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반도체 웨이퍼를 노광하기 위한 노광 장치에 있어서,상기 반도체 웨이퍼 위에 인쇄될 소정의 회로패턴이 그려진 마스크;미리 결정된 파장의 자외선 광을 방출하는 UV LED를 가지며, 상기 마스크 위에 설치되어 상기 UV LED로부터의 상기 자외선 광이 상기 마스크로 조사되도록 하고, 상기 UV LED를 장착한 단위 모듈을 복수로 갖는 UV 광원;상기 마스크 아래에 설치되고, 상기 마스크를 통과한 자외선 광이 상기 반도체 웨이퍼의 소정 위치에 일정한 배율로 전사되도록 하는 렌즈계; 및상기 렌즈계 아래에 설치되고, 상기 반도체 웨이퍼와 상기 마스크를 이동 및 고정시키기 위한 위치 정렬계;를 포함하되,상기 UV 광원의 복수의 단위 모듈들은 독립적으로 턴온 또는 턴오프되고,상기 UV 광원은,상기 마스크 위에 설치되고, 소정의 수납공간을 가지며, 상기 수납공간을 정의하기 위한 베이스판과 상기 베이스판의 측면을 둘러싸는 측면판을 가지며, 상기 UV LED로부터의 열을 방열하기 위한 하우징;상기 복수의 단위 모듈들로 구성되며, 상기 하우징의 베이스판상에 배치된 UV LED 모듈; 상기 UV LED 모듈상에 상기 자외선 광을 확산시키는 확산시트; 및상기 하우징의 베이스판 외면에 장착되고, 상기 복수의 단위 모듈들과 전기적으로 연결되어 상기 복수의 단위 모듈들에 제어신호를 공급하기 위한 제어부; 를 포함하는, 노광 장치
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제 1 항에 있어서,상기 하우징은,상기 베이스판의 외면과 상기 측면판의 외면에 연결되고 외부방향으로 연장된 복수의 핀을 포함하는 노광 장치
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제 1 항에 있어서,상기 UV LED 모듈의 상기 복수의 단위 모듈들 각각은상기 하우징의 베이스판의 내면에 인접하는 기판;상기 기판에 복수로 장착된 상기 UV LED; 및상기 UV LED과 대응되어 상기 UV LED로부터의 자외선 광을 확산시키는 렌즈를 더 포함하는 노광 장치
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제 4 항에 있어서,상기 UV LED 개수와 상기 렌즈의 개수가 동일한 노광 장치
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제 1 항에 있어서,상기 UV 광원은,상기 하우징의 베이스판과 상기 UV LED 모듈 사이에 게재된 방열시트를 더 포함하는 노광 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 제어부는 상기 UV LED 각각을 제어하거나 상기 단위 모듈단위로 제어하는 노광 장치
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반도체 웨이퍼를 노광하기 위한 노광 장치에 있어서,상기 반도체 웨이퍼 위에 인쇄될 소정의 회로패턴이 그려진 마스크;미리 결정된 파장의 자외선 광을 방출하는 UV LED를 가지며, 상기 마스크 위에 설치되어 상기 UV LED로부터의 상기 자외선 광이 상기 마스크로 조사되도록 하고, 상기 UV LED를 장착한 단위 모듈을 복수로 갖는 UV 광원;상기 마스크 아래에 설치되고, 상기 마스크를 통과한 자외선 광이 상기 반도체 웨이퍼의 소정 위치에 일정한 배율로 전사되도록 하는 렌즈계; 및상기 렌즈계 아래에 설치되고, 상기 반도체 웨이퍼와 상기 마스크를 이동 및 고정시키기 위한 위치 정렬계;를 포함하되,상기 UV 광원의 복수의 단위 모듈들은 독립적으로 턴온 또는 턴오프되고,상기 반도체 웨이퍼의 주변부 노광을 위해, 상기 UV 광원의 상기 복수의 단위 모듈들 중 상기 반도체 웨이퍼의 주변부와 대응되는 단위 모듈들만 턴온되는, 노광 장치
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