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완충층이 형성된 ＬＥＤ 패키지 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015060750
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은, 절연기판을 관통하도록 형성된 제 1도전층; 상기 절연기판의 일면에 형성된 산화물층 및 제 2도전층; 상기 절연기판의 타면에 형성되며 상기 제 1도전층에 의해 상기 제 2도전층과 전기적으로 연결되는 제 3도전층; 및 상기 제 2도전층과 접촉하는 제 4도전층이 일면에 형성된 LED칩을 포함하되, 상기 산화물층은 상기 LED칩과 상기 절연기판의 공극 중 적어도 일부를 매우도록 형성된 것을 특징으로 하는 완충층이 형성된 LED 패키지 및 그 제조 방법에 관하 것이다. 이에 의해, LED칩과 절연기판 사이의 산화물층이 완충층으로 작용함으로써 웨이퍼 본딩시 공극으로 인한 크랙을 방지할 수 있다. 또한, 산화물층의 열팽창 계수와 LED칩으로 사용되는 GaN의 열팽창계수(5.559ppm)와 유사하여 접합시 열팡챙 계수 차이로 인한 크랙을 방지할 수 있다.
Int. CL	H01L 33/48 (2014.01) H01L 33/62 (2014.01)
CPC	H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01)
출원번호/일자	1020100023933 (2010.03.17)
출원인	엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자	10-1118042-0000 (2012.02.13)
공개번호/일자	10-2011-0104817 (2011.09.23) 문서열기
공고번호/일자	(20120224) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2010.03.17)
심사청구항수	11

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지이노텍 주식회사	대한민국	서울특별시 강서구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	황덕기	대한민국	서울특별시 금천구
2	임재청	대한민국	광주광역시 광산구
3	한영주	대한민국	서울특별시 은평구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김희곤	대한민국	대전시 유성구 문지로 **-(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2	김인한	대한민국	서울특별시 서초구 사임당로 , 층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3	박용순	대한민국	서울특별시 송파구 법원로길 , 층 D-***호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지이노텍 주식회사		서울특별시 강서구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2010.03.17	수리 (Accepted)	1-1-2010-0170062-45
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2011.05.18	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2011.06.17	수리 (Accepted)	9-1-2011-0052496-00
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2011.06.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0350268-02
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2011.08.29	수리 (Accepted)	1-1-2011-0672093-25
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2011.08.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0672094-71
7	등록결정서 Decision to grant	2012.01.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0060041-11
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.10.27	수리 (Accepted)	4-1-2014-0093826-77
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.03.08	수리 (Accepted)	4-1-2017-5035901-08
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.07.18	수리 (Accepted)	4-1-2018-5136723-03
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.01.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5011221-01

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 절연기판을 관통하도록 형성된 제 1도전층;상기 절연기판의 일면에 형성된 산화물층 및 제 2도전층; 상기 절연기판의 타면에 형성되며 상기 제 1도전층에 의해 상기 제 2도전층과 전기적으로 연결되는 제 3도전층; 및상기 제 2도전층과 접촉하는 제 4도전층이 일면에 형성된 LED칩을 포함하되, 상기 산화물층은 상기 LED칩과 상기 절연기판의 공극 중 적어도 일부를 매우도록 형성된 것을 특징으로 하는 완충층이 형성된 LED 패키지
2	2 제 1항에 있어서,상기 완충층이 형성된 LED 패키지는,상기 제 4도전층과 접촉하는 상기 제 2도전층의 접촉면은 도금된 것을 특징으로 하는 완충층이 형성된 LED 패키지
3	3 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 절연기판은 세라믹 기판 또는 규소 기판인 것을 특징으로 하는 완충층이 형성된 LED 패키지
4	4 제 3항에 있어서,상기 산화물층은 비정질상인 것을 특징으로 하는 완충층이 형성된 LED 패키지
5	5 (a) 절연기판상에 홀을 형성하는 단계;(b) 상기 홀을 도전성 재료로 충진하여 제 1도전층을 형성하는 단계;(c) 상기 절연기판의 일면에는 산화물층 및 제 2도전층을 형성하고 타면에는 제 3도전층을 형성하여 상기 제 1도전층을 통해 상기 제 2, 3도전층을 전기적으로 연결하는 단계; 및(d) LED칩에 형성된 제 4도전층을 상기 제 2도전층상에 접착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 완충층이 형성된 LED패키지 제조 방법
6	6 제 5항에 있어서,상기 (c) 단계는,(c1) 상기 제 1도전층과 전기적으로 연결되도록 상기 절연기판의 양면 각각의 일부에 제 2, 제 3 도전층을 형성하는 단계;(c2) 상기 제 2도전층상에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및(c3) 상기 제 2도전층이 형성된 절연기판 면의 노출된 부분에 산화물층을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 완충층이 형성된 의한 LED패키지 제조 방법
7	7 제 6항에 있어서,상기 (c3) 단계는,상기 노출된 부분에 금속을 증착하고 양극산화법에 의해 산화물층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 완충층이 형성된 LED패키지 제조 방법
8	8 제 6항에 있어서,상기 (c3) 단계는,상기 노출된 부분에 규소 (Si)를 증착하고 건식산화법 또는 습식산화법에 의해 산화물층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 완충층이 형성된 LED패키지 제조 방법
9	9 제 5항에 있어서,상기 (c) 단계는,(c1) 상기 제 1도전층과 전기적으로 연결되도록 상기 절연기판의 일면의 전면에 제 2도전층을 형성하고 타면의 일부에 제 3도전층을 형성하는 단계;(c2) 상기 제 2도전층의 일부에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및(c3) 상기 제 2도전층 중 상기 포토레지스트층이 형성되지 않은 부분을 산화시켜 산화물층으로 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 완충층이 형성된 LED패키지 제조 방법
10	10 제 9항에 있어서,상기 (c3) 단계는,상기 제 2도전층 중 상기 포토레지스트층이 형성되지 않은 부분을 양극산화법에 의해 산화시켜 산화물층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 완충층이 형성된 LED패키지 제조 방법
11	11 제 5항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 (c) 단계는,상기 제 2도전층을 도금하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 완충층이 형성된 LED패키지 제조 방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1118042-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20100317 출원 번호 : 1020100023933 공고 연월일 : 20120224 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120131 청구범위의 항수 : 11 유별 : H01L 33/48 발명의 명칭 : 완충층이 형성된 ＬＥＤ 패키지 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	474,000 원	2012년 02월 14일	납입
제 4 년분	금 액	282,000 원	2015년 01월 07일	납입
제 5 년분	금 액	282,000 원	2016년 01월 07일	납입
제 6 년분	금 액	282,000 원	2017년 01월 05일	납입
제 7 년분	금 액	518,000 원	2018년 01월 05일	납입
제 8 년분	금 액	518,000 원	2019년 01월 14일	납입
제 9 년분	금 액	518,000 원	2020년 01월 09일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2010.03.17	수리 (Accepted)	1-1-2010-0170062-45
2	선행기술조사의뢰서	2011.05.18	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2011.06.17	수리 (Accepted)	9-1-2011-0052496-00
4	의견제출통지서	2011.06.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0350268-02
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2011.08.29	수리 (Accepted)	1-1-2011-0672093-25
6	[명세서등 보정]보정서	2011.08.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0672094-71
7	등록결정서	2012.01.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0060041-11
8	출원인정보변경(경정)신고서	2014.10.27	수리 (Accepted)	4-1-2014-0093826-77
9	출원인정보변경(경정)신고서	2017.03.08	수리 (Accepted)	4-1-2017-5035901-08
10	출원인정보변경(경정)신고서	2018.07.18	수리 (Accepted)	4-1-2018-5136723-03
11	출원인정보변경(경정)신고서	2020.01.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5011221-01


기술번호	KST2015060750
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	완충층이 형성된 ＬＥＤ 패키지 및 그 제조 방법
기술개요	본 발명은, 절연기판을 관통하도록 형성된 제 1도전층; 상기 절연기판의 일면에 형성된 산화물층 및 제 2도전층; 상기 절연기판의 타면에 형성되며 상기 제 1도전층에 의해 상기 제 2도전층과 전기적으로 연결되는 제 3도전층; 및 상기 제 2도전층과 접촉하는 제 4도전층이 일면에 형성된 LED칩을 포함하되, 상기 산화물층은 상기 LED칩과 상기 절연기판의 공극 중 적어도 일부를 매우도록 형성된 것을 특징으로 하는 완충층이 형성된 LED 패키지 및 그 제조 방법에 관하 것이다. 이에 의해, LED칩과 절연기판 사이의 산화물층이 완충층으로 작용함으로써 웨이퍼 본딩시 공극으로 인한 크랙을 방지할 수 있다. 또한, 산화물층의 열팽창 계수와 LED칩으로 사용되는 GaN의 열팽창계수(5.559ppm)와 유사하여 접합시 열팡챙 계수 차이로 인한 크랙을 방지할 수 있다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

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