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태양광 발전장치 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015062389
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양광 발전장치가 개시된다. 태양광 발전장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 이면전극층; 상기 이면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함하고, 상기 윈도우층은 상기 광 흡수층에 인접하여 배치되는 제 1 영역; 및 상기 제 1 영역 상에 배치되는 제 2 영역을 포함하고, 상기 제 1 영역은 상기 제 2 영역보다 더 높은 농도로 도전성 도펀트를 포함한다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01)
출원번호/일자 1020100085424 (2010.09.01)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1144540-0000 (2012.05.02)
공개번호/일자 10-2012-0023239 (2012.03.13) 문서열기
공고번호/일자 (20120511) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.01)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박희선 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0567949-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.07.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0062354-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0583790-11
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0985636-70
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0985637-15
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0185877-05
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 배치되는 이면전극층;상기 이면전극층 상에 배치되는 광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층을 포함하고,상기 윈도우층은상기 광 흡수층에 인접하여 배치되는 제 1 영역; 및상기 제 1 영역 상에 배치되는 제 2 영역을 포함하고,상기 제 1 영역은 상기 제 2 영역보다 더 높은 농도로 도전성 도펀트를 포함하는 태양광 발전장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 도전성 도펀트의 농도는 상기 광 흡수층에 가까워질수록 더 증가하는 태양광 발전장치
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 도전성 도펀트는 알루미늄(Al), 알루미나(Al2O3), 마그네슘(Mg) 및 갈륨(Ga)으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 태양광 발전장치
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 영역에서 상기 도전성 도펀트의 농도는 상기 광 흡수층에 가까워짐에 따라서 증가하고,상기 제 2 영역에서 상기 도전성 도펀트의 농도는 상기 광 흡수층에 가까워짐에 따라서 증가하는 태양광 발전장치
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 제 1 영역에서의 상기 광 흡수층과의 거리에 대한 상기 도전성 도펀트 농도의 제 1 기울기는 상기 제 2 영역에서의 상기 광 흡수층과의 거리에 대한 상기 도전성 도펀트 농도의 제 2 기울기와 동일한 태양광 발전장치
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 제 1 영역에서의 상기 광 흡수층과의 거리에 대한 상기 도전성 도펀트 농도의 제 1 기울기는 상기 제 2 영역에서의 상기 광 흡수층과의 거리에 대한 상기 도전성 도펀트 농도의 제 2 기울기보다 더 큰 태양광 발전장치
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 제 1 영역에서의 상기 광 흡수층과의 거리에 대한 상기 도전성 도펀트 농도의 제 1 기울기는 상기 제 2 영역에서의 상기 광 흡수층과의 거리에 대한 상기 도전성 도펀트 농도의 제 2 기울기보다 더 작은 태양광 발전장치
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층에는 관통홈이 형성되고,상기 윈도우층과 일체로 형성되며, 상기 이면전극층에 접속되는 접속부를 포함하고,상기 접속부는 상기 이면전극층과 직접 접촉하는 하부 영역 및 상기 하부 영역상에 배치되는 상부 영역을 포함하고,상기 하부 영역은 상기 상부 영역보다 더 높은 농도로 상기 도전성 도펀트를 포함하는 태양광 발전장치
9 9
삭제
10 10
기판 상에 이면전극층을 형성하는 단계;상기 이면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층 상에 윈도우층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 윈도우층은상기 광 흡수층에 인접하여 배치되는 제 1 영역; 및상기 제 1 영역 상에 배치되는 제 2 영역을 포함하고,상기 제 1 영역은 상기 제 2 영역보다 더 높은 농도로 도전성 도펀트를 포함하는 태양광 발전장치
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 윈도우층을 형성하는 단계는 상기 광 흡수층 상에 투명한 도전물질 및 상기 도전성 도펀트를 동시에 증착하는 단계를 포함하며,상기 증착되는 도전성 도펀트의 양은 시간이 지남에 따라서 감소되는 태양광 발전장치
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 윈도우층을 형성하는 단계에서, 상기 투명한 도전 물질을 포함하는 제 1 타겟 및 상기 도전성 도펀트를 포함하는 제 2 타겟을 사용하며,상기 제 2 타겟에 인가되는 전력은 시간이 지남에 따라서 감소되는 태양광 발전장치
13 13
제 10 항에 있어서, 상기 윈도우층을 형성하는 단계에서 서로 다른 농도로 상기 도전성 도펀트를 포함하는 다수 개의 타겟들을 사용하는 태양광 발전장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.