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슈퍼 커패시터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015062101
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요약 본 발명은 동일층에 이격공간을 두고 형성된 제 1 전극 및 제 2 전극, 상기 제 1 전극과 제 2 전극의 이격공간에 삽입되며, 상기 제 1 전극과 제 2 전극의 상부면 및 하부면을 덮는 구조로 형성되는 고분자 전해질층 및 상기 고분자 전해질층의 상부면 및 하부면 상에 형성되어 실링(sealing)하는 고분자 수지층을 포함하는 슈퍼 커패시터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면 고분자 수지를 실링재로 사용하고 스크린 프린팅 방식으로 전극을 형성함으로써 슈퍼 커패시터의 두께를 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01G 11/22 (2013.01) H01G 11/80 (2013.01) H01G 11/56 (2013.01)
CPC H01G 11/80(2013.01) H01G 11/80(2013.01) H01G 11/80(2013.01) H01G 11/80(2013.01)
출원번호/일자 1020100078611 (2010.08.16)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1148126-0000 (2012.05.15)
공개번호/일자 10-2012-0016343 (2012.02.24) 문서열기
공고번호/일자 (20120523) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.16)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경호 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0523730-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0066503-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0518496-90
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0895907-15
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0895927-17
7 등록결정서
Decision to grant
2012.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0185929-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
동일층에 이격공간을 두고 형성된 제 1 전극 및 제 2 전극;상기 제 1 전극과 제 2 전극의 이격공간에 삽입되며, 상기 제 1 전극과 제 2 전극의 상부면 및 하부면을 덮는 구조로 형성되는 고분자 전해질층;페릴린(parylene)으로 구성되며, 상기 고분자 전해질층의 상부면 및 하부면 상에 형성되어 실링(sealing)하는 고분자 수지층;을 포함하는 슈퍼 커패시터
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제 1 전극 및 제 2 전극은,활성탄소, 도전제, 바인더를 포함하는 활물질전극인 슈퍼 커패시터
3 3
청구항 1에 있어서,상기 제 1 전극 및 제 2 전극은,서로 대향하는 제 1 외부전극 및 제 2 외부전극;상기 제 1 외부전극과 제 2 외부전극에 직교되도록 형성되며 상호 교대로 배열된 다수의 제 1 내부전극 및 제 2 내부전극;을 포함하는 슈퍼 커패시터
4 4
청구항 1에 있어서,상기 제 1 전극 및 제 2 전극의 두께는 200 내지 400 ㎛인 슈퍼 커패시터
5 5
청구항 3에 있어서,상기 제 1 외부전극과 제 2 외부전극 간의 간격은 2 내지 10 ㎜인 슈퍼 커패시터
6 6
청구항 3에 있어서,상기 제 1 내부전극과 제 2 내부전극 간의 간격은 5 내지 100 ㎛인 슈퍼 커패시터
7 7
청구항 3에 있어서,상기 제 1 내부전극 및 제 2 내부전극의 폭은 5 내지 100 ㎛인 슈퍼 커패시터
8 8
청구항 3에 있어서,상기 슈퍼 커패시터는,상기 제 1 외부전극 및 제 2 외부전극의 일면 중 상기 제 1 내부전극과 제 2 내부전극이 형성되지 않은 일면에 형성되는 리드부를 더 포함하는 슈퍼 커패시터
9 9
(A) 투명필름 상에 활성탄소, 도전제, 바인더를 포함하는 활물질전극을 스크린 프린팅 방식으로 도포하여 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성하는 단계;(B) 상기 제 1 전극과 제 2 전극 상에 고분자 전해질을 도포하여 고분자 전해질층을 형성하는 단계;(C) 상기 고분자 전해질층 상에 페릴린(parylene)으로 구성된 고분자 수지를 도포하여 실링(sealing)하는 단계;를 포함하는 슈퍼 커패시터의 제조 방법
10 10
청구항 9에 있어서,상기 (A) 단계는,서로 대향하는 제 1 외부전극 및 제 2 외부전극과,상기 제 1 외부전극과 제 2 외부전극에 직교되며 상호 교대로 배열되는 제 1 내부전극 및 제 2 내부전극을 형성하는 단계인 슈퍼 커패시터의 제조 방법
11 11
청구항 9에 있어서,상기 (A) 단계는,상기 활물질전극을 도포하여 200 내지 400 ㎛의 두께로 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성하는 단계인 슈퍼 커패시터의 제조 방법
12 12
청구항 10에 있어서,상기 (A) 단계는,상기 제 1 외부전극 및 제 2 외부전극의 일면 중 상기 제 1 내부전극과 제 2 내부전극이 형성되지 않은 일면에 리드부를 형성하는 단계를 더 포함하는 슈퍼 커패시터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.