에서 n 은 1 내지 10 의 정수이다
2 2
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3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
하기 화학식 중 어느 하나인 것인 화합물:
6 6
제 1 전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기전자소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1 및 5 중 어느 한 항의 화합물을 포함하는 것인 유기전자소자
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 이 발광층이 상기 화합물을 포함하는 것인 유기전자소자
8 8
청구항 6에 있어서, 상기 유기물층은 전자수송층을 포함하고, 이 전자수송층이 상기 화합물을 포함하는 것인 유기전자소자
9 9
청구항 6에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층 및 정공수송층을 포함하고, 이 정공주입층 및 정공수송층이 상기 화합물을 포함하는 것인 유기전자소자
10 10
청구항 6 에 있어서, 상기 유기전자소자는 유기발광소자, 유기인광소자, 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 및 유기트랜지스터로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 유기전자소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.