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질화물 반도체 소자 제조방법

기술번호 : KST2015060661
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	비극성 질화물 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로, 비극성 (1-100)면 기판을 준비하는 단계와, 003c#±11-20003e#의 a 방향과 003c#±0001003e#의 c 방향이 수직을 이루는 방향성 성장 인자를 조절하여, 기판 위에 제 1 반도체층을 형성하는 단계와, 제 1 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계와, 003c#±11-20003e#의 a 방향과 003c#±0001003e#의 c 방향이 수직을 이루는 방향성 성장 인자를 조절하여, 활성층 위에 제 2 반도체층을 형성하는 단계와, 제 1, 제 2 반도체층 위에 각각 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.
Int. CL	H01S 3/0941 (2006.01) H01S 5/00 (2006.01)
CPC	H01S 5/1053(2013.01) H01S 5/1053(2013.01) H01S 5/1053(2013.01)
출원번호/일자	1020100016612 (2010.02.24)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2011-0097006 (2011.08.31) 문서열기
공고번호/일자	문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2015.01.09)
심사청구항수	9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	전기성	대한민국	서울특별시 서초구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김용인	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2	방해철	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사		서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2010.02.24	수리 (Accepted)	1-1-2010-0120667-41
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2014.12.23	수리 (Accepted)	1-1-2014-1253295-17
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2015.01.09	수리 (Accepted)	1-1-2015-0023204-12
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
5	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2015.07.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2015.09.10	수리 (Accepted)	9-1-2015-0056241-17
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2016.03.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0238639-15
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2016.05.02	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-0423533-23
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2016.05.02	수리 (Accepted)	1-1-2016-0423540-43
10	최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal	2016.09.09	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0652255-97
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2016.10.10	수리 (Accepted)	1-1-2016-0976286-65
12	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2016.10.10	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2016-0976285-19
13	등록결정서 Decision to grant	2017.03.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0227732-41
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 비극성 (1-100)면 기판을 준비하는 단계;003c#±11-20003e#의 a 방향과 003c#±0001003e#의 c 방향이 수직을 이루는 방향성 성장 인자를 조절하여, 상기 기판 위에 제 1 반도체층을 형성하는 단계;상기 제 1 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계;003c#±11-20003e#의 a 방향과 003c#±0001003e#의 c 방향이 수직을 이루는 방향성 성장 인자를 조절하여, 상기 활성층 위에 제 2 반도체층을 형성하는 단계; 그리고,상기 제 1, 제 2 반도체층 위에 각각 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지고,상기 제 1, 제 2 반도체층의 표면 위에는, 다수의 피라미드 형상들이 형성되고,상기 피라미드 형상을 형성할 때,상기 003c#±11-20003e#의 a 방향으로의 성장 속도를 조절하여 상기 피라미드 형상의 길이를 조정하고,상기 003c#±0001003e#의 c 방향으로의 성장 속도를 조절하여 상기 피라미드 형상의 높이를 조정하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 반도체층의 성장 온도는 800 - 1200도인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 반도체층을 형성하는 단계는,003c#±11-20003e#의 a 방향과 003c#±0001003e#의 c 방향이 수직을 이루는 방향성 성장 인자를 조절하여, 상기 기판 위에 제 1 콘택층, 제 1 클래드층, 및 제 1 광가이드층을 순차적으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
4	4 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 콘택층은 0
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층을 형성하는 단계는,003c#±11-20003e#의 a 방향과 003c#±0001003e#의 c 방향이 수직을 이루는 방향성 성장 인자를 조절하여, 상기 활성층 위에 제 2 광가이드층, 제 2 클래드층, 및 제 2 콘택층을 순차적으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
6	6 제 5 항에 있어서, 상기 제 2 콘택층은 100Å - 1um인 두께를 가지고, 1e17/cm3 - 5e21/cm3 범위의 농도를 갖는 p형 불순물이 도프되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 반도체층은 표면이 연속적인 피라미드 형상을 유지하면서 성장하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
8	8 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 질화갈륨 기판이고, 비극성 (1-100)면에 대해 0도 이상 2도 이하의 범위를 갖는 경사면을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
9	9 제 8 항에 있어서, 상기 기판의 비극성 (1-100)면에 대해 0도 이상 2도 이하의 범위를 갖는 경사면으로부터 성장되는 제 1, 제 2 반도체층은 850 - 1100도의 온도 범위에서 성장되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2010.02.24	수리 (Accepted)	1-1-2010-0120667-41
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2014.12.23	수리 (Accepted)	1-1-2014-1253295-17
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2015.01.09	수리 (Accepted)	1-1-2015-0023204-12
4	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
5	선행기술조사의뢰서	2015.07.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	선행기술조사보고서	2015.09.10	수리 (Accepted)	9-1-2015-0056241-17
7	의견제출통지서	2016.03.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0238639-15
8	[명세서등 보정]보정서	2016.05.02	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-0423533-23
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2016.05.02	수리 (Accepted)	1-1-2016-0423540-43
10	최후의견제출통지서	2016.09.09	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0652255-97
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2016.10.10	수리 (Accepted)	1-1-2016-0976286-65
12	[명세서등 보정]보정서	2016.10.10	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2016-0976285-19
13	등록결정서	2017.03.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0227732-41
14	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015060661
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	질화물 반도체 소자 제조방법
기술개요	비극성 질화물 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로, 비극성 (1-100)면 기판을 준비하는 단계와, 003c#±11-20003e#의 a 방향과 003c#±0001003e#의 c 방향이 수직을 이루는 방향성 성장 인자를 조절하여, 기판 위에 제 1 반도체층을 형성하는 단계와, 제 1 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계와, 003c#±11-20003e#의 a 방향과 003c#±0001003e#의 c 방향이 수직을 이루는 방향성 성장 인자를 조절하여, 활성층 위에 제 2 반도체층을 형성하는 단계와, 제 1, 제 2 반도체층 위에 각각 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

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