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태양 전지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015062656
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요약 본 발명은 태양 전지에 관한 것이다. 태양 전지는 제1 도전성 타입의 기판, 상기 기판의 제1 면 위에 위치하고 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖고 있으며, 함몰부를 구비하고 있는 에미터부, 상기 에미터부 위에 위치하고, 상기 에미터부와 인접한 하부면에 상기 함몰부와 대응하는 돌출부를 구비한 제1 전극, 그리고, 상기 기판과 연결되어 있는 제2 전극을 포함한다. 이로 인해, 에미터부의 표면적이 증가하여, 그 위에 위치하는 제1 전극과의 접촉 면적이 증가하므로, 에미터부로부터 제1 전극으로의 전하 전송율이 증가하여 태양 전지의 효율이 향상된다.
Int. CL H01L 31/068 (2006.01) H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/0376 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC H01L 31/068(2013.01) H01L 31/068(2013.01) H01L 31/068(2013.01) H01L 31/068(2013.01) H01L 31/068(2013.01) H01L 31/068(2013.01)
출원번호/일자 1020100096446 (2010.10.04)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1661364-0000 (2016.09.23)
공개번호/일자 10-2012-0035003 (2012.04.13) 문서열기
공고번호/일자 (20160929) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.08.14)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고화영 대한민국 서울특별시 서초구
2 김형석 대한민국 서울특별시 서초구
3 이헌민 대한민국 서울특별시 서초구
4 최정훈 대한민국 서울특별시 서초구
5 김철 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0640038-06
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0788932-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0210052-81
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0375038-74
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0375050-12
7 등록결정서
Decision to grant
2016.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0665678-90
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전성 타입의 기판,상기 기판의 제1 면 위에 위치하는 보호막,상기 보호막 위에 위치하고, 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖고 있으며, 상기 보호막과 인접한 하부면의 반대쪽에 위치하는 상부면의 소정 부위가 제거된 함몰부를 구비하고, 상기 기판과 이종 접합을 형성하는 에미터부,상기 보호막 위에 위치하고, 상기 기판에 비해 고농도의 제1 도전성 타입을 갖고 있으며, 상기 보호막과 인접한 하부면의 반대쪽에 위치하는 상부면의 소정 부위가 제거된 함몰부를 구비하고, 상기 기판과 이종 접합을 형성하는 후면 전계부,상기 에미터부의 상기 함몰부와 대응하여 상기 에미터부와 접촉하는 제1 전극, 그리고,상기 후면 전계부의 상기 함몰부와 대응하여 상기 후면 전계부와 접촉하는 제2 전극을 포함하며,상기 에미터부에서, 상기 함몰부가 위치한 부분의 두께는 상기 함몰부가 위치하지 않는 부분의 두께보다 작게 형성되는 태양 전지
2 2
제1항에서,상기 함몰부의 최대 지름은 상기 제1 전극의 폭의 70%에 해당하는 값을 갖는 태양 전지
3 3
제1항에서, 상기 함몰부의 표면 형상은 곡면인 태양 전지
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에서, 상기 제1 전극은 상기 하부면과 대향하는 상부면에 함몰부를 더 구비하고 있고, 상기 함몰부의 형성 위치는 상기 에미터부의 함몰부의 위치에 대응하는 태양 전지
5 5
제1항에서,상기 에미터부와 상기 후면 전계부는 서로 이격되게 위치하는 태양 전지
6 6
제5항에서,상기 후면 전계부의 상기 함몰부의 최대 지름은 상기 제2 전극의 폭의 70%에 해당하는 값을 갖는 태양 전지
7 7
제5항에서, 상기 후면 전계부의 상기 함몰부의 표면 형상은 곡면인 태양 전지
8 8
제5항에서, 상기 제2 전극은 상기 하부면과 대향하는 상부면에 함몰부를 더 구비하고 있고, 상기 함몰부의 형성 위치는 상기 후면 전계부의 함몰부의 위치에 대응하는 태양 전지
9 9
제5항에서, 상기 기판과 상기 후면 전계부 사이에 위치하는 보호막과 상기 기판과 상기 에미터부 사이에 위치하는 보호막은 서로 이격되게 위치하는 태양 전지
10 10
삭제
11 11
제1항에서, 상기 기판의 상기 제1 면과 마주하는 상기 기판의 제2 면 위에 위치하는 보호부를 더 포함하는 태양 전지
12 12
제1항에서, 상기 기판의 상기 제1 면과 마주하는 상기 기판의 제2 면 위에 위치하는 반사 방지부를 더 포함하는 태양 전지
13 13
제1항에서, 상기 기판의 상기 제1 면은 빛이 입사되지 않은 면인 태양 전지
14 14
제1항에서, 상기 기판은 결정질 반도체로 이루어져 있고, 상기 에미터부는 비결정질 반도체로 이루어져 있는 태양 전지
15 15
제1 도전성 타입의 불순물을 갖는 기판의 제1 면 위에 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 불순물을 함유한 에미터부를 형성하는 단계,상기 에미터부 위에 에칭 페이스트를 도포한 후 열처리하여 상기 에칭 페이스트가 도포된 부분의 상기 에미터부를 식각하여, 상기 에미터부의 상부면에 함몰부를 형성하는 단계,상기 에칭 페이스트를 세정하는 단계, 그리고상기 함몰부를 구비한 상기 에미터부의 상부면 위에 제1 전극을 형성하고, 상기 기판과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
16 16
제15항에서,상기 기판의 제1 면 위에 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 함유한 후면 전계부를 형성하는 단계를 포함하고,상기 제2 전극은 상기 후면 전계부의 상부면 위에 형성되는태양 전지의 제조 방법
17 17
제16항에서,상기 후면 전계부 위에 상기 에칭 페이스트를 도포한 후 열처리하여 상기 에칭 페이스트가 도포된 부분의 상기 후면 전계부를 식각하여, 상기 후면 전계부의 상부면에 함몰부를 형성하는 단계, 그리고상기 에칭 페이스트를 세정하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
18 18
제15항에서,상기 제1 면과 마주하고 있는 상기 기판의 제2 면 위에 보호부를 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
19 19
제15항에서,상기 제1 면과 마주하고 있는 상기 기판의 제2 면 위에 반사 방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
20 20
제15항에서,상기 제1 면은 빛이 입사되지 않은 면인 태양 전지의 제조 방법
21 21
제15항에서,상기 기판은 결정질 반도체로 이루어져 있고, 상기 에미터부는 비결정질 반도체로 이루어져 있는 태양 전지의 제조 방법
22 22
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