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(0001)면이 노출되는 요철 표면을 갖는 기판;상기 기판 위에 형성되고, 상기 요철 표면을 갖는 제 1 클래드층;상기 제 1 클래드층 위에 형성되고, 상기 요철 표면을 갖는 활성층; 그리고,상기 활성층 위에 형성되고, 상기 요철 표면을 갖는 제 2 클래층을 포함하여 구성되고,상기 기판의 요철 표면은, 외부에 노출되고, 서로 길이가 다른 두 변이 한 점에서 만나는 단면을 가지며,상기 외부에 노출되는 두 변 중, 길이가 더 긴 변을 갖는 표면은, (0001)면이고,상기 (0001)면은, 상기 외부에 노출되는 요철 표면의 전체 면적 중, 가장 넓은 면적을 차지하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 (0001)면이 노출되는 요철 표면을 갖는 반극성 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 평탄한 표면을 갖는 무극성 혹은 반극성 사파이어 기판과, (0001)면이 노출되는 요철 표면을 갖는 질화물 박막층이 순차적으로 적층된 2층 구조의 기판인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제 3 항에 있어서, 상기 질화물 박막층은 무극성 혹은 반극성의 AlGaInN 박막인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 요철 표면의 단면은 서로 길이가 다른 두 변이 한 점에서 만나서 외부에 노출되고, 두 변 사이의 각이 90도 보다 작은 예각을 가지는 톱니 형상인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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기판을 준비하는 단계;상기 기판의 표면을 패터닝하여, (0001)면이 노출되는 요철 표면을 형성하는 단계; 그리고,상기 요철 표면을 갖는 기판 위에 제 1 클래드층, 활성층, 제 2 클래드층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하여 이루어지고,상기 기판의 요철 표면은, 외부에 노출되고, 서로 길이가 다른 두 변이 한 점에서 만나는 단면을 가지며,상기 외부에 노출되는 두 변 중, 길이가 더 긴 변을 갖는 표면은, (0001)면이고,상기 (0001)면은, 상기 외부에 노출되는 요철 표면의 전체 면적 중, 가장 넓은 면적을 차지하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 기판을 준비하는 단계에서, 상기 기판은 단일층의 반극성 사파이어 기판으로 이루어지거나, 또는 무극성 혹은 반극성 사파이어 기판과 질화물 박막층이 순차적으로 적층된 2층 구조의 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 (0001)면이 노출되는 요철 표면을 형성하는 단계는,상기 기판 위에 마스크층을 형성하는 단계;상기 마스크층을 패터닝하여, 소정영역의 기판을 노출시키는 단계;상기 마스크층을 마스크로 상기 노출된 기판을 소정 깊이로 식각하는 단계;상기 남아 있는 마스크층을 제거하여 상기 기판에 (0001)면이 노출되는 요철 표면을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 마스크층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, Cr, Ni 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 기판의 식각은 식각 빔을 상기 노출된 기판 표면에 대해 소정 각도의 기울기를 갖도록 비스듬하게 조사하여 식각하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
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