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발광 유닛

  • 기술번호 : KST2015061419
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 양자점을 포함하는 발광층을 제품에 형성된 무늬에 맞게 배치함으로써, 평상시에는 투명한 발광층을 통해 무늬가 보이다가 특정 파장이 양자점에 조사되면, 양자점이 이에 반응해서 발광해 무늬에 겹쳐 빛나도록 해서 장식 효과를 높인 기술을 제공한다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC G09F 13/20(2013.01) G09F 13/20(2013.01) G09F 13/20(2013.01) G09F 13/20(2013.01) G09F 13/20(2013.01) G09F 13/20(2013.01)
출원번호/일자 1020100063630 (2010.07.01)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0002890 (2012.01.09) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이강욱 대한민국 경기도 평택시
2 박진수 대한민국 경기도 평택시
3 이상수 대한민국 경기도 평택시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0428177-15
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0312154-17
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0312155-63
4 보정요구서
Request for Amendment
2015.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0065141-90
5 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2015.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2015-0331647-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.06.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0075052-70
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0454239-77
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0747640-10
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.08.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0747641-66
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0943214-73
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.01.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0104669-19
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0104668-74
15 등록결정서
Decision to grant
2017.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0302561-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 기판;,상기 제1 기판 위에 형성되며, 빛에 반응해서 발광하는 발광소자가 도안을 이루고 있는 발광층;상기 제1 기판과 마주하여 위치하고, 상기 도안과 짝을 이루는 패턴이 표면에 형성된 그루브로 만들어진 제2 기판; 및상기 제1 기판 위에 상기 발광층과 동일 평면에 위치하도록 형성된 광원부;를 포함하되,상기 발광소자는 II족 화합물 반도체, III족 화합물 반도체, V족 화합물 반도체, VI족 화합물 반도체 중에서도 적어도 2종의 반도체가 결합된 양자점(quantumn dot)이고, 상기 양자점은, 코어부가 CdSe, InGaP, InP 중 적어도 하나를 포함하고, 껍질부는 ZnS, CuZnS 중 적어도 하나를 포함하며,상기 제1 기판과 상기 발광층은 투명하고, 상기 발광층은 투과율이 70% 이상 85% 이하인 발광 유닛
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 양자점은 상기 발광층에 0
6 6
제1항에 있어서,상기 발광층은 서로 다른 색상의 빛을 내는 적어도 2 이상의 양자점이 각각 포함된 제1 및 제2 발광층을 포함하는 발광 유닛
7 7
제1항에 있어서,상기 양자점은 가시광과 자외선의 경계 영역인 430 ∼ 450(nm) 파장의 빛에 반응해서 발광하는 발광 유닛
8 8
제1 기판;상기 제1 기판 위에 형성되며, 빛에 반응해서 발광하는 발광소자가 도안을 이루고 있는 발광층;상기 발광층을 덮고 있으며, 상기 발광층이 보이지 않도록 하는 블랙층; 및상기 제1 기판 위에 상기 발광층과 동일 평면에 위치하도록 형성된 광원부;를 포함하되,상기 발광소자는 II족 화합물 반도체, III족 화합물 반도체, V족 화합물 반도체, VI족 화합물 반도체 중에서도 적어도 2종의 반도체가 결합된 양자점(quantumn dot)이고, 상기 양자점은, 코어부가 CdSe, InGaP, InP 중 적어도 하나를 포함하고, 껍질부는 ZnS, CuZnS 중 적어도 하나를 포함하며,상기 제1 기판과 상기 발광층은 투명하고, 상기 발광층은 투과율이 70% 이상 85% 이하인 발광 유닛
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
제1항에 있어서,상기 발광층은 상기 그루브에 대응되는 상기 제1 기판의 위치 혹은 대응되지 않는 상기 제1 기판의 위치중 어느 하나의 위치에 형성하여 만들어진 발광 유닛
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.