| 1 |
1
기판이 안착되는 기판 안착대; 및상기 기판 안착대와 이격되어 대향되게 배치되며 상기 기판을 처리하는 가스가 분사되는 복수의 동공이 형성된 샤워 헤드를 포함하고,상기 샤워 헤드는,직류 전원이 인가되는 제 1 분사판;상기 제 1 분사판에 적층되는 유전체판; 및상기 유전체판과 적층되며 접지되는 제 2 분사판을 포함하고,상기 동공은 상기 제 1 분사판, 상기 유전체판, 및 상기 제 2 분사판을 관통하여 형성되는 플라즈마 발생장치
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 분사판은 마이너스 전원이 인가되고,상기 제 2 분사판은 상기 기판 안착대 측으로 배치되는 플라즈마 발생장치
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 제 1 분사판의 두께는 상기 공동의 지름 이상인 플라즈마 발생장치
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 분사판은 플러스 전원이 인가되며 상기 기판 안착대 측으로 배치되는 플라즈마 발생장치
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 제 2 분사판의 두께는 상기 공동의 지름 이상인 플라즈마 발생장치
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 샤워 헤드는 상기 가스가 공급되는 가스 주입구가 형성된 플라즈마 발생장치
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 제 1 분사판에 인가되는 직류 전원을 발생시키는 직류 전원부;상기 직류 전원부가 발생시키는 직류 전원을 제어하는 가변 저항; 및상기 직류 전원부가 발생시키는 직류 전원을 필터링하는 직류 전원 필터를 더 포함하는 플라즈마 발생장치
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 기판 안착대에 인가되는 고주파 전원을 발생시키는 고주파 전원부를 더 포함하는 플라즈마 발생장치
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 고주파 전원부가 발생시키는 고주파 전원을 제어하는 매칭 회로; 및상기 고주파 전원부가 발생시키는 고주파 전원을 필터링하는 고주파 전원 필터를 더 포함하는 플라즈마 발생장치
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서,상기 제 1 분사판에 인가되는 고주파 전원을 발생시키는 고주파 전원부를 더 포함하는 플라즈마 발생장치
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서,상기 동공은 중간의 지름이 상단 또는 하단의 지름보다 작은 플라즈마 발생장치
|
| 12 |
12
제 1 항에 있어서,상기 유전체판에 형성된 동공의 최소 지름은 상기 제 1 분사판 또는 상기 제 2 분사판에 형성된 동공의 최대 지름보다 작은 플라즈마 발생장치
|
| 13 |
13
제 12 항에 있어서,상기 제 1 분사판 또는 상기 제 2 분사판에 형성된 동공은 깔때기 형태인 플라즈마 발생장치
|
