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고신뢰성 비아홀 형성 방법 및 이를 포함하는 인쇄회로기판

  • 기술번호 : KST2015061713
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비아홀의 형성 방법 및 이를 포함하는 인쇄회로기판에 관한 것으로, 구체적으로는 (A) 내층 금속패턴층이 형성된 제 1 절연층 상에, 제 2 절연층 및 금속층을 순차적으로 적층하는 단계, (B) 상기 금속층을 풀 에칭(full etching)하고 제 1 화학동도금층을 형성하는 단계, (C) 상기 내층 금속패턴층 일부가 개방되도록 레이저 드릴 공정을 통해 비아홀을 형성하는 단계 및 (D) 상기 제 1 화학동도금층 상부 또는 제 1 화학동도금층 제거 후의 제 2 절연층 상부 및 비아홀 내벽과 비아홀에 의해 개방된 내층 금속패턴층 상에 제 2 화학동도금층을 형성하는 단계를 포함하는 비아홀 형성 방법과 상기 비아홀을 포함하는 인쇄회로기판을 제공한다. 본 발명에 의하면, 비아홀 속 크레비스를 제거함으로써 품질의 신뢰성을 높이고, 홀 가공에 필요한 레이저 드릴 공정을 감소시켜 제품의 제조 시간을 단축하고, 제조 비용도 절감할 수 있게 된다.
Int. CL H05K 3/42 (2006.01) H05K 3/46 (2006.01)
CPC H05K 3/421(2013.01) H05K 3/421(2013.01) H05K 3/421(2013.01) H05K 3/421(2013.01)
출원번호/일자 1020100064971 (2010.07.06)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1165262-0000 (2012.07.06)
공개번호/일자 10-2012-0004226 (2012.01.12) 문서열기
공고번호/일자 (20120719) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.06)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 맹일상 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0436689-12
2 보정요구서
Request for Amendment
2010.07.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0062369-94
3 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2010.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0452793-38
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0390386-18
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0711045-04
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0711046-49
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0089468-15
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2012.03.16 수리 (Accepted) 7-1-2012-0012677-17
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0304397-58
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.04.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0304396-13
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2012.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0237753-06
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(A) 내층 금속패턴층이 형성된 제 1 절연층 상에, 제 2 절연층 및 금속층을 순차적으로 적층하는 단계;(B) 상기 금속층을 풀 에칭(full etching)하고 제 1 화학동도금층을 형성하는 단계;(C) 상기 내층 금속패턴층 일부가 개방되도록 레이저 드릴 공정을 통해 비아홀을 형성하는 단계;(D) 상기 제 1 화학동도금층 상부 또는 제 1 화학동도금층 제거 후의 제 2 절연층 상부 및 비아홀 내벽과 비아홀에 의해 개방된 내층 금속패턴층 상에 제 2 화학동도금층을 형성하는 단계;를 포함하는 크레비스 영역이 없는 비아홀 형성 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 (B) 단계는,0
3 3
청구항 1에 있어서,상기 레이저 드릴 공정은,CO2 드릴 또는 YAG 드릴 공정인 크레비스 영역이 없는 비아홀 형성 방법
4 4
청구항 1 내지 청구항 3중 어느 한 항에 있어서,상기 (C) 단계 이후에,홀 내벽에 형성된 스미어 제거를 위한 디스미어(Desmear) 공정을 더 포함하는 크레비스 영역이 없는 비아홀 형성 방법
5 5
비아홀이 형성된 인쇄회로기판에 있어서,순차적으로 적층된 제1 절연층 및 제 2절연층;상기 제 2 절연층에 형성되며 크레비스 영역이 없는 비아홀;상기 제 1 절연층과 제 2 절연층 사이에 형성되어 있으며, 상기 제 2 절연층에 매립되어 있는 매립패턴층과 상기 비아홀에 의해 개방된 개방패턴층으로 이루어져 있되, 상기 매립패턴층과 개방패턴층의 두께 차이가 5 ㎛이하인 내층 금속패턴층;상기 제 2 절연층 상에 형성된 화학동도금층;을 포함하여 이루어지며, 상기 비아홀은 상기 제2 절연층 상에 상기 화학동도금층을 형성하기 위한 에칭 공정 이후에 상기 제2 절연층에 형성된, 크레비스 영역이 없는 비아홀이 형성된 인쇄회로기판
6 6
삭제
7 7
청구항 5에 있어서,상기 내층 금속패턴층은 구리층인 비아홀이 형성된 인쇄회로기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.