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발광소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지

  • 기술번호 : KST2015060738
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  • 전화번호 :
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시 예에 따른 발광소자는, 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 복수의 발광 구조물; 상기 복수의 발광 구조물 중 적어도 하나의 발광 구조물 위에 형광체층; 상기 복수의 발광 구조물에 공통으로 연결된 제1전극 부재; 및 상기 각 발광 구조물 위에 제2전극을 포함한다.
Int. CL H01L 33/50 (2014.01) H01L 33/48 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100027487 (2010.03.26)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1039974-0000 (2011.06.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110609) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.31)
심사청구항수 31

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장기연 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0195253-99
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0566219-48
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0566218-03
4 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2010.09.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2010.09.09 수리 (Accepted) 9-1-2010-0054779-27
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0441221-34
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0728698-49
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0728699-95
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0045252-06
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0202126-09
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0202125-53
12 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0274941-50
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 복수의 발광 구조물; 상기 복수의 발광 구조물 중 적어도 하나의 발광 구조물 위에 형광체층; 상기 복수의 발광 구조물에 공통으로 연결된 제1전극 부재; 및상기 각 발광 구조물 위에 제2전극을 포함하는 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 형광체층은 상기 복수의 발광 구조물 위에 형성된 복수의 형광체층을 포함하는 발광소자
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 형광체층은 상기 형광체층의 상부에 형성된 다수의 홀; 및 상기 다수의 홀에 임베디드되는 형광체 입자를 포함하는 발광소자
4 4
제3항에 있어서,상기 형광체층의 홀은, 구 또는 다각형 형태로 형성되는 발광소자
5 5
제3항에 있어서, 상기 형광체 입자는 구, 다각형, 뿔, 뿔대, 기둥 형상 중 적어도 어느 하나의 형태로 형성되는 발광소자
6 6
제3항에 있어서, 상기 형광체 입자는 적어도 한 종류의 형광체와 상기 형광체를 커버하는 수지를 포함하는 발광소자
7 7
제3항에 있어서, 상기 발광 구조물은 상기 형광체층 아래에 제2도전형 반도체층이 배치되며,상기 제2도전형 반도체층은 p형 반도체층인 발광소자
8 8
제7항에 있어서, 상기 제1전극 부재는 상기 제1도전형 반도체층에 전기적으로 연결되며, 상기 제1도전형 반도체층 위에 상기 활성층 및 상기 제2도전형 반도체층이 복수로 분할된 발광소자
9 9
제3항에 있어서, 상기 발광 구조물은 상기 형광체층 아래에 제1도전형 반도체층이 배치되고, 상기 제1도전형 반도체층은 n형 반도체층인 발광소자
10 10
제9항에 있어서, 상기 제1전극 부재는 상기 제2도전형 반도체층 아래에 배치된 반사 물질을 포함하는 전극층을 포함하며, 상기 제1전극 부재 위에 상기 제2도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제1도전형 반도체층이 분할되어 배치되는 발광소자
11 11
제1항에 있어서, 상기 발광 구조물은 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층의 순으로 배치되며, 상기 제2도전형 반도체층 위에 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층을 포함하는 발광소자
12 12
제3항에 있어서, 상기 형광체층은 적색 형광체, 녹색 형광체, 청색 형광체, 황색 형광체 중 하나 또는 이종 형광체를 포함하며,상기 형광체 입자의 직경은 3~100㎛인 발광소자
13 13
제6항에 있어서, 상기 수지는, 상기 형광체를 커버하는 실리콘 및 에폭시 수지 중 하나 이상을 포함하는 발광소자
14 14
제3항에 있어서, 상기 복수의 발광 구조물은 적색, 녹색, 청색, 시안(cyan), UV의 광 중 하나 이상을 발광하는 발광소자
15 15
제3항에 있어서, 상기 복수의 발광 구조물은 적색, 녹색, 청색의 광 중 적어도 하나를 발광하는 적어도 2개의 발광 구조물을 포함하는 발광소자
16 16
반사 물질을 갖는 전극층을 포함하는 제2전극 부재;상기 제2전극 부재 위에, 제2도전형 반도체층, 제1도전형 반도체층, 상기 제1 및 제2도전형 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 복수의 발광 구조물;상기 복수의 발광 구조물의 최상층 반도체층 중 적어도 하나에 형성된 다수의 홀 및 상기 홀에 임베디드된 형광체 입자를 포함하는 형광체층; 및상기 복수의 발광 구조물 각각에 형성된 제1전극을 포함하는 발광 소자
17 17
제16항에 있어서, 상기 제2전극 부재는 상기 복수의 발광 구조물의 제2도전형 반도체층에 오믹 접촉된 오믹층, 및 상기 오믹층 아래에 반사층을 포함하는 발광 소자
18 18
제16항에 있어서, 상기 제2전극 부재 아래에 전도성 지지부재를 포함하는 발광 소자
19 19
제16항에 있어서, 상기 형광체층은 상기 복수의 발광 구조물 위에 배치된 복수의 형광체층을 포함하는 발광 소자
20 20
제19항에 있어서, 상기 복수의 발광 구조물은 적색, 녹색, 청색, 시안(cyan), UV의 광 중 하나 이상을 발광하며,상기 복수의 형광체층은 상기 복수의 발광 구조물로부터 방출된 광과 다른 광을 발광하며, 적색, 청색, 녹색, 황색의 광 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자
21 21
제16항에 있어서, 상기 복수의 발광 구조물의 최상층 반도체층은 n형 반도체층인 발광 소자
22 22
기판상에 제1도전형 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1도전형 반도체층 상에 분리된 제1내지 제3발광 구조물을 형성하는 단계; 및상기 제1내지 제3발광 구조물 중, 적어도 어느 한 층 위에 형광체층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 형광체층을 형성하는 단계는, 상기 형광체층의 상부에 다수의 홀을 형성하는 단계; 및 상기 다수의 홀에 형광체 입자를 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
23 23
제22항에 있어서,상기 제1도전형 반도체층 상에 분리된 제1내지 제3발광 구조물을 형성하는 단계는,상기 제1도전형 반도체층 상에 복수의 활성층을 형성하는 단계;상기 복수의 활성층 상에 복수의 제2도전형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
24 24
제23항에 있어서, 상기 제2도전형 반도체층은 n형 반도체층 또는 p형 반도체층을 포함하며,상기 복수의 제2도전형 반도체층 위에 상기 형광체층이 각각 배치되는 발광소자의 제조방법
25 25
제22항에 있어서,상기 형광체층의 다수개의 홀을 형성하는 단계는,RIE(Reactive Ion Etching) 방식, Wet Etching 방식, 나노 임프린트 방식, 테이프 접착방식 중 어느 하나를 이용하여 상기 홀을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
26 26
제22항에 있어서,상기 홀은 구, 다각형, 뿔, 뿔대, 기둥 중 적어도 어느 하나의 형태를 포함하는 발광소자의 제조방법
27 27
제26항에 있어서,상기 홀에 상기 형광체 입자를 도포하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
28 28
제26항에 있어서,상기 형광체 입자를 형성하는 단계는, 형광체와 수지를 혼합하여 상기 홀에 대응되는 형태로 경화시키는 발광소자의 제조방법
29 29
제22항에 있어서,상기 형광체 입자는 적색 형광체, 녹색 형광체, 청색 형광체, 황색 형광체 중 하나 이상을 포함하는 발광소자의 제조방법
30 30
몸체;상기 몸체 위에 복수의 리드 전극; 및상기 복수의 리드 전극에 전기적으로 연결된 발광 소자를 포함하며,상기 발광 소자는, 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 복수의 발광 구조물; 상기 복수의 발광 구조물 중 적어도 하나의 발광 구조물 위에 형광체층; 상기 복수의 발광 구조물에 공통으로 연결된 제1전극 부재; 및 상기 각 발광 구조물 위에 제2전극을 포함하는 발광 소자 패키지
31 31
제30항에 있어서, 상기 복수의 발광 구조물은 상기 복수의 리드 전극에 병렬로 연결되는 발광소자 패키지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.