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(a) 절연층에 다이본딩홀, 전원공급홀 및 하나 이상의 방열홀을 형성하는 단계;(b) 상기 절연층 하부에 도전성 재료로 이루어진 회로패턴층을 형성하는 단계;(c) 상기 다이본딩홀에 의해 노출된 회로패턴층 상에 LED 칩을 실장하는 단계;(d) 상기 LED 칩과 상기 전원공급홀에 의해 노출된 회로패턴층을 연결부를 통해 전기적으로 연결하는 단계;(e) 상기 LED 칩과 연결부를 매립하는 수지부를 형성하는 단계;를 포함하는 테이프 타입 LED 패키지 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 (b) 단계 이후에,(b-1) 상기 절연층 상에 솔더 레지스트층을 형성하는 단계를 더 포함하는 테이프 타입 LED 패키지 제조 방법
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청구항 2에 있어서,상기 (b-1) 단계 이후에,(b-2) 상기 다이본딩홀, 전원공급홀 및 방열홀에 의해 노출된 회로패턴층에 은(Ag)을 포함하는 광반사층을 도금하는 단계를 더 포함하는 테이프 타입 LED 패키지 제조 방법
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청구항 3에 있어서,상기 (b-2) 단계는,상기 절연층이 적층된 회로패턴층의 이면에도 상기 광 반사층을 도금하는 단계를 더 포함하는 테이프 타입 LED 패키지 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 (e) 단계는,형광체 및 투명 레진(Resin)을 과도포하여 볼록 렌즈 형상의 수지부를 형성하는 단계인 테이프 타입 LED 패키지 제조 방법
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도전성 재료로 이루어진 회로패턴층;상기 회로패턴층 상에 형성되며, 다이본딩홀과 전원공급홀 및 하나 이상의 방열홀을 포함하는 절연층;상기 다이본딩홀에 의해 노출된 회로패턴층 상에 실장된 LED 칩;상기 전원공급홀에 의해 노출된 회로패턴층과 상기 LED 칩을 전기적으로 연결하는 연결부;상기 LED 칩과 연결부를 매립하는 수지부;를 포함하며, 상기 방열홀은 상기 다이본딩홀에 의해 상기 회로패턴층이 노출되는 방향과 동일한 방향으로 상기 회로패턴층을 노출하도록 형성되는 테이프 타입 LED 패키지
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청구항 6에 있어서,상기 테이프 타입 LED 패키지는,상기 절연층 상에 솔더 레지스트층을 더 포함하는 테이프 타입 LED 패키지
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청구항 7에 있어서,상기 테이프 타입 LED 패키지는,상기 다이본딩홀, 전원공급홀 및 방열홀에 의해 노출된 회로패턴층 상에 광 반사층을 더 포함하는 테이프 타입 LED 패키지
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청구항 8에 있어서,상기 광 반사층은,상기 절연층이 적층된 회로패턴층의 이면에도 형성되는 테이프 타입 LED 패키지
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청구항 9에 있어서,상기 광 반사층은,은(Ag) 도금 또는 은을 포함하여 도금되는 테이프 타입 LED 패키지
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청구항 6에 있어서,상기 도전성 재료는 구리(Cu)인 테이프 타입 LED 패키지
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청구항 6에 있어서,상기 절연층은 폴리이미드 필름(polyimide film)인 테이프 타입 LED 패키지
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청구항 6에 있어서,상기 수지부의 재료는,형광체 또는 투명 레진(Resin)을 포함하는 테이프 타입 LED 패키지
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청구항 13에 있어서,상기 투명 레진의 재료는 실리콘(Si)인 테이프 타입 LED 패키지
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청구항 6에 있어서,상기 수지부는,볼록 렌즈 형상인 테이프 타입 LED 패키지
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