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금속 실리콘(MG-Si) 분말, 테트라클로로실란, 수소 및 상기 금속 실리콘 분말 입도의 40% 이하의 입도를 갖는 미분 금속 실리콘을 반응시키는 것을 특징으로 하는 트리클로로실란 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 금속 실리콘 분말의 입도는 10-1000㎛인 트리클로로실란 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 금속 실리콘 분말의 입도는 100-500㎛인 트리클로로실란 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 미분 금속 실리콘의 입도는 상기 금속 실리콘 분말 입도의 20%이하인 트리클로로실란 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 미분 금속 실리콘에 함유된 철 성분은 상기 금속 실리콘 분말에 함유된 철 성분의 20%를 초과하는 트리클로로실란 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 미분 금속 실리콘에 함유된 구리 성분은 상기 금속 실리콘 분말에 함유된 구리 성분의 20%를 초과하는 트리클로로실란 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 미분 금속 실리콘에 함유된 구리 성분 및 철 성분은 각각 상기 금속 실리콘 분말에 함유된 구리 성분 및 철 성분의 20%를 초과하는 트리클로로실란 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 미분 금속 실리콘은 상기 금속 실리콘 분말 100 중량부 당 0
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제 1항에 있어서, 상기 반응은 400 내지 800℃의 온도에서 이루어지는 트리클로로실란 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 반응은 450 내지 650℃의 온도에서 이루어지는 트리클로로실란 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 반응은 상압 내지 40 barr의 압력에서 이루어지는 트리클로로실란 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 반응은 10 내지 35 barr의 압력에서 이루어지는 트리클로로실란 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 반응은 염화수소(HCl)를 추가로 첨가하여 이루어지는 트리클로로실란 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 반응은 유동층 반응기 또는 고정층 반응기에서 이루어지는 트리클로로실란 제조방법
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