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제 1 영역과, 복수의 돌출부들을 갖는 제 2 영역을 포함하는 기판;상기 기판의 제 2 영역 위에 형성되는 제 1 전극;상기 기판의 제 1 영역 위에 형성되고, 다수의 기능층이 적층되는 반도체층; 그리고,상기 반도체층 위에 형성되는 제 2 전극을 포함하여 구성되고,상기 돌출부의 단면은, 상부면보다 하부면의 면적이 더 넓은 사다리꼴 형상으로 형성되고,상기 돌출부의 상부면은, m-면이고, 상기 돌출부의 측면은, c-면 또는 a-면이며,상기 돌출부의 상부면인 m-면에는, 산화막이 접촉되어 형성되고,상기 돌출부의 측면인 c-면 또는 a-면에는, 상기 제 1 전극이 접촉되어 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 비극성 m-면인 질화갈륨 기판인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 기판의 제 1 영역과 제 2 영역은 서로 마주보도록 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 기판의 돌출부는 스트라이프 타입으로 형성되고, 상기 돌출부의 길이 방향은 상기 기판의 a-면 방향이며, 상기 돌출부의 폭 방향에 위치하는 측면은 기판의 c-면이고, 상기 돌출부의 상부면과 서로 인접한 돌출부 사이의 표면은 m-면인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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5
제 1 항에 있어서, 상기 기판의 돌출부는 스트라이프 타입으로 형성되고, 상기 돌출부의 길이 방향은 상기 기판의 c-면 방향이며, 상기 돌출부의 폭 방향에 위치하는 측면은 기판의 a-면이고, 상기 돌출부의 상부면과 서로 인접한 돌출부 사이의 표면은 m-면인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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6
제 1 항에 있어서, 상기 기판의 돌출부는 상부면과 하부면 사이의 높이가 0
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제 1 항에 있어서, 상기 복수의 돌출부들 중, 서로 인접한 돌출부 사이의 간격은 0
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제 1 항에 있어서, 상기 돌출부의 하부면과 측면 사이의 경사각은 10 - 80도 인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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10
반도체층이 형성된 기판을 연마하는 단계;상기 연마된 기판을 패터닝하여 상기 기판의 c-면 또는 a-면이 노출되도록 복수의 돌출부들을 형성하는 단계; 그리고,상기 돌출부가 형성된 기판 위에 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지고,상기 복수의 돌출부들을 형성하는 단계는,상기 연마된 기판 위에 산화막을 형성하는 단계;상기 산화막 위에 포토레지스트를 형성하고, 패터닝하여 소정 영역의 산화막을 노출시키는 단계;상기 포토레지스트를 마스크로 상기 노출된 산화막을 제거하여 상기 기판을 노출시키는 단계;상기 포토레지스트를 제거하고, 상기 산화막을 마스크로 상기 노출된 기판을 소정 깊이로 식각하여 상기 기판의 c-면 또는 a-면이 노출되는 복수의 돌출부들을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며,상기 돌출부의 단면은, 상부면보다 하부면의 면적이 더 넓은 사다리꼴 형상으로 형성되고,상기 돌출부의 상부면은, m-면이고, 상기 돌출부의 측면은, c-면 또는 a-면이며,상기 돌출부의 상부면인 m-면에는, 산화막이 접촉되어 형성되고,상기 돌출부의 측면인 c-면 또는 a-면에는, 상기 전극이 접촉되어 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 기판의 식각은 건식식각 공정과 플라즈마 처리공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
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