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겉 틀 내부에 격벽부 및 입사되는 방사선을 가시광으로 변환하는 섬광 물질을 수직으로 1회 이상 순차 적층하는 단계; 상기 겉 틀의 옆면 전체를 제거하고 수직 또는 수평 방향으로 1회 이상 절단하며 절단된 해당 구조물의 전면과 후면에 소정의 박막을 형성한 기초 구조물을 제작하는 단계; 상기 격벽부에 수직한 방향의 상기 기초 구조물의 상면에 가시광 반사막을 형성하는 단계; 및 상기 격벽부에 수직한 방향의 상기 기초 구조물의 하면에 가시광 비반사막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 적층하는 단계에서 액상의 각 물질을 코팅하여 형성하거나 진공 증착하며, 상기 격벽부는, 셀분리를 위한 제1박막, 상기 제1 박막의 하부에 형성되는 제1반사막과 제1방사선 흡수막, 및 상기 제1 박막의 상부에 형성되는 제2방사선 흡수막과 제2반사막을 포함하며,상기 기초 구조물 제작을 위해, 상기 소정의 박막으로서, 상기 구조물의 전면과 후면에 가시광 반사막만을 형성하거나, 가시광 반사막과 방사선 흡수막 또는 방사선 반사막을 형성하거나, 또는 전면과 후면 중 어느 한면에만 방사선 흡수막 또는 방사선 반사막을 형성하며,상기 구조물 복수개를 2-D 이미지 센서 어레이에 포함된 2-D 포토 다이오드들의 위치에 대응되도록 정렬하여 결합시키기 위한 것을 특징으로 하는 섬광체 구조물의 제작 방법
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제1항에 있어서,상기 제1반사막과 상기 제1방사선 흡수막이 순차 적층되고, 복수회 적층되며,상기 제2반사막과 상기 제2방사선 흡수막이 순차 적층되고, 복수회 적층되는 것을 특징으로 하는 섬광체 구조물의 제작 방법
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제1항에 있어서,상기 제1박막의 재질은 포토레지스트, 실리콘, 실리콘 산화막, 또는 금속 산화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 섬광체 구조물의 제작 방법
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제1항에 있어서,상기 제1박막은 방사선 흡수막 또는 방사선 반사막을 포함하는 것을 특징으로 하는 섬광체 구조물의 제작 방법
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섬광체 구조물을 이용한 방사선 검출 장치에 있어서,2-D 배열된 포토다이오드들을 포함하는 이미지 센서 어레이; 및 상기 이미지 센서 어레이의 상부에 부착된 복수 섬광셀을 가지는 섬광체 구조물을 포함하고,상기 섬광체 구조물은, 겉 틀 내부에 격벽부 및 입사되는 방사선을 가시광으로 변환하는 섬광 물질을 수직으로 1회 이상 순차 적층하되, 액상의 각 물질을 코팅하여 형성되거나 진공 증착하여 형성되며, 상기 겉 틀의 옆면 전체를 제거하는 방식으로 형성된 기초 구조물; 상기 격벽부에 수직한 방향의 상기 기초 구조물의 상면에 형성된 반사막; 및 상기 격벽부에 수직한 방향의 상기 기초 구조물의 하면에 형성된 비반사막을 포함하며,상기 격벽부는, 셀분리를 위한 제1박막, 상기 제1 박막의 하부에 형성되는 제1반사막과 제1방사선 흡수막, 및 상기 제1 박막의 상부에 형성되는 제2방사선 흡수막과 제2반사막을 포함하며,상기 기초 구조물은, 상기 겉 틀의 옆면 전체를 제거한 후 수직 또는 수평 방향으로 1회 이상 절단하며 절단된 해당 구조물의 전면과 후면에 소정의 박막을 형성한 구조이고, 여기서, 상기 소정의 박막으로서, 상기 구조물의 전면과 후면에 가시광 반사막만이 형성되거나, 가시광 반사막과 방사선 흡수막 또는 방사선 반사막이 형성되거나, 또는 전면과 후면 중 어느 한면에만 방사선 흡수막 또는 방사선 반사막이 형성되며,상기 섬광체 구조물 복수개를 상기 포토 다이오드들의 위치에 대응되도록 정렬하여 결합시킨 것을 특징으로 하는 방사선 검출 장치
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제14항에 있어서, 상기 이미지 센서 어레이와 상기 섬광체 구조물 사이에 부착을 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출 장치
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