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발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛

  • 기술번호 : KST2015061115
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛에 관한 것이다. 실시 예에 따른 발광 소자는, 상부가 개방된 캐비티를 갖는 몸체; 상기 캐비티의 바닥면보다 돌출되며 상기 캐비티 하부를 복수의 영역으로 분할하는 장벽부; 상기 캐비티 하부의 제1영역에 배치된 제1발광다이오드 및 상기 캐비티 하부의 제2영역에 배치된 제2발광다이오드를 포함하는 복수의 발광다이오드; 상기 캐비티 내에 서로 이격되며 상기 복수의 발광 다이오드에 선택적으로 연결된 복수의 리드 전극; 상기 캐비티의 제1영역 내에 형성되며 상기 제1발광다이오드를 커버하는 제1형광체를 포함하는 제1수지층; 및 상기 캐비티의 제2영역 내에 형성되며 상기 제2발광 다이오드를 커버하는 제2수지층을 포함한다.
Int. CL H01L 33/48 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100048292 (2010.05.24)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1047633-0000 (2011.07.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110707) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.10)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 공성민 대한민국 경기도 의왕시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0331166-72
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0016629-99
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0016628-43
4 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2011.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2011.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0002888-88
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0045974-05
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0126676-73
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0333733-31
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0333731-40
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0297693-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부가 개방된 캐비티를 갖는 몸체;상기 캐비티의 바닥면보다 돌출되며 상기 캐비티 하부를 복수의 영역으로 분할하는 장벽부;상기 캐비티 하부의 제1영역에 배치된 제1발광다이오드 및 상기 캐비티 하부의 제2영역에 배치된 제2발광다이오드를 포함하는 복수의 발광다이오드;상기 캐비티 내에 서로 이격되며 상기 복수의 발광 다이오드에 선택적으로 연결된 복수의 리드 전극;상기 캐비티의 제1영역 내에 형성되며 상기 제1발광다이오드를 커버하는 제1형광체를 포함하는 제1수지층; 상기 캐비티의 제2영역 내에 형성되며 상기 제2발광 다이오드를 커버하는 제2수지층; 및상기 제1 및 제2발광 다이오드 중 적어도 하나에 연결되며, 적어도 일부는 상기 장벽부 위로 연장되는 적어도 하나의 제1와이어를 포함하는 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 제2수지층에는 제2형광체를 포함하며,상기 제1 및 제2수지층 위에 형성된 제3수지층을 포함하는 발광 소자
3 3
제2항에 있어서, 상기 제1발광 다이오드는 청색 발광 다이오드이며,상기 제2발광 다이오드는 녹색 발광 다이오드이며,상기 제1 및 제2형광체는 적색 형광체인 발광 소자
4 4
제2항에 있어서, 상기 제1발광 다이오드는 청색 발광 다이오드이며,상기 제2발광 다이오드는 UV 발광 다이오드이며,상기 제1형광체는 적색 형광체이며,상기 제2형광체는 녹색 형광체인 발광 소자
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장벽부는 절연 재질 또는 전도성 재질을 포함하는 발광소자
6 6
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장벽부는 상기 캐비티 바닥면을 기준으로 상기 제1 및 제2발광다이오드의 두께보다 더 높은 높이로 형성되는 발광소자
7 7
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장벽부는 상기 복수의 리드 전극을 물리적으로 이격시켜 주는 영역에 형성되며,상기 장벽부의 하부는 상기 복수의 리드 전극 사이의 갭 보다는 넓은 폭으로 형성되는 발광소자
8 8
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 리드 전극은 상기 캐비티의 제1영역에 배치된 제1리드 전극 및 상기 캐비티의 제2영역에 배치된 제2리드 전극을 포함하며,상기 제1리드 전극의 일단부는 상기 캐비티의 제1영역으로부터 상기 캐비티의 제2영역으로 연장되며,상기 제2리드 전극의 타단부는 상기 캐비티의 제2영역으로부터 상기 캐비티의 제1영역으로 연장되는 발광 소자
9 9
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 리드 전극과 상기 각 발광 다이오드를 전기적으로 연결하는 복수의 제2와이어를 포함하며,상기 적어도 하나의 제1와이어는 상기 장벽부 위를 통해 반대측 리드 전극 또는 반대측 발광 다이오드에 연결되는 발광소자
10 10
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장벽부 내에는 상기 캐비티의 제1영역과 상기 제2영역을 서로 연결해 주는 적어도 하나의 오목부를 포함하며,상기 장벽부의 오목부는 상기 장벽부의 상면보다 낮은 높이로 형성되는 발광소자
11 11
제10항에 있어서, 상기 장벽부의 오목부에는 상기 리드 전극과 상기 발광 다이오드를 연결해 주는 상기 제1와이어의 일부가 배치되는 발광소자
12 12
제1항에 있어서, 상기 장벽부는 다각형 또는 반 구형 중 적어도 하나의 단면 형상을 포함하는 발광소자
13 13
제1항에 있어서, 상기 장벽부는 PPA(Polyphthalamide), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 또는 실리콘 계열 중에서 선택된 하나의 물질을 포함하는 발광소자
14 14
제1항에 있어서,상기 장벽부의 양 측면은 상기 캐비티의 분할 영역에 대응되며, 상기 캐비티 바닥면에 대해 수직하거나 경사진 구조를 포함하는 발광소자
15 15
제1항에 있어서, 상기 복수의 리드 전극은 제1깊이를 갖는 상기 캐비티의 제1영역에 배치된 제1리드 전극; 및 상기 제1깊이보다 깊은 제2깊이를 갖는 상기 캐비티의 제2영역에 배치된 제2리드 전극을 포함하는 발광소자
16 16
제14항에 있어서, 상기 제2수지층의 두께는 상기 제1수지층의 두께보다 더 더껍게 형성되는 발광소자
17 17
제1항에 있어서, 상기 복수의 리드 전극은 3개의 리드 프레임을 포함하며,상기 제1 및 제2발광 다이오드에 전기적으로 연결된 제 1 및 제2리드 프레임; 및상기 제1 및 제2리드 프레임 사이에 배치되며 상기 제1 및 제2발광 다이오드가 배치된 방열 프레임을 포함하는 발광 소자
18 18
제17항에 있어서, 상기 방열 프레임은 상기 장벽부를 구비하며, 상기 장벽부의 양측에 상기 제1 및 제2발광 다이오드가 탑재된 본딩부; 및 상기 몸체 하부까지 연장된 방열부를 포함하는 발광 소자
19 19
제1항에 있어서, 상기 장벽부는 복수로 형성되며,상기 복수의 장벽부는 상기 캐비티 하부 영역을 적어도 3개의 영역으로 분할해 주는 발광소자
20 20
제19항에 있어서, 상기 복수의 장벽부는 서로 평행하거나 120도 간격으로 이격되는 발광 소자
21 21
제1항에 있어서, 상기 복수의 리드 전극 중 적어도 한 단부는 상기 장벽부의 상면까지 연장되는 발광 소자
22 22
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 발광 소자, 및 상기 발광 소자가 어레이된 기판을 포함하는 발광 모듈;상기 발광 모듈의 광 출사 경로 상에 배치된 도광판; 및상기 도광판의 위에 배치된 광학 시트를 포함하는 라이트 유닛
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.