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기판;상기 기판 위에 형성되는 제 1 반도체층;상기 제 1 반도체층 위에 형성되는 활성층;상기 활성층 위에 형성되고, 소정영역에 리지(ridge)가 형성되며, 상기 리지의 일측 영역에 벽개면 유도 구조물이 형성되는 제 2 반도체층; 그리고,상기 리지 위에 형성되는 전극을 포함하여 구성되고,상기 리지의 상부면은 리지 표면 일부가 노출되도록 윈도우(window)가 형성되고, 상기 벽개면 유도 구조물은 윈도우와 동일한 선상에 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 벽개면 유도 구조물은 상기 리지의 높이와 동일한 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 벽개면 유도 구조물은 상기 제 2 반도체층 상부면 중 벽개면에 인접한 영역 위에 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 벽개면 유도 구조물은 상부면적이 벽개면 방향으로 갈수록 좁아지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제 4 항에 있어서, 상기 벽개면 유도 구조물은,상기 벽개면과 동일한 표면 상에 위치하는 제 1 측면;상기 제 1 측면과 서로 마주보며 평행한 제 2 측면;상기 제 1, 제 2 측면에 대해 수직하고, 상기 제 1, 제 2 측면과 연결되는 제 3 측면;상기 제 3 측면과 서로 마주보며, 상기 제 2 측면에서 제 1 측면 방향으로 갈수록 상기 제 3 측면과의 간격이 점점 좁아지도록 상기 제 1, 제 2 측면과 연결되는 제 4 측면을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 벽개면 유도 구조물은 상기 리지와 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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7
제 1 항에 있어서, 상기 벽개면 유도 구조물의 상부에는 절연막 또는 금속막이 형성되는 것을 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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8
제 1 항에 있어서, 상기 벽개면 유도 구조물은 적어도 하나의 리지당 하나씩 배치되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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삭제
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기판 위에 제 1 반도체층, 활성층, 제 2 반도체층을 포함하는 에피층을 형성하는 단계;상기 에피층의 리지영역과 벽개면 유도 구조물 영역에 금속 전극을 형성하는 단계;상기 금속 전극을 마스크로 상기 에피층을 소정 깊이로 식각하여 리지와 벽개면 유도 구조물을 형성하는 단계;상기 리지 및 벽개면 유도 구조물을 포함한 상기 에피층 전면에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막을 식각하여 상기 리지 및 벽개면 유도 구조물 위에 형성된 금속 전극을 노출시키는 단계;상기 금속 전극을 식각하여 상기 리지의 일부가 노출되는 윈도우(window)를 형성하고, 상기 벽개면 유도 구조물을 노출시키는 단계; 그리고,상기 벽개면 유도 구조물을 따라, 절단 공정을 수행하여 벽개면을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 벽개면 형성 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 금속 전극을 마스크로 상기 에피층을 소정 깊이로 식각하여 리지와 벽개면 유도 구조물을 형성하는 단계에서,상기 벽개면 유도 구조물과 상기 리지 형성을 위한 식각 깊이는 동일한 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 벽개면 형성 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 벽개면 유도 구조물은 상기 리지의 일측에 소정간격 떨어져 형성되고, 상기 윈도우와 동일 선상에 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 벽개면 형성 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 벽개면 유도 구조물의 상부면은 정삼각형, 이등변삼각형, 직각삼각형, 둔각삼각형 중 어느 하나이거나, 또는 이들로부터 선택된 2개의 삼각형이 서로 마주보는 형상인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 벽개면 형성 방법
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