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양이온성 광개시제를 이용한 고흡수성 수지의 제조 방법 및 고흡수성 수지 제조용 조성물

  • 기술번호 : KST2015062035
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양이온성 광개시제를 이용한 고흡수성 수지의 제조 방법 및 고흡수성 수지 제조용 조성물에 관한 것으로, 구체적으로 상기 제조 방법은 수용성 에틸렌계 불포화 단량체 및 양이온성 광개시제를 포함하는 모노머 조성물을 준비하는 단계; 및 상기 모노머 조성물에 자외선을 조사하여 중합하는 단계를 포함한다.상기의 제조 방법에 의하면, 산소에 의한 반응 속도 저감 현상이 완화되어 중합 반응의 전환율 및 생산속도를 높일 수 있어 우수한 물성을 갖는다.
Int. CL C08F 20/00 (2006.01) B01J 20/26 (2006.01) C08F 2/50 (2006.01) C08F 2/48 (2006.01)
CPC C08F 2/48(2013.01) C08F 2/48(2013.01) C08F 2/48(2013.01) C08F 2/48(2013.01) C08F 2/48(2013.01) C08F 2/48(2013.01) C08F 2/48(2013.01) C08F 2/48(2013.01) C08F 2/48(2013.01) C08F 2/48(2013.01)
출원번호/일자 1020100075359 (2010.08.04)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1299649-0000 (2013.08.19)
공개번호/일자 10-2012-0013152 (2012.02.14) 문서열기
공고번호/일자 (20130823) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.29)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기철 대한민국 대전광역시 유성구
2 이상기 대한민국 대전광역시 유성구
3 김규팔 대한민국 부산광역시 금정구
4 원태영 대한민국 부산광역시 금정구
5 한장선 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0504253-59
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0764077-85
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.11.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0093659-85
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0800911-75
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.02.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0172776-86
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0172772-04
8 등록결정서
Decision to grant
2013.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0529982-05
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
수용성 에틸렌계 불포화 단량체 및 디아조디설폰 화합물, 술포늄염, 이오도늄염 및 설포네이트 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 양이온성 광개시제를 포함하는 모노머 조성물을 준비하는 단계; 및상기 모노머 조성물에 자외선을 조사하여 중합하는 단계를 포함하는 고흡수성 수지의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,상기 디아조디설폰 화합물은 하기 화학식 1로 표현되는 화합물인 제조 방법:화학식 1단, 상기 화학식 1에서 R1은 페닐기, 싸이클로 헥실기, 메틸 페닐기, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기이다
4 4
제 3항에 있어서,상기 디아조디설폰 화합물은 비스(사이클로헥실술포닐)디아조메탄 (Bis(cyclohexylsulfonyl)diazomethane), 비스(t-부틸술포닐)디아조메탄 (Bis(t-butylsulfonyl)diazomethane) 및 비스(p-톨루엔술포닐)디아조메탄(Bis(p-toluenesulfonyl)diazomethane)으로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상인 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 술포늄염은 하기 화학식 2로 표현되는 화합물인 제조 방법:화학식 2단, 상기 화학식2에서 R2는 수소, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 탄소수 1 내지 5의 알콕시기, 페닐기 또는 사이클로 헥실기이고, R3는 PF6- 또는 R4SO3-이고, 이때 R4는 CF3, C2F5, C3F7, 또는C4F9이다
6 6
제 5항에 있어서,상기 술포늄염은 디페닐-4-메틸페닐술포늄 트리플로로메탄술포네이트(Diphenyl-4-methylphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate), 디페닐-4-메틸페닐술포늄 퍼플루오로부탄설포네이트(Diphenyl-4-methylphenylsulfonium perfluorobutanesulfonate), 디페닐-4-메톡시페닐술포늄 트리플로로메탄술포네이트(Diphenyl-4-methoxylphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate) 및 트리아릴 설포늄 헥사플로로 포스페이트(triaryl sulfonium hexafluoro phosphate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 제조 방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 이오도늄염은 하기 화학식 3으로 표현되는 디페닐 이오도늄염인 제조 방법:화학식 3단, 상기 화학식 3에서 R5는 PF6- 또는 R6SO3-이고, 이때 R6는 CF3, C4F9, 또는 이고, R7은 탄소수 1 내지 5의 알킬기이며, 상기 R8 및 R9는 각각 독립적으로 수소 또는 이다
8 8
제 1항에 있어서,상기 이오도늄염은 디페닐 이오도늄 트리플로로메탄설포네이트(Diphenyl iodonium trifluoromethanesulfonate), 디페닐 이오도늄 캠포메틸설포네이트(Diphenyl iodonium camphormethylsulfonate) 및 이오도늄 일리덴 비스(4,1-페닐렌옥시-4,1-페닐렌)비스[디스페닐 술포늄] 트리(헥사플로로포스페이트) [Iodoniumylidenebis(4,1-phenyleneoxy-4,1-phenylene)bis[disphenylsulfonium] tri(hexafluorophosphate)]로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 제조 방법
9 9
제 1항에 있어서,상기 설포네이트 화합물은 하기 화학식 4로 표현되는 화합물인 제조 방법:화학식 4단, 상기 화학식 4에서 R10은 CF3, C2F5, C3F7, 또는C4F9이다
10 10
제 9항에 있어서,상기 설포네이트 화합물은 N-하이드록시-5-노보넨-2,3-디카르복시미드 트리플로로메탄설포네이트(N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboximide trifluoromethanesulfonate) 및 N-하이드록시-5-노보넨-2,3-디카르복시미드 퍼플루오로-1-부텐설포네이트(N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboximide perfluoro-1-butanesulfonate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 제조 방법
11 11
제 1 항에 있어서,상기 수용성 에틸렌계 불포화 단량체는 아크릴산, 메타아크릴산, 무수말레인산, 푸말산, 크로톤산, 이타콘산, 2-아크릴로일에탄 술폰산, 2-메타아크릴로일에탄술폰산, 2-(메타)아크릴로일프로판술폰산, 또는 2-(메타)아크릴아미드-2-메틸 프로판 술폰산 및 이들 각각의 염; (메타)아크릴아미드, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트 또는 폴리에틸렌 글리콜(메타)아크릴레이트; 및(N,N)-디메틸아미노에틸(메타)아크릴레이트 또는 (N,N)-디메틸아미노프로필(메타)아크릴아미드 및 이들의 4급화물로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상인 고흡수성 수지의 제조 방법
12 12
제 1항에 있어서,상기 모노머 조성물 중 수용성 에틸렌계 불포화 단량체의 농도는 30 내지 60 중량 %인 고흡수성 수지의 제조방법
13 13
제 1항에 있어서,상기 모노머 조성물 중 양이온성 광개시제는 수용성 에틸렌계 불포화 단량체 100 중량부에 대해 0
14 14
제 1항에 있어서, 상기 모노머 조성물은 아세토페논, 벤조인, 벤조페논, 벤질, 디에톡시 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 벤질 디메틸 타르, 4-(2-히드록시 에톡시)페닐-(2-히드록시)-2-프로필 케톤, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤조인메틸에테르, 벤조일에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, o-벤조일 안식향산 메틸, 4-페닐 벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸-디페닐 황화물, (4-벤조일 벤질)트리메틸 암모늄 염화물, 비스 (2,4,6-트리메틸 벤조일)-페닐 포스핀 옥시드, 디페닐(2,4,6-트리메틸벤조일)-포스핀 옥시드, 2-히드록시 메틸 프로피온니트릴, 및 2,2'-{아조비스(2-메틸-N-[1,1'-비스(히드록시메틸)-2-히드록시 에틸]프로피온 아미드)의 광개시제 군; 및과황산나트륨(Sodium persulfate; Na2S2O8), 과황산칼륨(Potassium persulfate; K2S2O8), 과황산암모늄(Ammonium persulfate; (NH4)2S2O8), 2, 2-아조비스-(2-아미디노프로판)이염산염(2, 2-azobis(2-amidinopropane) dihydrochloride), 2, 2-아조비스-(N, N-디메틸렌)이소부티라마이딘 디하이드로클로라이드(2,2-azobis-(N, N-dimethylene)isobutyramidine dihydrochloride), 2-(카바모일아조)이소부티로니트릴(2-(carbamoylazo)isobutylonitril), 2, 2-아조비스[2-(2-이미다졸린-2-일)프로판] 디하이드로클로라이드(2,2-azobis[2-(2-imidazolin-2-yl)propane] dihydrochloride), 및 4,4-아조비스-(4-시아노발레릭 산)(4,4-azobis-(4-cyanovaleric acid))의 열개시제 군에서 선택되는 1 종 이상을 수용성 에틸렌계 불포화 단량체 100 중량부에 대하여 0
15 15
제 1항에 있어서,상기 모노머 조성물은 탄소수 8 내지 12 의 비스 아크릴아미드, 비스 메타 아크릴 아미드, 탄소수 2 내지 10인 폴리올의 폴리(메타)아크릴레이트, 탄소수 2 내지10인 폴리올의 폴리(메타)알릴에테르, N,N'-메틸렌비스(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥시(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌옥시(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥시(메타)아크릴레이트, 글리세린 디아크릴레이트, 글리세린 트리아크릴레이트, 트리메티롤프로판 트리아크릴레이트, 트리 알릴 아미드, 트리아릴시아누레이트, 트리알릴이소시아네이트, 폴리에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜 및 프로필렌글리콜로 이루어진 가교제군에서 선택되는 1종 이상을 수용성 에틸렌계 불포화 단량체 100중량부에 대하여 0
16 16
제 1항에 있어서,상기 자외선 조사는 제논 램프, 수은 램프, 메탈할라이드 램프로 이루어진 자외선 조사원 군으로부터 선택되는 하나 이상을 이용한 제조 방법
17 17
제 1항에 있어서,상기 자외선을 이용한 중합 단계 후의 잔존 모노머 양은 주입되는 모노머 조성물 전체 중량의 1중량% 미만인 고흡수성 수지의 제조 방법
18 18
제 1항에 있어서,상기 중합 단계를 거친 중합체를 분쇄하는 단계;상기 분쇄된 중합체를 건조하는 단계; 및상기 건조된 중합체를 추가로 분쇄하는 단계를 더 포함하는 고흡수성 수지 제조 방법
19 19
디아조디설폰 화합물, 술포늄염, 이오도늄염 및 설포네이트 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상의 양이온성 광개시제와 수용성 에틸렌계 불포화 단량체를 포함하는 고흡수성 수지 제조용 모노머 조성물
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.