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어닐 웨이퍼 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015060906
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요약 본 발명은 어닐 웨이퍼와 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 일실시예는 500~800 도(℃)의 온도 분포를 갖는 챔버 내에서 웨이퍼를 업과 다운하며 열처리하는 단계; 및 상기 웨이퍼의 표면을 폴리싱하여 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 제조방법을 제공한다.따라서, 고온 처리에 따른 어닐 웨이퍼의 전기적 특성의 열위가 발생하지 않는다.
Int. CL H01L 21/304 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01)
출원번호/일자 1020100033105 (2010.04.12)
출원인 주식회사 엘지실트론
등록번호/일자 10-1125741-0000 (2012.03.05)
공개번호/일자 10-2011-0113817 (2011.10.19) 문서열기
공고번호/일자 (20120327) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.12)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송경환 대한민국 부산광역시 사하구
2 최창현 대한민국 경상북도 구미시
3 서병수 대한민국 경상북도 칠곡군
4 김준복 대한민국 경기도 화성시
5 이우성 대한민국 경상북도 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 경상북도 구미시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0229790-26
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2011-5005193-13
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.04.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0030052-37
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0322610-13
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0609672-95
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0609671-49
8 등록결정서
Decision to grant
2012.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0029298-54
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2015-5070977-42
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.29 수리 (Accepted) 4-1-2015-5071326-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2017-5140469-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.02.21 수리 (Accepted) 4-1-2018-5031039-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
무결함층이 표면으로부터 15 마이크로 미터(㎛) 이상 확보되고, 금속 게터링(gathering) 부분의 농도가 e5/cm2 이상이고, Qbd(Charge to Breakdown) 특성이 1~10 C/cm2이며, 500~800 도(℃)의 온도 분포를 갖는 챔버 내에서 열처리 후 표면이 폴리싱된 웨이퍼
4 4
제 3 항에 있어서,NSMD(Near Surface Micro Defect)가 표면으로부터 5 마이크로 미터의 깊이에서 1개/cm2이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.