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반도체 소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015062589
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 소자는 기판; 및 상기 기판의 한쪽 면에 위치하는 적어도 2층 이상의 제1 절연막을 포함하며, 상기 제1 절연막은 상기 기판의 일부를 노출하는 개구부를 포함하고, 상기 제1 절연막 중에서 상기 기판과 인접한 하부막에 위치하는 개구부의 최대 폭과 상기 하부막 위의 상부막에 위치하는 개구부의 최대 폭이 서로 다르게 형성된다.
Int. CL H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/068 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01)
출원번호/일자 1020100093108 (2010.09.27)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1665722-0000 (2016.10.06)
공개번호/일자 10-2012-0031630 (2012.04.04) 문서열기
공고번호/일자 (20161024) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020160112820;
심사청구여부/일자 Y (2015.07.08)
심사청구항수 28

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 진윤실 대한민국 서울특별시 서초구
2 심구환 대한민국 서울특별시 서초구
3 최영호 대한민국 서울특별시 서초구
4 박창서 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0617956-54
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0660815-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0119965-82
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0254499-48
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-0254470-25
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0566541-00
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0856291-13
9 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2016.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0856330-06
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.09.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0856292-58
11 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2016.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0673007-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 위치하는 에미터부; 상기 기판의 상기 에미터부 위에 위치하며 상기 기판의 일부를 노출하는 개구부를 포함하는 2층 이상의 제1 절연막; 및 상기 개구부 내에 위치하여 상기 에미터부에 전기적으로 연결되는 제1 전극을 포함하며,상기 개구부는 상기 제1절연막의 상부막에 위치하는 제1 부분 및 상기 제1절연막의 하부막에 위치하는 제2 부분을 포함하고, 상기 제2 부분의 최대 폭은 상기 제1 부분의 최대 폭보다 크고,상기 제2 부분은 상단부의 폭이 하단부의 폭보다 크게 형성되며,상기 제1 전극은, 상기 개구부를 통하여 상기 에미터부에 직접 연결되는 금속 시드층, 상기 금속 시드층 위에 위치하는 확산방지층 및 상기 확산방지층 위에 위치하는 도전층을 포함하는 태양 전지
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에서,상기 제2 부분의 면적 및 평균 지름은 상기 제1 부분의 면적 및 평균 지름보다 크게 형성되는 태양 전지
5 5
제1항에서,상기 개구부는 라인 패턴으로 형성되는 태양 전지
6 6
제1항에서,상기 제1 부분은 균일한 폭으로 형성되는 태양 전지
7 7
제6항에서,상기 제1 부분에 의해 노출된 상기 상부막의 측면은 일직선 형상으로 형성되는 태양 전지
8 8
제7항에서,상기 제1 전극과 상기 상부막의 접촉면은 평탄한 면으로 형성되는 태양 전지
9 9
삭제
10 10
제6항에서,상기 제2 부분의 상단부의 폭이 상기 제1 부분의 하단부의 폭보다 크게 형성되는 태양 전지
11 11
제6항에서,상기 제2 부분의 하단부의 폭이 상기 제1 부분의 하단부의 폭보다 크게 형성되는 태양 전지
12 12
제6항에서,상기 제2 부분에 의해 노출된 상기 하부막의 측면은 곡면 형상으로 형성되는 태양 전지
13 13
제12항에서,상기 제1 전극과 상기 하부막의 접촉면은 곡면으로 형성되는 태양 전지
14 14
제1항, 제4항 내지 제8항, 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에서,상기 태양 전지는 상기 기판의 다른 쪽 면에 위치하며 상기 기판의 일부를 노출하는 개구부를 포함하는 제2 절연막 및 상기 제2 절연막의 개구부에 위치하는 제2 전극을 포함하는 태양 전지
15 15
제14항에서,상기 기판의 양쪽 면 중 적어도 어느 한 면이 텍스처링 표면으로 형성되는 태양 전지
16 16
제14항에서,상기 제1 절연막의 하부막은 산화 알루미늄막 또는 실리콘 산화막을 포함하는 금속 산화물로 이루어지고, 상기 제1 절연막의 상부막은 실리콘 질화막으로 이루어지는 태양 전지
17 17
제14항에서,상기 기판의 다른 쪽 면에 위치하는 후면 전계부를 더 포함하고,상기 제2 절연막은 상기 후면 전계부와 인접한 하부막 및 상기 하부막의 하부에 위치하는 상부막을 포함하고, 상기 절연막의 상기 개구부가 상기 후면 전계부의 일부를 노출하며,상기 제2 절연막 중에서 상기 후면 전계부와 인접한 하부막에 위치하는 개구부의 최대 폭과 상기 하부막 하부의 상부막에 위치하는 개구부의 최대 폭이 서로 다르게 형성되며, 상기 제2 전극은 상기 제2 절연막의 개구부에 위치하며 상기 후면 전계부와 전기적으로 연결되는 태양 전지
18 18
제17항에서,상기 제2 전극은 도전성 물질을 포함한 페이스트층 또는 도금층으로 이루어지는 태양 전지
19 19
제17항에서,상기 제2 절연막의 하부막에 위치하는 개구부의 면적 및 평균 지름은 상기 제2 절연막의 상부막에 위치하는 개구부의 면적 및 평균 지름보다 크게 형성되는 태양 전지
20 20
제17항에서,상기 제2 절연막에 위치하는 개구부는 상기 제2 절연막의 상부막에 위치하는 제3 부분과 상기 제2 절연막의 하부막에 위치하는 제4 부분을 포함하는 태양 전지
21 21
제20항에서,상기 제3 부분은 균일한 폭으로 형성되는 태양 전지
22 22
제21항에서,상기 제3 부분에 의해 노출된 상기 제2 절연막의 상부막의 측면은 일직선 형상으로 형성되는 태양 전지
23 23
제22항에서,상기 제2 전극과 상기 제2 절연막의 상부막의 접촉면은 평탄한 면으로 형성되는 태양 전지
24 24
제20항에서,상기 제4 부분은 상단부의 폭이 하단부의 폭보다 크게 형성되는 태양 전지
25 25
제24항에서,상기 제4 부분의 상단부의 폭이 상기 제3 부분의 하단부의 폭보다 크게 형성되는 태양 전지
26 26
제24항에서,상기 제4 부분의 하단부의 폭이 상기 제3 부분의 하단부의 폭보다 크게 형성되는 태양 전지
27 27
제24항에서,상기 제4 부분에 의해 노출된 상기 하부막의 측면은 곡면 형상으로 형성되는 태양 전지
28 28
제27항에서,상기 제2 전극과 상기 제2 절연막의 하부막의 접촉면은 곡면으로 형성되는 태양 전지
29 29
제24항에서,상기 제2 절연막의 하부막은 산화 알루미늄막 또는 실리콘 산화막을 포함하는 금속 산화물로 이루어지고, 상기 제2 절연막의 상부막은 실리콘 질화막으로 이루어지는 태양 전지
30 30
삭제
31 31
태양전지용 기판의 전면(front surface)에는 에미터부를 형성하고, 상기 기판의 후면(back surface)에는 후면 전계부를 형성하는 단계;상기 에미터부의 전면(front surface)에는 제1 하부막 및 상기 제1 하부막과 서로 다른 재질의 제1 상부막을 포함하는 전면 반사방지막을 형성하고, 상기 후면 전계부의 후면에는 상기 제1 하부막과 동일한 재질의 제2 하부막 및 상기 제1 상부막과 동일한 재질의 제2 상부막을 포함하는 후면 반사방지막을 형성하는 단계;상기 전면 반사방지막에는 복수의 제1 콘택 라인을 형성하고, 상기 후면 반사방지막에는 복수의 제2 콘택 라인을 형성하는 단계; 및상기 복수의 제1 콘택 라인을 통해 노출된 상기 에미터부에는 제1 전극을 형성하고, 상기 복수의 제2 콘택 라인을 통해 노출된 상기 후면 전계부에는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 제1 콘택 라인 및 제2 콘택 라인을 형성하는 단계는,레이저를 이용하여 상기 제1 상부막 및 제2 상부막을 건식 식각하는 단계; 및상기 제1 상부막 및 제2 상부막을 마스크로 하여 상기 제1 하부막 및 제2 하부막을 습식 식각하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
32 32
제31항에서,상기 에미터부 및 후면 전계부를 형성하기 전에 상기 기판의 양쪽 표면 중 적어도 한 면에 텍스처링 표면을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
33 33
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02622644 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02622644 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP03349253 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP05629013 JP 일본 FAMILY
5 JP25539230 JP 일본 FAMILY
6 KR101752404 KR 대한민국 FAMILY
7 US08552520 US 미국 FAMILY
8 US09076905 US 미국 FAMILY
9 US09356165 US 미국 FAMILY
10 US20110140226 US 미국 FAMILY
11 US20140099747 US 미국 FAMILY
12 US20150270415 US 미국 FAMILY
13 WO2012043921 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 EP2622644 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2622644 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP2622644 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP3349253 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 JP2013539230 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP5629013 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 US2011140226 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US2014099747 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US2015270415 US 미국 DOCDBFAMILY
10 US8552520 US 미국 DOCDBFAMILY
11 US9076905 US 미국 DOCDBFAMILY
12 US9356165 US 미국 DOCDBFAMILY
13 WO2012043921 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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