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ESD 보호용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015061880
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요약 본 발명은 칩 상에 형성된 ESD(Electrostatic Discharge) 보호칩과 상기 ESD 보호칩을 매립하는 절연층을 포함하되, 상기 ESD 보호칩은 상기 칩과 전기적으로 연결되도록 상기 절연층을 관통하는 회로연결부와 전기적으로 연결되는 ESD 보호용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지에 관한 것이다. 이에 의해, ESD 보호 기능이 있는 LED 패키지를 LED 웨이퍼 레벨의 사이즈로 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 33/48 (2014.01)
CPC H01L 33/62(2013.01) H01L 33/62(2013.01)
출원번호/일자 1020100076262 (2010.08.09)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1197778-0000 (2012.10.30)
공개번호/일자 10-2012-0014298 (2012.02.17) 문서열기
공고번호/일자 (20121106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.09)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임재청 대한민국 서울특별시 중구
2 황덕기 대한민국 서울특별시 중구
3 한영주 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0509941-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.09.20 수리 (Accepted) 9-1-2011-0077096-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0661494-19
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0024830-37
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0111685-21
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0198118-27
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.03.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0198117-82
9 등록결정서
Decision to grant
2012.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0446409-51
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
웨이퍼 레벨의 칩;상기 칩 상에 형성된 ESD(Electrostatic Discharge) 보호칩 및 제1전극;상기 제1전극 상에 형성된 전극연결부;상기 칩 상에 형성되고 상기 ESD 보호칩, 상기 제1전극, 상기 전극연결부를 매립하는 절연층;상기 절연층 상에 형성되고, 상기 전극연결부와 전기적으로 접속하는 제2전극;상기 절연층을 관통하여 형성되고, 상기 ESD 보호칩 및 상기 제2전극을 전기적으로 접속시키는 범프;를 포함하는 ESD 보호용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지
3 3
제 2항에 있어서,상기 제 1전극은 제 1양극 및 제 1음극을 포함하고, 상기 제 2전극은 제 2양극 및 제 2음극을 포함하며, 상기 전극연결부는 상기 제 1양극과 제 2양극을 연결하는 양극연결부 및 제 1음극과 제 2음극을 연결하는 음극연결부를 포함하는 ESD 보호용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지
4 4
제 2항 또는 제 3항에 있어서,상기 ESD 보호칩은, 제너다이오드 또는 수동소자인 ESD 보호칩을 내장한 ESD 보호용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지
5 5
삭제
6 6
(a) 사파이어 기판상에 칩을 형성하는 단계;(b) 상기 칩 상에 ESD(Electrostatic Discharge) 보호칩과 제 1전극을 형성하고, 상기 제 1전극상에 전극 연결부를 형성하는 단계;(c) 상기 제 1전극 또는 전극 연결부와 상기 ESD 보호칩을 전기적으로 연결하는 연결부를 형성하거나 상기 ESD 보호칩 상에 범프를 형성하는 단계; (d) 상기 ESD 보호칩, 제 1전극, 전극 연결부, 및 연결부 또는 범프를 매립하는 절연층을 형성하는 단계;(e) 상기 절연층상에 상기 전극 연결부와 전기적으로 연결되도록 제 2전극을 형성하되, 상기 (c) 단계에서 범프를 형성한 경우, 상기 범프상에 연장하도록 형성하는 단계;(f) 상기 사파이어 기판을 제거하는 단계를 포함하는 ESD 보호용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 제조 방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 (b) 단계의 ESD 보호칩은 제너다이오드 또는 수동소자인 ESD 보호용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.