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동일층에 이격공간을 두고 형성된 제 1 전극 및 제 2 전극;상기 제 1 전극과 제 2 전극의 이격공간에 삽입되며, 상기 제 1 전극과 제 2 전극의 상부면 및 하부면을 덮는 구조로 형성되는 고분자 전해질층;페릴린(parylene)으로 구성되며, 상기 고분자 전해질층의 상부면 및 하부면 상에 형성되어 실링(sealing)하는 고분자 수지층;을 포함하는 슈퍼 커패시터
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청구항 1에 있어서,상기 제 1 전극 및 제 2 전극은,활성탄소, 도전제, 바인더를 포함하는 활물질전극인 슈퍼 커패시터
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청구항 1에 있어서,상기 제 1 전극 및 제 2 전극은,서로 대향하는 제 1 외부전극 및 제 2 외부전극;상기 제 1 외부전극과 제 2 외부전극에 직교되도록 형성되며 상호 교대로 배열된 다수의 제 1 내부전극 및 제 2 내부전극;을 포함하는 슈퍼 커패시터
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청구항 1에 있어서,상기 제 1 전극 및 제 2 전극의 두께는 200 내지 400 ㎛인 슈퍼 커패시터
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청구항 3에 있어서,상기 제 1 외부전극과 제 2 외부전극 간의 간격은 2 내지 10 ㎜인 슈퍼 커패시터
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청구항 3에 있어서,상기 제 1 내부전극과 제 2 내부전극 간의 간격은 5 내지 100 ㎛인 슈퍼 커패시터
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청구항 3에 있어서,상기 제 1 내부전극 및 제 2 내부전극의 폭은 5 내지 100 ㎛인 슈퍼 커패시터
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8
청구항 3에 있어서,상기 슈퍼 커패시터는,상기 제 1 외부전극 및 제 2 외부전극의 일면 중 상기 제 1 내부전극과 제 2 내부전극이 형성되지 않은 일면에 형성되는 리드부를 더 포함하는 슈퍼 커패시터
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(A) 투명필름 상에 활성탄소, 도전제, 바인더를 포함하는 활물질전극을 스크린 프린팅 방식으로 도포하여 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성하는 단계;(B) 상기 제 1 전극과 제 2 전극 상에 고분자 전해질을 도포하여 고분자 전해질층을 형성하는 단계;(C) 상기 고분자 전해질층 상에 페릴린(parylene)으로 구성된 고분자 수지를 도포하여 실링(sealing)하는 단계;를 포함하는 슈퍼 커패시터의 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 (A) 단계는,서로 대향하는 제 1 외부전극 및 제 2 외부전극과,상기 제 1 외부전극과 제 2 외부전극에 직교되며 상호 교대로 배열되는 제 1 내부전극 및 제 2 내부전극을 형성하는 단계인 슈퍼 커패시터의 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 (A) 단계는,상기 활물질전극을 도포하여 200 내지 400 ㎛의 두께로 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성하는 단계인 슈퍼 커패시터의 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 (A) 단계는,상기 제 1 외부전극 및 제 2 외부전극의 일면 중 상기 제 1 내부전극과 제 2 내부전극이 형성되지 않은 일면에 리드부를 형성하는 단계를 더 포함하는 슈퍼 커패시터의 제조 방법
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