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복수의 블럭으로 구획되며 데이터 기록이 가능한 블럭은 기록 블럭으로 설정되고, 데이터가 기록된 유효 블럭에는 호스트의 논리 어드레스가 마련되는 메모리 모듈; 및상기 기록 블럭들 중 적어도 하나는 데이터 기록을 수행하는 액티브 블럭으로 활성화하며, 상기 데이터 기록 중 전원 오류가 발생 시, 상기 기록 블럭 중 데이터가 존재하는 기록 블럭을 조회하여 매핑 테이블을 갱신하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치
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제1항에 있어서,상기 액티브 블럭은,상기 기록 블럭들 중 상기 데이터 기록에 소요되는 개수의 기록 블럭이 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치
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제2항에 있어서,상기 액티브 블럭은,상기 기록 블럭들 중 마모도 값의 크기를 참조하여 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치
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제1항에 있어서,상기 제어부는,상기 메모리 모듈에 형성되는 복수의 블럭을,데이터가 기록된 상태의 유효 블럭, 삭제 대상의 무효 블럭, 데이터가 삭제된 삭제 블럭, 삭제 블럭 중 데이터 기록이 가능한 기록 블럭, 및 데이터 기록을 위해 활성화된 액티브 블럭 중 어느 하나로 설정하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치
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제1항에 있어서,상기 기록 블럭은,상기 삭제 블럭들의 마모도를 참조하여 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치
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제1항에 있어서,상기 제어부는,상기 전원 오류가 발생 시, 상기 메모리 모듈을 구성하는 블럭들 중 상기 기록 블럭들을 조회하여 데이터의 존재 여부를 판단하며, 판단결과, 데이터가 존재할 때, 상기 데이터에 대한 호스트 논리 주소를 매핑 테이블 측 논리주소와 비교하여 상기 매핑 테이블의 메타 정보(meta data)를 갱신하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치
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제1항에 있어서,상기 제어부는,상기 기록 블럭의 개수가 미리 정해진 개수를 초과할 때, 상기 기록 블럭을 상기 매핑 테이블에 등록하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치
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8
메모리 모듈을 구성하는 복수의 블럭들 중 데이터 기록이 가능한 블럭을 기록 블럭으로 설정하는 단계;호스트의 데이터 기록을 위해 상기 기록 블럭들 중 적어도 하나를 액티브 블럭으로 활성화하는 단계;상기 데이터 기록 중 전원 오류 발생 시, 상기 기록 블럭들 중 데이터가 존재하는 블럭을 조회하여 매핑 테이블을 갱신하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 데이터 제어방법
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제8항에 있어서,상기 기록 블럭의 개수가 미리 정해진 기준 개수를 초과 시, 상기 기록 블럭에 대한 정보를 상기 매핑 테이블에 등록하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 데이터 제어방법
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제8항에 있어서,상기 기록 블럭은,상기 삭제 블럭들 중에서 마모도가 적은 순서로 선택하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 데이터 제어방법
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제8항에 있어서,상기 액티브 블럭은,상기 기록 블럭들 중 마모도가 적은 순서로 선택하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 데이터 제어방법
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