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게이트 절연막에 펜타센을 증착하여 유기박막 트랜지스터를 제작하는 방법에 있어서, 상기 방법은,펜타센 분자가 다발 형태로 배열되어 그레인을 형성하도록 하여 상기 게이트 절연막 상에 증착하는 단계; 및상기 그레인 사이의 공간 및 상기 펜타센 성막의 상층에 상기 펜타센보다 분자량이 작은 아센(acene) 계열의 유기분자를 도핑(doping)하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 아센 계열의 유기분자는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 테트라센 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1단계에서 상기 펜타센의 증착은 두께 모니터(thickness moniter)를 통하여 관측되는 명목 두께까지 증착하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 명목 두께는 8 ~ 12 nm 인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 아센 계열의 유기분자는 8 ~ 12 nm 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 펜타센의 증착 및 상기 아센 계열의 유기분자의 도핑은 섀도우 마스크 진공증착 방법에 의하여 증착하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 아센 계열의 유기분자 증착후 펜타센을 상기 아센 계열의 유기분자의 상층에 증착하는 단계를 더 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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투명 절연체로 된 기판 상에 전극물질을 증착하고 포토리소그라피 공정에 의해서 게이트 배선과 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 기판의 전영역에 상기 게이트 전극을 감싸는 SiO2 게이트 절연막을 증착하는 단계;상기 절연막 상에 소스 및 드레인 전극을 섀도우 마스크 진공증착 또는 포토리소그라피 공정에 의하여 각각 형성하는 단계;펜타센 분자가 다발 형태로 배열되어 그레인을 형성하도록 하여 상기 게이트 절연막 상에 증착하는 단계; 및상기 그레인 사이의 공간 및 상기 펜타센 성막의 상층에 상기 펜타센보다 분자량이 작은 아센(acene) 계열의 유기분자를 도핑(doping)하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
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