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트리클로로실란 제조방법

  • 기술번호 : KST2015061994
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요약 본 발명은 트리클로로실란의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속 실리콘(MG-Si) 분말, 테트라클로로실란, 수소 및 상기 금속 실리콘 분말보다 작은 입도를 갖는 미분 금속 실리콘을 반응시키는 것을 특징으로 하는 트리클로로실란 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 작은 입도 및 높은 금속 성분의 함량을 갖는 미분 금속 실리콘을 이용하여 촉매의 사용 없이 트리클로로실란을 고수율로 제조할 수 있으며, 이와 같이 촉매의 사용을 배제하므로 촉매와 금속 실리콘 분말의 추가 혼합 공정이 요구되지 않으며, 미세 촉매 입자에 의한 비산 방출에 기인한 수율 저하를 해결할 수 있고, 나아가 금속 염화물과 같은 불순물의 생성을 억제하여 안정적으로 높은 수율의 트리클로로실란의 제조가 가능하다.
Int. CL B01J 8/00 (2006.01) C01B 33/107 (2006.01)
CPC C01B 33/10742(2013.01) C01B 33/10742(2013.01)
출원번호/일자 1020100075231 (2010.08.04)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1309600-0000 (2013.09.11)
공개번호/일자 10-2012-0013071 (2012.02.14) 문서열기
공고번호/일자 (20130923) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.09)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강성훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 최철환 대한민국 대전광역시 유성구
3 최광욱 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0503379-24
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0615358-59
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.02.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0021996-35
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0234607-68
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0361784-29
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0361781-93
8 등록결정서
Decision to grant
2013.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0629954-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
11 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2018.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0576208-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 실리콘(MG-Si) 분말, 테트라클로로실란, 수소 및 상기 금속 실리콘 분말 입도의 40% 이하의 입도를 갖는 미분 금속 실리콘을 반응시키는 것을 특징으로 하는 트리클로로실란 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 금속 실리콘 분말의 입도는 10-1000㎛인 트리클로로실란 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 금속 실리콘 분말의 입도는 100-500㎛인 트리클로로실란 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서, 상기 미분 금속 실리콘의 입도는 상기 금속 실리콘 분말 입도의 20%이하인 트리클로로실란 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 미분 금속 실리콘에 함유된 철 성분은 상기 금속 실리콘 분말에 함유된 철 성분의 20%를 초과하는 트리클로로실란 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 미분 금속 실리콘에 함유된 구리 성분은 상기 금속 실리콘 분말에 함유된 구리 성분의 20%를 초과하는 트리클로로실란 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 미분 금속 실리콘에 함유된 구리 성분 및 철 성분은 각각 상기 금속 실리콘 분말에 함유된 구리 성분 및 철 성분의 20%를 초과하는 트리클로로실란 제조방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 미분 금속 실리콘은 상기 금속 실리콘 분말 100 중량부 당 0
10 10
제 1항에 있어서, 상기 반응은 400 내지 800℃의 온도에서 이루어지는 트리클로로실란 제조방법
11 11
제 1항에 있어서, 상기 반응은 450 내지 650℃의 온도에서 이루어지는 트리클로로실란 제조방법
12 12
제 1항에 있어서, 상기 반응은 상압 내지 40 barr의 압력에서 이루어지는 트리클로로실란 제조방법
13 13
제 1항에 있어서, 상기 반응은 10 내지 35 barr의 압력에서 이루어지는 트리클로로실란 제조방법
14 14
제 1항에 있어서, 상기 반응은 염화수소(HCl)를 추가로 첨가하여 이루어지는 트리클로로실란 제조방법
15 15
제 1항에 있어서, 상기 반응은 유동층 반응기 또는 고정층 반응기에서 이루어지는 트리클로로실란 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.