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질화물계 발광 소자

  • 기술번호 : KST2015062090
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로 특히, 질화물계 발광 소자의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 제1면 및 제2면을 갖는 질화물계 반도체층; 상기 제1면 상에 위치하는 요철 구조; 상기 요철 구조 상에 위치하는 제1전극; 상기 제2면 상에 위치하는 광 추출층; 상기 광 추출층 상에 위치하는 제2전극; 및 상기 질화물계 반도체층의 적어도 일측면 상에 위치하는 보호층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020100080740 (2010.08.20)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0017850 (2012.02.29) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.04.14)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최윤호 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 방해철 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0537217-88
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-1239769-28
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0362335-91
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.02.05 수리 (Accepted) 9-1-2016-0006689-75
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0119549-02
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.03.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0312590-45
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2016-0312600-14
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0617945-16
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0941694-71
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.09.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0941692-80
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2016.11.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0795350-91
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-1292156-18
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.12.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-1292155-62
16 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0369841-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질소 극성 면인 제1면 및 갈륨 극성 면인 제2면을 갖고, 50 내지 300 ㎛의 두께를 가지는 질화물 반도체 후막;상기 질소 극성 면인 제1면 상에 위치하고, 45°내지 80°의 측면 경사각을 가지는 요철 구조;상기 제2면 상에 위치하는 질화물 반도체 박막;상기 요철 구조 상에 위치하고 반사 전극으로 작용하는 제1전극;상기 질화물 반도체 박막 상에 위치하는 광 추출층;상기 광 추출층 상에 위치하는 제2전극; 및상기 질화물 반도체 박막의 적어도 일측면 상에 위치하는 보호층을 포함하는 질화물계 발광 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 광 추출층은, 상기 질화물 반도체 박막의 일부인 광 추출 구조인 질화물계 발광 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 광 추출층은, 투명 전도성층인 질화물계 발광 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 광 추출층은, 광 추출 구조를 가지는 투명 전도성층인 질화물계 발광 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1전극은 상기 요철 구조에 접촉하는 반사 전극인 질화물계 발광 소자
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서, 상기 요철 구조는, 상기 제1전극의 오믹 접촉 특성 향상을 위한 질화물계 발광 소자
9 9
제1항에 있어서, 상기 요철 구조는, 원뿔 형상, 상부 폭이 하부 폭보다 좁은 다각 기둥, 스트라이프 형상의 삼각 기둥 중 어느 하나인 질화물계 발광 소자
10 10
제1항에 있어서, 상기 요철 구조를 이루는 단위 형상의 크기는 3㎛ 내지 6㎛인 질화물계 발광 소자
11 11
삭제
12 12
제1항에 있어서, 상기 요철 구조 상에는 미세 필라 구조가 위치하는 질화물계 발광 소자
13 13
제12항에 있어서, 상기 미세 필라 구조는, 나노 스케일인 질화물계 발광 소자
14 14
제1항에 있어서, 상기 보호층은, SiO2, SiNx, 및 SiONx 중 적어도 어느 하나인 질화물계 발광 소자
15 15
제1항에 있어서, 상기 질화물 반도체 후막은 기판으로 작용하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자
16 16
삭제
17 17
제1항에 있어서, 상기 질화물 반도체 박막은, 제1 전도성 반도체층, 활성층, 제2 전도성 반도체층을 포함하는 질화물계 발광 소자
18 18
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.