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페이스트 조성물 및 태양전지

  • 기술번호 : KST2015061895
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 페이스트 조성물 및 태양전지가 개시된다. 페이스트 조성물은 다수 개의 도전 입자들; 무기 바인더; 유기 바인더; 및 제 1 도전형을 가지는 산화물 반도체를 포함한다.
Int. CL H01B 1/08 (2014.01) H01B 1/20 (2014.01) H01B 1/14 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01B 1/14(2013.01) H01B 1/14(2013.01) H01B 1/14(2013.01) H01B 1/14(2013.01) H01B 1/14(2013.01) H01B 1/14(2013.01)
출원번호/일자 1020100071642 (2010.07.23)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1338548-0000 (2013.12.02)
공개번호/일자 10-2012-0010059 (2012.02.02) 문서열기
공고번호/일자 (20131206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.23)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상곤 대한민국 서울특별시 중구
2 이인재 대한민국 서울특별시 중구
3 김순길 대한민국 서울특별시 중구
4 박진경 대한민국 서울특별시 중구
5 이선미 대한민국 서울특별시 중구
6 채경훈 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0478210-41
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2011-0098315-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0767301-80
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0149941-49
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0149940-04
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0417460-01
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0764263-16
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0764261-14
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0017732-88
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0211728-54
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.03.11 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2013-0211729-00
13 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 2013.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0508195-42
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0508421-77
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.08.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0763768-16
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0763767-71
17 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0629788-66
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
다수 개의 도전 입자들;무기 바인더;유기 바인더; 및제 1 도전형을 가지는 산화물 반도체를 포함하고,상기 산화물 반도체는 칼슘 및 칼륨이 도핑된 스트론튬 구리 옥사이드, NiFe2O4 또는 CoFe2O4 를 포함하고, 상기 칼륨은 상기 스트론튬 구리 옥사이드에 0
4 4
다수 개의 도전 입자들;무기 바인더;유기 바인더; 및제 1 도전형을 가지는 산화물 반도체를 포함하고,상기 산화물 반도체는(Sr1-X-Y, CaX, KY)Cu2O2 를 포함하고여기서, 0
5 5
다수 개의 도전 입자들;무기 바인더;유기 바인더; 및제 1 도전형을 가지는 산화물 반도체를 포함하고,상기 산화물 반도체는(Sr1-X, CaX)(Cu1-Y, KY)2O2 를 포함하고, 여기서, 0
6 6
삭제
7 7
광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 배치되는 제 1 전극; 및상기 광 흡수층 아래에 배치되는 제 2 전극을 포함하고,상기 제 2 전극은 제 1 도전형을 가지는 산화물 반도체를 포함하고,상기 산화물 반도체는 칼슘 및 칼륨이 도핑된 스트론튬 구리 옥사이드, NiFe2O4 또는 CoFe2O4 를 포함하고,상기 칼륨은 상기 스트론튬 구리 옥사이드에 0
8 8
광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 배치되는 제 1 전극; 및상기 광 흡수층 아래에 배치되는 제 2 전극을 포함하고,상기 제 2 전극은 제 1 도전형을 가지는 산화물 반도체를 포함하고,상기 산화물 반도체는(Sr1-X-Y, CaX, KY)Cu2O2 를 포함하고여기서, 0
9 9
광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 배치되는 제 1 전극; 및상기 광 흡수층 아래에 배치되는 제 2 전극을 포함하고,상기 제 2 전극은 제 1 도전형을 가지는 산화물 반도체를 포함하고,상기 산화물 반도체는(Sr1-X, CaX)(Cu1-Y, KY)2O2 를 포함하고, 여기서, 0
10 10
제 7 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 실리콘 기판을 포함하고,상기 산화물 반도체를 포함하는 BSF층; 및상기 BSF층에 인접하는 후면전극을 더 포함하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.