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제1 도전성 타입의 기판,상기 기판의 제1 면 위에 위치하고 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 에미터부,상기 에미터부와 전기적으로 연결되고, 상기 기판과 인접한 하부면의 폭이 상기 하부면의 반대쪽에 위치하는 상부면의 폭보다 작게 형성되는 제1 전극, 그리고상기 기판의 상기 제1 면 위에 위치하여 상기 기판과 전기적으로 연결되고, 상기 기판과 인접한 하부면의 폭이 상기 하부면의 반대쪽에 위치하는 상부면의 폭보다 작게 형성되는 제2 전극을 포함하고,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 각각의 상부면과 하부면을 연결하는 측면은 오목한 곡면 형상을 갖는태양 전지
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제1항에서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 각각의 상부면의 끝단의 위치는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 각각의 하부면의 끝단의 위치보다 1㎛ 내지 100㎛ 돌출되어 있는 태양 전지
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제1항 또는 제3항에서,상기 에미터부와 상기 제1 전극 사이에 위치한 보조 전극을 더 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 보조 전극을 통해 상기 에미터부와 전기적으로 연결되며, 상기 보조 전극의 측면은 상기 제1 전극의 측면과 연결된 오목한 곡면 형상으로 형성되는 태양 전지
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제5항에서,상기 제1 전극은 상기 보조 전극의 상부면 전체 위에 위치하는 태양 전지
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제5항에서,상기 제1 전극의 하부면은 상기 보조 전극의 하부면과 동일한 평면 형상을 갖는 태양 전지
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제5항에서,상기 보조 전극은 투명한 도전성 물질로 이루어져 있는 태양 전지
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제1항 또는 제3항에서,상기 기판의 상기 제1 면 위에 위치하는 상기 제1 도전성 타입의 전계부를 더 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 전계부 위에 위치하여 상기 전계부를 통해 상기 기판과 전기적으로 연결되어 있는 태양 전지
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제9항에서,상기 전계부와 상기 제2 전극 사이에 위치한 보조 전극을 더 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 보조 전극을 통해 상기 전계부와 전기적으로 연결되며, 상기 보조 전극의 측면은 상기 제2 전극의 측면과 연결된 오목한 곡면 형상으로 형성되는 태양 전지
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제10항에서,상기 제2 전극은 상기 보조 전극의 상부면 전체 위에 위치하는 태양 전지
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제10항에서,상기 제2 전극의 하부면은 상기 보조 전극의 하부면과 동일한 평면 형상을 갖는 태양 전지
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제10항에서,상기 보조 전극은 투명한 도전성 물질로 이루어져 있는 태양 전지
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제9항에서,상기 기판과 상기 전계부 사이에 위치하는 보호부를 더 포함하는 태양 전지
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제9항에서,상기 기판은 결정질 반도체로 이루어져 있고, 상기 전계부는 비결정질 반도체로 이루어져 있는 태양 전지
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제1항 또는 제3항에서,상기 기판과 상기 에미터부 사이에 위치하는 보호부를 더 포함하는 태양 전지
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제1항 또는 제3항에서,상기 기판의 상기 제1 면과 마주하는 상기 기판의 제2 면 위에 위치하는 보호부를 더 포함하는 태양 전지
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제1항 또는 제3항에서,상기 기판의 상기 제1 면과 마주하는 상기 기판의 제2 면 위에 위치하는 반사 방지부를 더 포함하는 태양 전지
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제1항에서,상기 기판의 상기 제1 면은 빛이 입사되지 않은 면인 태양 전지
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제1항에서,상기 기판은 결정질 반도체로 이루어져 있고, 상기 에미터부는 비결정질 실리콘으로 이루어져 있는 태양 전지
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제1항에서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 금속 물질을 함유하고 있는 태양 전지
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제21항에서,상기 금속 물질은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)인 태양 전지
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제1 도전성 타입을 갖는 기판의 제1 면 위에 제1 불순물을 함유한 에미터부를 형성하는 단계,상기 기판의 상기 제1 면 위에 상기 에미터부와 이격하여 상기 제1 불순물과 다른 제2 불순물을 함유한 전계부를 형성하는 단계,상기 에미터부와 상기 전계부 사이에서 노출된 상기 기판의 제1 면에 마스킹 페이스트(masking paste)를 형성하되, 상기 마스킹 페이스트의 볼록한 곡면 형상을 갖는 측면이 상기 에미터부의 상부면 일부와 상기 전계부의 상부면 일부를 덮도록 상기 마스킹 페이스트(masking paste)를 형성하는 단계,상기 마스킹 페이스트에 의해 노출된 상기 에미터부 및 상기 전계부의 상부면 위에 투명한 도전막을 형성하여, 상기 에미터부 및 상기 전계부와 인접한 하부면의 폭이 상기 하부면의 반대쪽에 위치하는 상부면의 폭보다 작게 형성되며 상기 상부면과 하부면을 연결하는 측면이 오목한 곡면 형상을 갖는 제1 보조 전극 및 제2 보조 전극을 상기 에미터부의 상부면 위 및 상기 전계부의 상부면 위에 각각 형성하는 단계,상기 제1 보조 전극의 상부면 및 제2 보조 전극의 상부면 위에 금속막을 각각 형성하여, 상기 제1 보조 전극 및 상기 제2 보조 전극과 인접한 하부면의 폭이 상기 하부면의 반대쪽에 위치하는 상부면의 폭보다 작게 형성되며 상기 상부면과 하부면을 연결하는 측면이 오목한 곡면 형상을 갖는 제1 전극 및 제2 전극을 상기 제1 보조 전극의 상부면 위 및 상기 제2 보조 전극의 상부면 위에 각각 형성하는 단계, 그리고 상기 마스킹 페이스트를 제거하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제23항에서,상기 마스킹 페이스트를 위치시키는 단계는 스크린 인쇄법(screen printing)으로 상기 마스킹 페이스트를 도포하고 건조시켜, 상기 마스킹 페이스트를 위치시키는 태양 전지의 제조 방법
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제23항에서,상기 마스킹 페이스트의 최대 두께는 상기 투명한 도전막의 두께와 상기 금속막의 두께의 합의 최대값보다 큰 태양 전지의 제조 방법
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제26항에서,상기 마스킹 페이스트의 최대 두께는 30㎛ 내지 50㎛의 두께를 갖는 태양 전지의 제조 방법
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제23항에서,상기 투명한 도전막 형성 단계는 PECVD나 스퍼터링법으로 상기 투명한 도전막을 형성하는 태양 전지의 제조 방법
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제23항에서,상기 금속막 형성 단계는 PECVD, 스퍼터링법 또는 도금법으로 상기 금속막을 형성하는 태양 전지의 제조 방법
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제23항에서,상기 금속막은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)을 함유하는 태양 전지의 제조 방법
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제23항에서,상기 마스킹 페이스트는 염기성 에칭액에 의해 제거되는 태양 전지의 제조 방법
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제23항에서,상기 기판의 제1 면과 마주하는 상기 기판의 제2 면 위에 보호부를 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제32항에서,상기 보호부 위에 반사 방지부를 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제23항에서,상기 기판의 제1 면은 빛이 입사되지 않은 면인 태양 전지의 제조 방법
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제23항에서,상기 기판은 결정질 반도체로 이루어져 있고, 상기 에미터부와 상기 전계부는 비결정질 반도체로 이루어져 있는 태양 전지의 제조 방법
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제23항에서,상기 제1 불순물은 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖고 있고, 상기 제2 불순물은 상기 제1 도전성 타입을 갖고 있는 태양 전지의 제조 방법
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