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r면 기판을 준비하는 단계;상기 r면 기판 위에 a면 버퍼층을 형성하는 단계;상기 a면 버퍼층 위에, 다수의 핵생성 사이트를 갖는 a면 반도체 결정 섬들을 형성하는 단계; 그리고,상기 다수의 a면 반도체 결정 섬들을 서로 융합시켜, 상기 a면 버퍼층 위에 a면 반도체층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지고,상기 a면 버퍼층은, 표면 위에 다수의 원주들이 형성되고,상기 다수의 핵생성 사이트들은, 상기 a면 버퍼층의 원주 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 r면 사파이어이고, 상기 a면 반도체층은 a면 질화갈륨이며, 상기 a면 버퍼층은 a면 ZnO인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 a면 버퍼층의 두께는 10 - 2000Å인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 a면 버퍼층의 표면 거칠기는 1 - 100nm인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 a면 버퍼층은 상기 r면 기판 위에서 3원계 또는 4원계로 성장하고, 상기 성장시, 화학적 조성은 Zn1-xMg1-yCd1-zO (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1)인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 a면 반도체층은 상기 a면 버퍼층 위에서 3원계 또는 4원계로 성장하고, 상기 성장시, 화학적 조성은 Al1-xIn1-yGa1-zN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1)인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 1 항에 있어서, r면 기판의 오프 각도(off angle)는 +/- 1도인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 a면 버퍼층과 상기 a면 반도체층과의 격자상수 차이는 0 - 0
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제 1 항에 있어서, 상기 a면 버퍼층과 상기 a면 반도체층의 결정 구조는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 a면 버퍼층은 CVD(chemical vapor deposition)법, PVD(physical vapor deposition)법, PLD(pulsed laser deposition)법, MBE(molecular beam epitaxy)법 중 어느 한 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막 성장 방법
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