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기판 위에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층 위에 마스크층을 형성하고, 상기 마스크층을 패터닝하여 상기 반도체층의 일부가 노출되도록 적어도 하나의 윈도우(window)를 형성하는 단계;상기 노출된 반도체층을 식각하여, 상기 윈도우를 중심으로 상기 마스크층의 하부면 및 기판 일부를 노출시키는 단계;상기 노출된 마스크층의 하부면을 따라, 상기 식각된 반도체층으로부터 상기 윈도우 방향으로 상기 반도체층을 수평 성장시키는 단계; 그리고,상기 수평 성장된 반도체층을 상기 윈도우 및 상기 마스크층 상부로 수직 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지고,상기 반도체층은, GaN 반도체층이며,상기 GaN 반도체층의 식각 시, 상기 GaN 반도체층의 N-분극면을 가지는 [000-1] 방향의 식각 속도를, 상기 GaN 반도체층의 Ga 분극면을 가지는 [0001] 방향의 식각 속도보다 더 빠르게 조정하고,상기 GaN 반도체층의 수평 성장 시, 상기 GaN 반도체층의 N-분극면을 가지는 [000-1] 방향의 수평 성장 속도를, 상기 GaN 반도체층의 Ga 분극면을 가지는 [0001] 방향의 수평 성장 속도보다 더 느리게 조정하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 반도체, 금속, 절연체 중 어느 하나인 비정질, 단결정, 다결정으로부터 선택되는 어느 한 물질로 이루어지거나 또는 무분극 및 반분극 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체층은 상기 기판과 다른 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 마스크층은 절연막 또는 금속막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 절연막은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막이고, 상기 금속막은 텅스텐인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 마스크층의 윈도우는 스트라이프(stripe), 삼각형, 원형, 다각형 또는 그들의 혼합된 혼합 형태로 이루어지거나 또는 무분극 방향의 스트라이프 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체층의 식각 단계와 성장 단계는 동일한 반응관 내부에서 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체층의 식각은 상기 마스크층의 하부가 노출되는 수평 식각이고, 상기 수평 식각의 깊이는 상기 반도체층 두께의 수배 - 수십배인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체층의 식각 속도는 상기 윈도우의 중심에서 주변부로 향하는 방향 중 적어도 어느 한 방향이 나머지 방향보다 더 빠른 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체층의 식각 이후, 상기 식각된 반도체층의 표면 처리를 더 수행하는 것을 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체층의 성장 단계에서, 상기 반도체층의 성장 단면은 수직하거나 또는 경사면을 가지고, 서로 다른 방향으로부터 수평 성장된 반도체층의 단면이 만나 공극(void)을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체층의 성장 속도는 상기 식각된 반도체층으로부터 상기 윈도우의 중심으로 향하는 방향 중 적어도 어느 한 방향이 나머지 방향보다 더 빠른 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막 성장 방법
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