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반도체성 탄소나노튜브; 금속성 탄소나노튜브; 및 상기 반도체성 탄소나노튜브와 금속성 탄소나노튜브의 각 말단에 결합되어 양자를 연결하고 있는 펩티드 결합을 포함하는 다이오드
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제 1 항에 있어서, 금속성 탄소나노튜브는 암체어 구조를 가지는 다이오드
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제 1 항에 있어서, 금속성 탄소나노튜브는 (a, a)의 키랄 벡터 지수를 가지는 단일벽 탄소나노튜브이고, 상기에서 a는 하기 일반식 1의 조건을 만족하는 다이오드: [일반식 1]a = 1 내지 20
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제 3 항에 있어서, a가 1 내지 10인 다이오드
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제 1 항에 있어서, 반도체성 탄소나노튜브는 지그재그 구조를 가지는 다이오드
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제 1 항에 있어서, 반도체성 탄소나노튜브는 (b, 0)의 키랄 벡터 지수를 가지는 단일벽 탄소나노튜브이고, 상기에서 b는 하기 일반식 2의 조건을 만족하는 다이오드:[일반식 2]b = 3×j ± 1상기에서 j는 1 내지 10의 정수를 나타낸다
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제 6 항에 있어서, j가 1 내지 5의 정수를 나타내는 다이오드
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8
제 1 항에 있어서, 금속성 탄소나노튜브가 이중벽 또는 다중벽 탄소나노튜브인 다이오드
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9
제 8 항에 있어서, 이중벽 또는 다중벽 탄소나노튜브는 (c, c)의 키랄 벡터 지수를 가지는 내측벽 및 상기 내측벽을 직접 둘러싸고 있고 (d, d)의 키랄 벡터 지수를 가지는 외측벽을 포함하며, 상기에서 c 및 d는 하기 일반식 3의 조건을 만족하는 다이오드: [일반식 3]d ≥ 2c
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10
제 9 항에 있어서, 내측벽은, 이중벽 또는 다중벽 탄소나노튜브의 가장 내측에 존재하는 벽이고, 상기 내측벽의 키랄 벡터 지수 (c, c)는 하기 일반식 4의 조건을 만족하는 다이오드: [일반식 4]c = 1 내지 20
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11
제 1 항에 있어서, 반도체성 탄소나노튜브가 이중벽 또는 다중벽 탄소나노튜브인 다이오드
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제 11 항에 있어서, 이중벽 또는 다중벽 탄소나노튜브는 (e, 0)의 키랄 벡터 지수를 가지는 내측벽 및 상기 내측벽을 직접 둘러싸고 있고 (f, 0)의 키랄 벡터 지수를 가지는 외측벽을 포함하며, 상기에서 e 및 f는 하기 일반식 5의 조건을 만족하는 다이오드:[일반식 5]f ≥ 2e
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제 12 항에 있어서, 내측벽은, 이중벽 또는 다중벽 탄소나노튜브의 가장 내측에 존재하는 벽이고, 상기 내측벽의 키랄 벡터 지수 (e, 0)은 하기 일반식 6의 조건을 만족하는 다이오드: [일반식 6]e = 3 × p ± 1상기에서 p는 1 내지 10의 정수를 나타낸다
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제 1 항에 있어서, 펩티드 결합은, 상기 결합에 의해서 형성되는 쌍극자 모멘트가 금속성 탄소나노튜브에서 반도체성 탄소나노튜브의 방향으로 형성되도록 각 탄소나노튜브의 말단에 결합되어 있는 다이오드
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15
제 1 항에 있어서, 펩티드 결합에 의해 형성되는 쌍극자 모멘트의 벡터합의 크기가 2 Debye 이상인 다이오드
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탄소나노튜브의 말단에 카복실기를 도입하는 단계; 카복실기가 도입된 탄소나노튜브와는 다른 탄소나노튜브의 말단에 아민기를 도입하는 단계; 및 상기 카복실기와 아민기를 탈수 축합시키는 단계를 포함하는 제 1 항에 따른 다이오드의 제조 방법
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17
제 16 항에 있어서, 카복실기를 도입되는 탄소나노튜브가 반도체성 탄소나노튜브이고, 아민기가 도입되는 탄소나노튜브가 금속성 탄소나노튜브인 다이오드의 제조 방법
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