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도전성 필름, 이의 제조방법 및 상기 도전성 필름을 포함하는 터치패널

  • 기술번호 : KST2015062278
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 기재층; 투명 도전성 산화물(TCO)로 형성된 투명 도전층; 및 상기 기재층과 상기 투명 도전층 사이에 위치하는 광학층으로서, (1-광학층의 굴절율/투명 도전성 산화물의 굴절율)×100% 값이 17%이하인 굴절율을 갖는 광학층을 포함하는 도전성 필름, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 터치패널을 제공한다.
Int. CL G06F 3/041 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020100078914 (2010.08.16)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1398385-0000 (2014.05.15)
공개번호/일자 10-2012-0021759 (2012.03.09) 문서열기
공고번호/일자 (20140526) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.13)
심사청구항수 26

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황장연 대한민국 서울특별시 양천구
2 김동렬 대한민국 대전광역시 유성구
3 이호준 대한민국 대전광역시 유성구
4 고명근 대한민국 서울특별시 동작구
5 장현우 대한민국 대전광역시 서구
6 구본석 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0525991-62
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0700404-34
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0739273-86
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.06.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0041745-96
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0528988-00
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0872287-91
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0988306-13
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0988307-58
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0074931-72
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.03.05 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0217785-10
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-0217784-75
13 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2014.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0217038-80
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기재층;투명 도전성 산화물(TCO)로 형성된 투명 도전층; 및상기 기재층과 상기 투명 도전층 사이에 위치하는 광학층으로서, (1-광학층의 굴절율/투명 도전성 산화물의 굴절율)×100% 값이 17%이하인 굴절율을 갖는 광학층을 포함하고,상기 기재층의 굴절률을 n1, 광학층의 굴절률을 n2, 도전층의 굴절률을 n3 라고 할 때, n1 003c# n2 003c# n3 를 만족하는 도전성 필름
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 투명 도전성 산화물은, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 또는 알루미늄 아연 산화물 (AZO)을 포함하는 것인 도전성 필름
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 투명 도전층은, 10 ~ 200㎚의 두께를 갖는 것인 도전성 필름
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 투명 도전층은, 패턴형상을 갖는 것인 도전성 필름
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 광학층은 실리콘산화질화물(SiOxNy)이나 알루미늄산화질화물(AlOxNy) 중에서 선택된 1종 이상으로 형성된 것인 도전성 필름
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 실리콘산화질화물의 X는 0 003c# X 003c# 0
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 광학층은, 10 ~ 100㎚의 두께를 갖는 것인 도전성 필름
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 광학층과 상기 기재층 사이에 위치하는 코팅층을 더 포함하는 것인 도전성 필름
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 코팅층은, 분자 내에 2개 이상의 중합성 불포화기를 갖는 유기화합물의 모노머, 또는 분자 내에 2개 이상의 중합성 불포화기를 갖는 중량평균분자량 100 이상 1,000 이하의 올리고머; 및 분자 내에 1개 이상의 중합성 불포화기를 갖는 중량평균분자량 1,000 이상 500,000 이하의 유기화합물을 함유하는 코팅층 형성용 조성물을 경화시켜 형성한 것인 도전성 필름
10 10
청구항 8에 있어서, 상기 코팅층은, (A) 하기 화학식 1 내지 화학식 3으로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 유기실란 부분 가수분해물; 및/또는 (B) 하기 화학식 4로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 금속알콕사이드 부분 가수분해물을 함유하는 코팅층 형성용 조성물을 경화시켜 형성한 것인 도전성 필름:(화학식 1)(R1)m-Si-X(4-m)(화학식 2)(R1)m-O-Si-X(4-m)(화학식 3)(R1)m-N(R2)-Si-X(4-m)(화학식 4)M-(R3)z상기 화학식 1 내지 화학식 3에서,X는 서로 같거나 다를 수 있으며, 수소, 할로겐, 탄소수 1 내지 12의 알콕시, 아실옥시, 알킬카보닐, 알콕시카보닐, 또는 -N(R2)2이고,R1은 서로 같거나 다를 수 있으며, 탄소수 1 내지 12의 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 아릴알킬, 알킬아릴, 아릴알케닐, 알케닐아릴, 아릴알키닐, 알키닐아릴, 할로겐, 아마이드, 알데하이드, 케톤, 알킬카보닐, 카복시, 머캅토, 시아노, 하이드록시, 탄소수 1 내지 12의 알콕시, 탄소수 1 내지 12의 알콕시카보닐, 설폰산, 인산, 아크릴옥시, 메타크릴옥시, 에폭시, 또는 비닐기이며,R2는 수소, 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬이고,m은 1 내지 3의 정수이고,상기 화학식 4에서, M은 알루미늄, 지르코늄, 및 티타늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속을 나타내며, R3은 서로 같거나 다를 수 있으며, 할로겐, 탄소수 1 내지 12의 알킬, 알콕시, 아실옥시, 또는 하이드록시기이며,Z는 3 또는 4의 정수이다
11 11
청구항 8에 있어서, 상기 코팅층은 0
12 12
청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 따른 도전성 필름을 포함하는 터치패널
13 13
a) 기재층 상에 광학층을 형성하는 단계; 및b) 상기 광학층 상에 투명 도전성 산화물(TCO)로 투명 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 도전성 필름의 제조방법으로서,상기 기재층과 상기 투명 도전층 사이에 위치한 상기 광학층은, (1-광학층의 굴절율/투명 도전성 산화물의 굴절율)×100% 값이 17%이하인 굴절율을 갖고,상기 기재층의 굴절률을 n1, 광학층의 굴절률을 n2, 도전층의 굴절률을 n3 라고 할 때, n1 003c# n2 003c# n3 를 만족하는 도전성 필름의 제조방법
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 a) 단계에서 상기 광학층은, 졸-겔법 (Sol-Gel), 증발법 (evaporation), 이온도금법 (ion plating), 스퍼터링법 (sputtering), 화학기상 증착법 (CVD, PECVD) 중 선택된 방법으로 형성하는 것인 도전성 필름의 제조방법
15 15
청구항 13에 있어서, 상기 a) 단계에서 상기 광학층은, 실리콘산화질화물(SiOxNy)이나 알루미늄산화질화물(AlOxNy) 중에서 선택된 1종 이상으로 형성하는 것인 도전성 필름의 제조방법
16 16
청구항 15에 있어서, 상기 실리콘산화질화물의 X는 0 003c# X 003c# 0
17 17
청구항 13에 있어서, 상기 a) 단계에서는, 상기 광학층을 10~100㎚의 두께로형성하는 것인 도전성 필름의 제조방법
18 18
청구항 13에 있어서, 상기 b) 단계에서 상기 투명 도전층은, 졸-겔법 (Sol-Gel), 증발법 (evaporation), 이온도금법 (ion plating), 스퍼터링법 (sputtering), 화학기상 증착법 (CVD, PECVD) 중에서 선택된 방법으로 형성하는 것인 도전성 필름의 제조방법
19 19
청구항 13에 있어서, 상기 b) 단계에서 상기 투명 도전성 산화물은, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 또는 알루미늄 아연 산화물을 포함하는 것인 도전성 필름의 제조방법
20 20
청구항 13에 있어서, 상기 b) 단계에서는, 상기 투명 도전층을 10 ~ 200㎚의 두께로 형성하는 것인 도전성 필름의 제조방법
21 21
청구항 13에 있어서, 상기 a) 단계 전에, 상기 기재층 상에 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 도전성 필름의 제조방법
22 22
청구항 21에 있어서, 상기 코팅층은 스핀 코팅, 그라비어 코팅, 모세관 코팅, 티다이 코팅 중 선택된 방법으로 형성하는 것인 도전성 필름의 제조방법
23 23
청구항 21에 있어서, 상기 코팅층은, 분자 내에 2개 이상의 중합성 불포화기를 갖는 유기화합물의 모노머, 또는 분자 내에 2개 이상의 중합성 불포화기를 갖는 중량평균분자량 100 이상 1,000 이하의 올리고머; 및 분자 내에 1개 이상의 중합성 불포화기를 갖는 중량평균분자량 1,000 이상 500,000 이하의 유기화합물을 함유하는 코팅층 형성용 조성물을 경화시켜 형성하는 것인 도전성 필름의 제조방법
24 24
청구항 21에 있어서, 상기 코팅층은, (A) 하기 화학식 1 내지 화학식 3으로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 유기실란 부분 가수분해물; 및/또는 (B) 하기 화학식 4로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 금속알콕사이드 부분 가수분해물을 함유하는 코팅층 형성용 조성물을 경화시켜 형성한 것인 도전성 필름의 제조방법:(화학식 1)(R1)m-Si-X(4-m)(화학식 2)(R1)m-O-Si-X(4-m)(화학식 3)(R1)m-N(R2)-Si-X(4-m)(화학식 4)M-(R3)z상기 화학식 1 내지 화학식 3에서,X는 서로 같거나 다를 수 있으며, 수소, 할로겐, 탄소수 1 내지 12의 알콕시, 아실옥시, 알킬카보닐, 알콕시카보닐, 또는 -N(R2)2이고,R1은 서로 같거나 다를 수 있으며, 탄소수 1 내지 12의 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 아릴알킬, 알킬아릴, 아릴알케닐, 알케닐아릴, 아릴알키닐, 알키닐아릴, 할로겐, 아마이드, 알데하이드, 케톤, 알킬카보닐, 카복시, 머캅토, 시아노, 하이드록시, 탄소수 1 내지 12의 알콕시, 탄소수 1 내지 12의 알콕시카보닐, 설폰산, 인산, 아크릴옥시, 메타크릴옥시, 에폭시, 또는 비닐기이며,R2는 수소, 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬이고,m은 1 내지 3의 정수이고,상기 화학식 4에서, M은 알루미늄, 지르코늄, 및 티타늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속을 나타내며, R3은 서로 같거나 다를 수 있으며, 할로겐, 탄소수 1 내지 12의 알킬, 알콕시, 아실옥시, 또는 하이드록시기이며,Z는 3 또는 4의 정수이다
25 25
청구항 21에 있어서, 상기 코팅층은 0
26 26
청구항 13에 있어서, 상기 b) 단계 후, 상기 투명 도전층을 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것인 도전성 필름의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.