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태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015062107
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요약 본 발명은 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는, 기판, 기판상의 에미터층, 에미터층을 분리(Isolation)하여 기판의 전면과 후면을 절연시키는 적어도 하나의 홈, 에미터층 상의 반사방지막, 방사방지막을 관통하여 에미터층과 접하는 전면전극 및 전면전극과 접하는 전극층을 포함하고, 반사방지막은 홈에 충진되며, 전극층은 홈에 충진된 반사방지막 상에 위치할 수 있다. 이에 의해, 하나의 태양전지마다 역전류를 바이패스 시키는 트랜지스터가 집적되어, 태양전지 내의 국부적인 영역에서 발생하는 역전류를 제어할 수 있다.
Int. CL H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/044 (2014.01) H01L 31/0224 (2006.01) H01L 31/05 (2014.01)
CPC H01L 31/044(2013.01) H01L 31/044(2013.01) H01L 31/044(2013.01) H01L 31/044(2013.01) H01L 31/044(2013.01) H01L 31/044(2013.01)
출원번호/일자 1020100082132 (2010.08.24)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1643871-0000 (2016.07.25)
공개번호/일자 10-2012-0019042 (2012.03.06) 문서열기
공고번호/일자 (20160729) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.07.08)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심승환 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 김진아 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 남정범 대한민국 경상남도 창원시 성산구
4 정인도 대한민국 경상남도 창원시 성산구
5 양주홍 대한민국 경상남도 창원시 성산구
6 정일형 대한민국 경상남도 창원시 성산구
7 권형진 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0546624-68
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0661597-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0042425-66
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.03.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0232776-86
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0232782-50
7 등록결정서
Decision to grant
2016.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0448585-63
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판, 전면 전극, 후면 전극 및 트랜지스터를 포함하고,상기 트랜지스터의 게이트와 소스는 상기 전면 전극과 연결되며, 상기 트랜지스터의 드레인은 상기 후면 전극과 연결되고,태양전지에 역방향 바이어스가 발생될 때, 상기 역방향 바이어스가 상기 트랜지스터의 게이트 전압 및 소스 전압으로 인가되어 상기 역방향 바이어스에 의한 역전류를 바이패스 시키는 태양전지
2 2
제1항에 있어서,상기 기판상에 에미터층과 상기 에미터층을 분리(Isolation)하는 홈을 포함하고, 상기 소스와 상기 드레인은 상기 홈에 의해 분리된 상기 에미터층인 태양전지
3 3
제2항에 있어서,상기 소스 및 상기 드레인 상에 절연층을 포함하고, 상기 절연층은 상기 홈에 충진된 태양전지
4 4
제3항에 있어서,상기 절연층은 반사방지막인 태양전지
5 5
제3항에 있어서,상기 전면전극은 상기 절연층을 관통하여 상기 소스와 연결되는 태양전지
6 6
제1항에 있어서,상기 후면전극과 상기 기판 사이에 후면 전계층을 포함하는 태양전지
7 7
제1항에 있어서,상기 소스와 상기 드레인은 n형 반도체층인 태양전지
8 8
기판;상기 기판상의 에미터층;상기 에미터층을 분리(Isolation)하여 상기 기판의 전면과 후면을 절연시키는 적어도 하나의 홈;상기 에미터층 상의 반사방지막;상기 방사방지막을 관통하여 상기 에미터층과 접하는 전면전극; 상기 전면전극과 접하는 전극층; 및 상기 전면전극과 이격 형성되는 후면 전극을 포함하고,상기 반사방지막은 상기 홈에 충진되며, 상기 전극층은 상기 홈에 충진된 상기 반사방지막 상에 위치하고, 상기 전극층이 게이트, 상기 에미터층이 소스와 드레인으로 트랜지스터를 구현하고, 상기 게이트와 상기 소스는 상기 전면 전극과 연결되고 상기 드레인은 상기 후면 전극과 연결되며, 태양전지에 역방향 바이어스가 발생될 때, 상기 역방향 바이어스가 상기 트랜지스터의 게이트 전압 및 소스 전압으로 인가되어 상기 역방향 바이어스에 의한 역전류를 바이패스 시키는 태양전지
9 9
삭제
10 10
제8항에 있어서,상기 홈에 의해 분리된 상기 에미터층 중 상기 전면전극과 접하는 상기 에미터층이 상기 소스인 태양전지
11 11
제8항에 있어서,상기 전극층은 투명전극층인 태양전지
12 12
제8항에 있어서,상기 기판, 상기 에미터층 및 상기 반사방지막의 표면은 요철구조인 태양전지
13 13
제8항에 있어서,상기 반사방지막은, 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiO2) 및 인트린식(intrinsic) 비정질 실리콘으로 구성된 그룹 중에서 선택된 어느 하나 이상의 물질로 이루어지는 태양전지
14 14
기판 상에 에미터층을 형성하는 단계; 상기 기판의 전면과 후면을 절연시키기 위한 홈을 형성하여 상기 에미터층을 분리(Isolation)하는 단계;상기 에미터층 상에 반사방지막을 형성하는 단계;상기 반사방지막을 관통하여 상기 에미터층과 접속하는 전면전극을 형성하는 단계; 상기 반사방지막 상에 전면전극과 접속하는 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 전면전극과 이격 형성되는 후면전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전극층이 게이트, 상기 에미터층이 소스와 드레인으로 트랜지스터를 구현하여, 상기 게이트와 상기 소스는 상기 전면 전극과 연결되고 상기 드레인은 상기 후면 전극과 연결되며, 태양전지에 역방향 바이어스가 발생될 때, 상기 역방향 바이어스가 상기 트랜지스터의 게이트 전압 및 소스 전압으로 인가되어 상기 역방향 바이어스에 의한 역전류를 바이패스 시키는 태양전지 제조방법
15 15
제14항에 있어서,상기 반사방지막은 상기 홈에 충진되고, 상기 전극층은 상기 홈의 위치에 대응하도록 위치하는 태양전지 제조방법
16 16
제14항에 있어서, 상기 에미터층을 형성하는 단계는 상기 기판과 반대되는 전도형을 가지는 불순물을 도핑(doping)하여 이루어지는 태양전지 제조방법
17 17
제14항에 있어서,상기 홈은 레이저 아이솔레이션법, 플라즈마 에칭법 및 식각용액 에칭법 중 어느 하나의 방법으로 이루어지는 태양전지 제조방법
18 18
제14항에 있어서,상기 전극층을 형성하는 단계는 유리프릿을 포함하지 않은 페이스트를 도포하여 형성하는 태양전지 제조방법
19 19
제14항에 있어서,상기 기판의 후면에 후면전극을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지 제조방법
20 20
제19항에 있어서,상기 기판의 후면과 상계 후면전극 사이에 후면 전계층이 형성되는 태양전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.