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태양전지

  • 기술번호 : KST2015062092
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지에 관한 것이다.본 발명의 일례에 따른 태양 전지는 광이 입사되는 입사면과 광이 입사면의 반대면인 후면을 포함하며, 제1 도전성 타입의 기판; 기판의 후면과 전기적으로 연결되어 있고 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖는 적어도 하나의 에미터부; 적어도 하나의 에미터부와 전기적으로 연결되어 있는 제 1 전극; 및 기판의 후면과 전기적으로 연결된 제 2 전극;을 포함하며, 에미터부는 내부의 Si-Si 결합의 개수가 7.48×1022/cm3 ~ 9.2×1022/cm3인 비정질 실리콘(Amorphous Silicon, A-Si)층을 포함한다.
Int. CL H01L 31/068 (2006.01) H01L 31/0216 (2014.01)
CPC H01L 31/068(2013.01) H01L 31/068(2013.01) H01L 31/068(2013.01) H01L 31/068(2013.01)
출원번호/일자 1020100081923 (2010.08.24)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1692429-0000 (2016.12.28)
공개번호/일자 10-2012-0021964 (2012.03.09) 문서열기
공고번호/일자 (20170103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.07.07)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 어영주 대한민국 서울특별시 서초구
2 박기훈 대한민국 서울특별시 서초구
3 신호정 대한민국 서울특별시 서초구
4 최정훈 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0545125-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2015-0655326-74
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.01.08 수리 (Accepted) 9-1-2016-0001833-93
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0261793-78
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.05.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0510579-31
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0510569-85
9 등록결정서
Decision to grant		 2016.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0774397-99
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광이 입사되는 입사면과 광이 상기 입사면의 반대면인 후면을 포함하는 제1 도전성 타입의 기판;상기 기판의 후면과 전기적으로 연결되어 있고 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖는 적어도 하나의 에미터부;상기 적어도 하나의 에미터부와 전기적으로 연결되어 있는 제 1 전극; 및상기 기판의후면과 전기적으로 연결된 제 2 전극;을 포함하며,상기 에미터부는 내부의 Si-Si 결합의 개수가 7
2 2
제 1 항에 있어서,상기 태양전지는상기 기판의 후면과 상기 제 2 전극 사이에 배치되며, 상기 제 1 도전성 타입을 갖는 후면 전계부;를 더 포함하며,상기 후면 전계부는 내부의 Si-Si 결합의 개수가 7
3 3
제 2 항에 있어서,상기 태양전지는상기 기판의 후면과 상기 에미터부 및 상기 기판의 후면과 상기 후면 전계부 사이에 배치되는 후면 보호부;를 더 포함하며, 상기 후면 보호부는 내부의 Si-Si 결합의 개수가 7
4 4
제 1 항에 있어서,상기 태양전지는상기 기판의 입사면에 배치되는 전면 보호부;를 더 포함하며,상기 전면 보호부는 내부의 Si-Si 결합의 개수가 7
5 5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 비정질 실리콘층 내부의 Si-H 결합 개수는 상기 Si-Si 결합 개수보다 낮은 것을 특징으로 하는 태양전지
6 6
삭제
7 7
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 비정질 실리콘층은 챔버 내부에서 수소 가수(H2) 대 실란 가스(SiH4)의 비율(H2/SiH4)이 3 내지 60 사이인 상태에서 증착되어 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
8 8
제 2 항에 있어서,상기 에미터부의 폭은 상기 후면 전계부의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 태양전지
9 9
제 8 항에 있어서,상기 에미터부의 폭 대비 상기 후면 전계부의 폭에 대한 비는 1
10 10
제 3 항에 있어서,상기 후면 보호부는 상기 기판의 후면과 상기 에미터부 사이에 위치한 부분의 두께 또는 상기 기판의 후면과 상기 후면 전계부 사이에 위치한 부분의 두께가 후면 보호부의 나머지 부분의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.