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상부 절연부 홈 및 상기 상부 절연부 홈과 일부영역이 대응되도록 형성된 하부 절연부 홈을 구비한 리드부;상기 하부 절연부 홈을 메움으로써, 상기 리드부를 지지하는 하부 절연부;상기 리드부와 이격되어 형성되고, 상기 하부 절연부의 일측면에 형성된 다이패드부;상기 상부 절연부 홈에 형성된 상부 절연부;상기 리드부 상면 중 상기 다이패드부와 인접한 위치에 도금된 이너 리드; 및상기 리드부의 하면에 도금된 아우터 리드를 포함하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임
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제 1항에 있어서,상기 이너리드의 측면 또는 상기 상부 절연부의 측면은 각각 그 아래의 리드부 측면보다 돌출되는 것을 특징으로 하는 리드 프레임
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제 2항에 있어서,상기 리드 프레임은,상기 다이패드부의 상면에 형성된 상부 다이패드 금속부를 더 포함하되,상기 상부 다이패드 금속부의 측면은 그 아래의 다이패드부 측면보다 돌출되는 것을 특징으로 하는 리드 프레임
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제 3항에 있어서,상기 다이패드부에 칩 실장 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 리드 프레임
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제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이너리드, 상기 아우터 리드 또는 상기 상부 다이패드 금속부는,Ni 금속부 또는 Ni 상에 Au, Pd, Ag 중 적어도 하나가 도금된 금속부로 이루어진 것을 특징으로 하는 리드 프레임
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(a) 금속기판의 양면을 도금하여 이너리드, 아우터 리드를 형성하는 단계;(b) 상기 금속기판의 노출된 양면을 1차 에칭하여 상부 절연부 홈 및 상기 상부 절연부 홈과 일부영역이 대응되는 하부 절연부홈을 형성하는 단계;(c) 상기 상부 절연부 홈 및 상기 하부 절연부 홈에 절연재료를 충진하여 상부 절연부 및 하부 절연부를 형성하는 단계; (d) 상기 금속기판의 양면에 감광성 절연체를 도포하고 노광 및 현상을 통해 상기 상부 절연부 상부, 상기 이너리드 상부, 상기 하부절연부 하부 및 상기 아우터 리드 하부에 절연물질을 형성하는 단계;(e) 상기 금속기판의 상면을 2차 에칭하여 서로 이격된 다이패드부와 리드부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임 제조 방법
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제 6항에 있어서,상기 (b) 단계에서,1차 에칭에 의해 상기 금속기판에 칩 실장홈을 형성하고,상기 (e) 단계에서,2차 에칭에 의해 상기 칩 실장홈의 깊이를 증가시키는 것을 특징으로 하는 리드 프레임 제조 방법
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제 6항에 있어서,상기 (e) 단계에서,2차 에칭에 의해 상기 다이패드부에 칩 실장홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임 제조 방법
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제 6항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 (b) 단계에서의 1차 에칭 또는 상기 (e) 단계에서의 2차 에칭에 의해 상기 이너리드의 측면 또는 상기 상부 절연부의 측면을 각각 그 아래의 리드부 측면보다 돌출되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임 제조 방법
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제 9항에 있어서,상기 (a) 단계에서의 도금에 의해 상부 다이패드 금속부를 더 형성하며,상기 (b) 단계에서의 1차 에칭 또는 상기 (e) 단계에서의 2차 에칭에 의해 상기 상부 다이패드 금속부의 측면을 그 아래의 다이패드부의 측면보다 돌출되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임 제조 방법
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제 6항에 있어서,상기 (a) 단계에서의 도금은,Ni 도금, Ni 상에의 Au, Pd, Ag 중 적어도 하나의 도금 중 임의의 하나의 도금인 것을 특징으로 하는 리드 프레임 제조 방법
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(a) 금속기판 양면을 1차 에칭하여 상부 절연부 홈 및 상기 상부 절연부 홈과 일부영역이 대응되는 하부 절연부 홈을 형성하는 단계;(b) 상기 상부 절연부 홈 및 상기 하부 절연부 홈을 절연재료로 충진하여 상부 절연부 및 하부 절연부를 형성하는 단계;(c) 상기 금속기판의 노출된 양면 중 일부를 도금하여 이너리드 및 아우터 리드를 형성하는 단계;(d) 상기 금속기판의 양면에 감광성 절연체를 도포하고 노광 및 현상을 통해 상기 상부 절연부 상부, 상기 이너리드 상부, 상기 하부절연부 하부 및 상기 아우터 리드 하부에 절연물질을 형성하는 단계;(e) 상기 금속기판의 상면을 2차 에칭하여 서로 이격된 다이패드부와 리드부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임 제조 방법
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제 12항에 있어서,상기 (a) 단계에서의 1차 에칭에 의해 상기 금속기판에 칩 실장홈을 형성하고,상기 (e) 단계에서의 2차 에칭에 의해 상기 칩 실장홈의 깊이를 증가시키는 것을 특징으로 하는 리드 프레임 제조 방법
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제 12항에 있어서,상기 (a) 단계에서의 1차 에칭에 의해 상기 금속기판에 칩 실장홈을 형성하거나, 상기 (e) 단계에서의 2차 에칭에 의해 상기 다이패드부에 칩 실장홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임 제조 방법
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제 12항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서,상기 (e) 단계에서의 2차 에칭에 의해 상기 이너리드의 측면 또는 상기 상부 절연부의 측면을 각각 그 아래의 리드부 측면보다 돌출되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임 제조 방법
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제 15항에 있어서,상기 (c) 단계에서의 도금에 의해 상부 다이패드 금속부를 더 형성하며,상기 (e) 단계에서의 2차 에칭에 의해 상기 상부 다이패드 금속부의 측면을 그 아래의 다이패드부의 측면보다 돌출되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임 제조 방법
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제 12항에 있어서,상기 (c) 단계에서의 도금은,Ni 도금, Ni 상에의 Au, Pd, Ag 중 적어도 하나의 도금 중 임의의 하나의 도금인 것을 특징으로 하는 리드 프레임 제조 방법
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