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태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015061975
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지가 개시된다. 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 이면전극층; 상기 이면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함하며, 상기 윈도우층은 다수 개의 도전성 입자들을 포함한다. 도전성 입자들에 의해서, 윈도우층의 광학적 및 전기적인 특성이 향상된다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100074414 (2010.07.30)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1154577-0000 (2012.06.01)
공개번호/일자 10-2012-0012324 (2012.02.09) 문서열기
공고번호/일자 (20120608) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.30)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최철환 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0496805-18
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0626740-92
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1037630-06
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-1037629-59
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0245139-14
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 배치되는 이면전극층;상기 이면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및상기 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함하며,상기 윈도우층은 다수 개의 도전성 입자들을 포함하는 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 도전성 입자들은 금속 나노 입자들인 태양전지
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 도전성 입자들은 금 또는 은을 포함하는 태양전지
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 윈도우층은 상기 도전성 입자들을 포함하는 나노 입자층을 포함하는 태양전지
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 나노 입자층은 상기 윈도우층의 상면에 인접하는 태양전지
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 광 흡수층 및 상기 윈도우층 사이에 개재되는 버퍼층; 및상기 버퍼층 및 상기 윈도우층 사이에 개재되는 고저항 버퍼층을 포함하며,상기 나노 입자층은 상기 고저항 버퍼층에 직접 접촉하는 태양전지
7 7
제 4 항에 있어서,상기 윈도우층은 상기 광 흡수층 및 상기 나노 입자층 사이에 개재되는 제 1 윈도우층; 및상기 나노 입자층 상에 배치되는 제 2 윈도우층을 포함하며,상기 제 1 윈도우층의 두께는 상기 윈도우층의 두께의 20% 내지 80% 인 태양전지
8 8
제 4 항에 있어서,상기 윈도우층은 상기 광 흡수층 및 상기 나노 입자층 사이에 개재되는 제 1 윈도우층; 및상기 나노 입자층 상에 배치되는 제 2 윈도우층을 포함하며,상기 제 2 윈도우층의 두께는 상기 윈도우층의 두께의 20% 내지 80% 인 태양전지
9 9
제 4 항에 있어서, 상기 나노 입자층은상기 광 흡수층 상에 배치되는 제 1 나노 입자층; 및상기 제 1 나노 입자층과 이격되며, 상기 제 1 나노 입자층 상에 배치되는 제 2 나노 입자층을 포함하는 태양전지
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 도전성 입자들의 직경은 5㎚ 내지 20㎚인 태양전지
11 11
기판 상에 이면전극층을 형성하는 단계;상기 이면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층 상에 다수 개의 도전성 입자들을 포함하는 윈도우층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 윈도우층을 형성하는 단계는상기 광 흡수층 상에 제 1 윈도우층을 형성하는 단계;상기 제 1 윈도우층 상에 상기 도전성 입자들을 증착하여, 나노 입자층을 형성하는 단계; 및상기 나노 입자층 상에 제 2 윈도우층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 나노 입자층을 형성하는 단계는상기 도전성 입자들을 형성하기 위한 스퍼터링 타겟에 RF 전력을 인가하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
14 14
제 12 항에 있어서, 상기 나노 입자층을 형성하는 단계는상기 제 1 윈도우층 상에 상기 도전성 입자들을 포함하는 용액을 코팅하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103038895 CN 중국 FAMILY
2 US08829341 US 미국 FAMILY
3 US20130112269 US 미국 FAMILY
4 WO2012015151 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
5 WO2012015151 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103038895 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN103038895 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP2600421 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2600421 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 US2013112269 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US8829341 US 미국 DOCDBFAMILY
7 WO2012015151 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
8 WO2012015151 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.