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기판;상기 기판 위에 서로 이격되어 형성된 복수의 전극; 및상기 기판 및 상기 복수의 전극 위에 위치하는 복수의 광전변환 유닛;을 포함하고,상기 기판에 인접한 부분에서 상기 복수의 전극과 상기 복수의 광전변환 유닛이 서로 교호 배치되며,상기 광전변환 유닛은 상기 전극 위에 위치하는 p형 도핑층과 상기 전극 위에서 상기 p형 도핑층과 이격 위치하는 n형 도핑층을 포함하는 박막형 태양전지 모듈
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제1항에 있어서,상기 광전변환 유닛은 상기 p형 도핑층과 상기 n형 도핑층의 사이 및 상기 p형 도핑층과 상기 n형 도핑층 상에 i층을 포함하는 박막형 태양전지 모듈
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제2항에 있어서,상기 i층이 상기 복수의 전극 사이에서 상기 기판 위에 위치하는 박막형 태양전지 모듈
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제1항에 있어서,상기 전극 위에서 상기 p형 도핑층과 상기 n형 도핑층 사이에 위치하는 절연층을 더 포함하는 박막형 태양전지 모듈
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제1항에 있어서,인접한 두 개의 광전변환 유닛 사이에 절연층을 포함하는 박막형 태양전지 모듈
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제1항에 있어서,상기 복수의 광전변환 유닛 상에는 투명기판이 위치하는 박막형 태양전지 모듈
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제1항에 있어서,상기 복수의 광전변환 유닛은 비정질 또는 미세 결정질의 실리콘인 박막형 태양전지 모듈
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8
제1항에 있어서,상기 복수의 광전변환 유닛의 상면은 요철구조를 포함하는 박막형 태양전지 모듈
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기판 위에 전극을 형성하는 단계;상기 전극 및 상기 기판 위에 반도체층을 성장하는 단계; 및상기 반도체층에 불순물을 도핑하는 단계;를 포함하고,상기 불순물을 도핑하는 단계는, 상기 전극 위에 위치한 상기 반도체층의 일부에 n형 도핑층을 형성하고, 상기 전극 위에 위치하며 상기 n형 도핑층과 이격 위치하는 상기 반도체층의 다른 부분에 p형 도핑층을 형성하는 단계;를 포함하는 박막형 태양전지 모듈 제조방법
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제9항에 있어서,상기 n형 도핑층 및 상기 p형 도핑층이 형성된 상기 반도체층 상에 상기 반도체층을 재 성장하는 단계;를 포함하는 박막형 태양전지 모듈 제조방법
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제10항에 있어서,상기 n형 도핑층 및 상기 p형 도핑층을 분리하도록 상기 전극 위에서 상기 n형층과 상기 p형층 사이에 위치한 상기 반도체층을 제거하는, 패터닝 하는 단계;를 포함하는 박막형 태양전지 모듈 제조방법
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제11항에 있어서,상기 패터닝 하는 단계 전 또는 후에, 상기 재 성장된 반도체층의 상면에 요철구조를 형성하는 단계;를 포함하는 박막형 태양전지 모듈 제조방법
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제11항에 있어서,상기 패터닝 방법은 광학적 스크라이빙법, 기계적 스크라이빙법, 플라즈마 이용 에칭법, 습식에칭법, 건식 에칭법, 리프트 오프(lift-off)법, 와이어 마스크(wire mask)법 중 어느 하나의 방법을 선택하여 이용하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 모듈 제조방법
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