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게이트 절연막에 펜타센을 증착하여 유기박막 트랜지스터를 제작하는 방법에 있어서, 상기 방법은,상기 게이트 절연막과 상기 펜타센 분자 사이에 반데르발스(van der Waals) 결합을 유도할 수 있도록 상기 펜타센을 상기 게이트 절연막에 누운 형태(flat lying structure)로 증착시키는 제1단계; 및상기 제1단계에서 형성시킨 누운 형태 구조의 펜타센 사이의 공간을 세워진 형태의 박막 펜타센(thin film phase)을 유도하여 상기 박막 펜타센의 두께가 일정치 이상이 될 수 있게 증착하는 제2단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1단계에서 펜타센은 저면접촉구조로 상기 게이트 절연막에 증착되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2단계에서 상기 펜타센 박막의 총 두께가 3 nm 이상 되도록 증착시키는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1단계의 증착 속도는 상기 제2단계의 증착 속도보다 낮은 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1단계의 증착 속도는 0
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제1항에 있어서,상기 제2단계의 펜타센 증착 속도는 0
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제1항에 있어서,상기 제1단계에서의 온도는 상온보다 낮고 상기 제2단계에서의 온도는 상온보다 높게 형성시키는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1단계 및 제2단계에서 펜타센의 증착은 섀도우 마스크 진공증착 방법에 의하여 증착하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2단계의 증착시간은 상기 제1단계의 증착에 비하여 큰 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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