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제 1도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물;상기 발광구조물 상에 제1 전극; 및2종 이상의 개별 형광체층을 포함하여 상기 발광구조물과 상기 제1 전극 상에 형성된 형광체층;을 포함하고, 상기 형광체층은 패턴을 포함하며, 상기 패턴은 상기 제1 전극 또는 상기 발광구조물의 일부를 노출시키는 발광소자
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제1 항에 있어서,상기 형광체층은,상호 간에 다른 색을 변환할 수 있는 2종 이상의 개별 형광체층을 포함하며,상기 형광체층은 하측에 제1 파장의 방출광을 가지는 제1 형광체층을 배치하고, 상측에 제1 파장보다 짧은 제2 파장의 방출광을 가지는 제2 형광체층을 배치하는 발광소자
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제1 항에 있어서,상기 형광체층의 면적이 상기 발광소자의 발광면적의 30% 내지 90%인 발광소자
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제1 항에 있어서,상기 형광체층은,상기 발광구조물 측면의 일부 또는 측면의 전부에 형성되는 발광소자
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제4 항에 있어서,상기 측면에 형성된 형광체층은 패턴을 포함하는 발광소자
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제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물;상기 발광구조물 상에 형성된 투광성층; 및2종 이상의 개별 형광체층을 포함하여 상기 발광구조물 상에 형성된 형광체층;을 포함하고, 상기 투광성층은 복수의 층으로 형성되며, 2종 이상의 개별 형광체층 사이에 개재되는 발광소자
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제8 항에 있어서,상기 발광구조물 상에 제1 전극을 더 포함하고,상기 투광성층은 상기 제1 전극보다 두껍게 형성되는 발광소자
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11
제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물;굴절률이 다른 복수의 유전체층을 포함하며, 상기 발광구조물 상에 형성된 파장필터층; 및 2종 이상의 개별 형광체층을 포함하여 상기 파장필터층 상에 형성된 형광체층;을 포함하고, 상기 파장필터층의 두께는,λ/(4n×cosθ)(단, λ는 빛의 파장, n은 각 유전체층의 굴절률, θ는 빛의 입사각)인 발광소자
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제11 항에 있어서,상기 파장필터층은,상기 2종 이상의 개별 형광체층 사이에 개재되는 발광소자
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제 1도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계; 상기 발광구조물 상에 제1 전극을 형성하는 단계;2종 이상의 개별 형광체층을 포함하여 상기 발광구조물과 상기 제1 전극 상에 형광체층을 형성하는 단계; 및상기 형광체층에 패턴을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 형광체층은 패턴을 포함하며, 상기 패턴은 상기 제1 전극 또는 상기 발광구조물의 일부를 노출시키는 발광소자의 제조방법
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제15 항에 있어서,상기 형광체층을 형성하는 단계는,상기 발광구조물 측면의 일부 또는 측면의 전부에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자의 제조방법
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제15 항에 있어서,상기 발광구조물 상에 투광성층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자의 제조방법
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제19 항에 있어서,상기 발광구조물 상에 제1 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 투광성층은 상기 제1 전극보다 두껍게 형성되는 발광소자의 제조방법
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21
제15 항에 있어서,상기 발광구조물 상에 파장필터층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자의 제조방법
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