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태양전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015062350
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지는 기판; 기판의 전면(front surface)에 위치하는 에미터부; 에미터부의 전면(front surface)에 위치하며, 에미터부의 일부를 노출하는 복수의 제1 콘택 라인을 구비하는 제1 반사방지막; 복수의 제1 콘택 라인을 통해 노출된 에미터부와 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및 기판의 후면(back surface)에 위치하는 제2 전극을 포함하며, 제1 전극은 에미터부와 직접 접촉하는 도금층을 포함한다.
Int. CL H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/068 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01) H01L 31/0392 (2006.01)
CPC H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01)
출원번호/일자 1020100086464 (2010.09.03)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1661768-0000 (2016.09.26)
공개번호/일자 10-2012-0023391 (2012.03.13) 문서열기
공고번호/일자 (20160930) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020160102254;
심사청구여부/일자 Y (2015.07.08)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심구환 대한민국 서울특별시 서초구
2 박창서 대한민국 서울특별시 서초구
3 윤필원 대한민국 서울특별시 서초구
4 진윤실 대한민국 서울특별시 서초구
5 김진성 대한민국 서울특별시 서초구
6 최영호 대한민국 서울특별시 서초구
7 장재원 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0574096-51
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0660457-64
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0042238-24
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-0145786-13
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.02.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0145795-24
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0512829-44
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0780326-18
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.08.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0780327-53
10 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2016.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0780231-79
11 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2016.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0593243-21
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전면 및 후면이 제1 텍스처링 표면 및 제2 텍스처링 표면으로 각각 형성되는 기판;상기 기판의 전면(front surface)에 위치하는 에미터부;상기 에미터부의 전면(front surface)에 위치하며, 상기 에미터부의 일부를 노출하는 복수의 제1 콘택 라인을 구비하는 제1 반사방지막;상기 복수의 제1 콘택 라인을 통해 노출된 상기 에미터부와 전기적으로 연결되는 제1 전극; 상기 기판의 후면(back surface)에 위치하는 제2 전극; 및 상기 제2 전극이 위치하지 않는 상기 기판의 후면(back surface)에 위치하는 제2 반사방지막을 포함하며, 상기 제1 전극은, 상기 에미터부와 직접 접촉하는 금속 시드층과, 상기 금속 시드층 위에 위치하는 도전층을 포함하고, 상기 도전층은 상기 금속 시드층 위에 위치하는 구리층 및 상기 구리층의 상부 표면 및 측면 위에 위치하는 주석층을 포함하고,상기 제2 전극의 선폭은 상기 제1 전극의 선폭보다 크게 형성되는 태양전지
2 2
제1항에서,상기 제1 전극은 0
3 3
제2항에서,상기 복수의 제1 콘택 라인은 20㎛ 내지 60㎛의 폭으로 각각 형성되는 태양전지
4 4
제3항에서,상기 복수의 제1 콘택 라인은 상기 에미터부의 평면적의 2% 내지 6%의 평면적으로 형성되는 태양전지
5 5
제3항에서,상기 제1 전극은 20㎛ 내지 50㎛의 두께로 형성되는 태양전지
6 6
삭제
7 7
제1항에서,상기 제1 반사방지막은 실리콘 질화막 및 상기 에미터부와 상기 실리콘 질화막 사이에 위치하는 실리콘 산화막 또는 산화 알루미늄막을 포함하는 태양전지
8 8
제1항에서,상기 기판은 인(P)이 도핑된 n형 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 태양전지
9 9
제1항 내지 제5항 및 제7항 내지 제8항 중 어느 한 항에서,상기 기판의 후면에 위치하는 후면 전계부를 더 포함하며, 상기 제2 전극은 상기 후면 전계부와 전기적으로 연결되는 태양전지
10 10
제9항에서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 서로 다른 물질로 형성되는 태양전지
11 11
삭제
12 12
제10항에서,상기 금속 시드층은 니켈(Ni)을 포함하고, 상기 제2 전극은 은(Ag)으로 형성되는 태양전지
13 13
제10항에서,상기 제2 반사방지막은 실리콘 질화막을 포함하는 태양전지
14 14
제9항에서,상기 제2 반사방지막은 상기 후면 전계부의 일부를 노출하는 복수의 제2 콘택 라인을 포함하는 태양전지
15 15
제14항에서,상기 복수의 제2 콘택 라인은 40㎛ 내지 100㎛의 폭으로 각각 형성되는 태양전지
16 16
제14항에서,상기 복수의 제2 콘택 라인은 상기 후면 전계부의 평면적의 5% 내지 15%의 평면적으로 형성되는 태양전지
17 17
제14항에서,상기 제2 전극은 상기 복수의 제2 콘택 라인을 통해 노출된 상기 후면 전계부와 직접 접촉하는 금속 시드층 및 상기 제2 전극의 상기 금속 시드층의 후면에 배치되는 적어도 하나의 도전층을 포함하며, 상기 제2 전극의 상기 도전층은 상기 제2 전극의 상기 금속 시드층 위에 위치하는 구리층 및 상기 제2 전극의 상기 구리층의 상부 표면 및 측면 위에 위치하는 주석층을 포함하여, 상기 제1 전극은 상기 제2 전극과 동일한 구조로 형성되는 태양전지
18 18
제17항에서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 상기 금속 시드층은 니켈(Ni)을 포함하는 태양전지
19 19
기판의 양쪽 표면에 제1 텍스처링 표면 및 제2 텍스처링 표면을 각각 형성하는 단계;상기 기판 전면(front surface)의 상기 제1 텍스처링 표면에는 에미터부를 형성하고, 상기 기판 후면(back surface)의 상기 제2 텍스처링 표면에는 후면 전계부를 형성하는 단계;상기 에미터부의 전면(front surface)에는 제1 반사방지막을 형성하고, 상기 후면 전계부의 후면에는 제2 반사방지막을 형성하는 단계;상기 제1 반사방지막에 복수의 제1 콘택 라인을 형성하는 단계;상기 제2 반사방지막을 관통하여 상기 후면 전계부에 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계; 및상기 복수의 제1 콘택 라인에 제1 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 서로 다른 물질로 형성하고,상기 제1 전극을 형성하는 단계는, 상기 에미터부와 직접 접촉하는 금속 시드층을 형성하는 단계와, 상기 금속 시드층 위에 도전층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 도전층을 형성하는 단계는, 상기 금속 시드층 위에 구리층을 형성하는 단계와, 상기 구리층의 상부 표면 및 측면 위에 주석층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제2 전극의 선폭을 상기 제1 전극의 선폭보다 크게 형성하는 태양전지의 제조 방법
20 20
삭제
21 21
제19항에서,상기 복수의 제1 콘택 라인을 형성하는 단계에서 습식 식각 또는 레이저를 이용한 건식 식각 공정을 사용하는 태양전지의 제조 방법
22 22
제19항에서,상기 복수의 제1 콘택 라인을 형성하는 단계는,레이저를 이용한 건식 식각 공정으로 상기 제1 반사방지막을 식각하는 단계; 및상기 레이저에 의해 발생한 상기 에미터부의 손상층을 습식 식각 공정으로 제거하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조 방법
23 23
제19항에서,상기 제2 전극을 형성하는 단계는,은(Ag) 및 글라스 프릿(glass frit)이 혼합된 도전 페이스트를 상기 제2 반사방지막의 후면에 인쇄하는 단계; 및상기 도전 페이스트를 건조 및 소성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조 방법
24 24
기판의 양쪽 표면에 제1 텍스처링 표면 및 제2 텍스처링 표면을 각각 형성하는 단계;상기 기판 전면(front surface)의 상기 제1 텍스처링 표면에는 에미터부를 형성하고, 상기 기판 후면(back surface)의 상기 제2 텍스처링 표면에는 후면 전계부를 형성하는 단계;상기 에미터부의 전면(front surface)에는 제1 반사방지막을 형성하고, 상기 후면 전계부의 후면에는 제2 반사방지막을 형성하는 단계;상기 제1 반사방지막에는 복수의 제1 콘택 라인을 형성하고, 상기 제2 반사방지막에는 복수의 제2 콘택 라인을 형성하는 단계; 및상기 복수의 제1 콘택 라인을 통해 노출된 상기 에미터부에는 제1 전극을 형성하고, 상기 복수의 제2 콘택 라인을 통해 노출된 상기 후면 전계부에는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 제1 전극 및 제2 전극을 서로 동일한 물질로 형성하고,상기 제1 전극을 형성하는 단계는, 상기 에미터부와 직접 접촉하는 금속 시드층을 형성하는 단계와, 상기 금속 시드층 위에 도전층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 도전층을 형성하는 단계는, 상기 금속 시드층 위에 구리층을 형성하는 단계와, 상기 구리층의 상부 표면 및 측면 위에 주석층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제2 전극의 선폭은 상기 제1 전극의 선폭보다 크게 형성하는 태양전지의 제조 방법
25 25
삭제
26 26
제24항에서,상기 복수의 제1 콘택 라인 및 제2 콘택 라인을 형성하는 단계에서 습식 식각 또는 레이저를 이용한 건식 식각 공정을 사용하는 태양전지의 제조 방법
27 27
제24항에서,상기 복수의 제1 콘택 라인 및 제2 콘택 라인을 형성하는 단계는,레이저를 이용한 건식 식각 공정으로 상기 제1 반사방지막 및 상기 제2 반사방지막을 각각 식각하는 단계; 및상기 레이저에 의해 발생한 상기 에미터부 및 상기 후면 전계부의 손상층을 습식 식각 공정으로 제거하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조 방법
28 28
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1 CN102934236 CN 중국 FAMILY
2 EP02612369 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02612369 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP05844797 JP 일본 FAMILY
5 JP25526053 JP 일본 FAMILY
6 KR101708242 KR 대한민국 FAMILY
7 US08697475 US 미국 FAMILY
8 US09972738 US 미국 FAMILY
9 US10090428 US 미국 FAMILY
10 US10424685 US 미국 FAMILY
11 US20110139243 US 미국 FAMILY
12 US20130025678 US 미국 FAMILY
13 US20140116507 US 미국 FAMILY
14 US20160155885 US 미국 FAMILY
15 US20180233621 US 미국 FAMILY
16 WO2012030019 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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3 DE202010018467 DE 독일 DOCDBFAMILY
4 EP2612369 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
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10 US10424685 US 미국 DOCDBFAMILY
11 US2011139243 US 미국 DOCDBFAMILY
12 US2013025678 US 미국 DOCDBFAMILY
13 US2014116507 US 미국 DOCDBFAMILY
14 US2016155885 US 미국 DOCDBFAMILY
15 US2018233621 US 미국 DOCDBFAMILY
16 US8697475 US 미국 DOCDBFAMILY
17 US9972738 US 미국 DOCDBFAMILY
18 WO2012030019 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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